电子电路中复习试卷..doc

第10章 电子电路中常用的元件 习题参考答案 一、填空题： 1. PN结的单向导电性指的是 PN结正向偏置时导通，反向偏置时阻断的特性 。 2. 硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时，其发射结电压UBE分别为 0.7 V和 0.3 V。 3. 晶体三极管有两个PN结，分别是 发射结 和 集电结 ，分三个区域 饱和 区、 放大 区和 截止 区。晶体管的三种工作状态是 放大状态 、 饱和状态 和 截止状态 。 4. 一个NPN三极管发射结和集电结都处于正偏，则此三极管处于 饱和 状态；其发射结和集电结都处于反偏时，此三极管处于 截止 状态；当发射结正偏、集电结反偏时，三极管为 放大 状态。 5. 物质按导电能力强弱可分为 导体 、 绝缘体 和 半导体 。 6. 本征半导体掺入微量的三价元素形成的是 P 型半导体，其多子为 空穴 。 7. 某晶体三极管三个电极的电位分别是：V1＝2V，V2＝1.7V，V3＝－2.5V，可判断该三极管管脚“1”为 发射 极，管脚“2”为 基 极，管脚“3”为 集电 极，且属于 锗 材料 PNP 型三极管。 8. 稳压管是一种特殊物质制造的 面 接触型 硅 二极管，工作在特性曲线的反向击穿 区。 二、判断题： 1.在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。 （ 对 ） 2. 二极管两端加上正向电压就一定会导通。 （ 错 ） 3. 用万用表测试晶体管好坏时，应选择欧姆档中比较大的量程。 （ 错 ） 4. PNP管放大电路中，UCC的极性为负，说明发射结反偏，集电结正偏。 （ 错 ） 5. 晶体管可以把小电流放大成大电流。 （ 对 ） 6. 晶体管可以把小电压放大成大电压。 （ 错 ） 7. 晶体管可用较小电流控制较大电流。 （ 对 ） 8. 如果晶体管的集电极电流大于它的最大允许电流ICM，则该管被击穿。 （ 错 ） 9. 二极管若工作在反向击穿区，一定会被击穿。 （ 错 ） 三、选择题： 1. 处于截止状态的三极管，其工作状态为（ B ）。 A、发射结正偏，集电结反偏； B、发射结反偏，集电结反偏； C、发射结正偏，集电结正偏； D、发射结反偏，集电结正偏。 2. P型半导体是在本征半导体中加入微量的（ A ）元素构成的。 A、三价； B、四价； C、五价； D、六价。 3. 稳压二极管的正常工作状态是（ C ）。 A、导通状态； B、截止状态； C、反向击穿状态； D、任意状态。 4. 用万用表直流电压挡测得晶体管三个管脚的对地电压分别是V1＝2V，V2＝6V，V3＝2.7V，由此可判断该晶体管的管型和三个管脚依次为（ B ）。 A、PNP管，CBE； B、NPN管，ECB； C、NPN管，CBE； D、PNP管，EBC。 5. 用万用表R×1K的电阻挡检测某一个二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ,这说明该二极管是属于（ D ）。 A、短路状态； B、完好状态； C、极性搞错； D、断路状态。 6. 测得某电路板上晶体三极管3个电极对地的直流电位分别为VE＝3V，VB＝3.7V，VC＝3.3V，则该管工作在（ B ）。 A、放大区； B、饱和区； C、截止区； D、击穿区。 7. PN结加正向电压时，其正向电流是（ A ）。 A、多子扩散而成； B、少子扩散而成； C、少子漂移而成； D、多子漂移而成。 8. 三极管组成的放大电路在工作时，测得三极管上各电极对地直流电位分别为VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，则此三极管已处于（ A ）。 A、放大区； B、饱和区； C、截止区； D、击穿区。 四、计算题 1. 计算图7.1所示电路的电位UY（设D为理想二极管）。 （1）UA＝UB＝0时； （2）UA＝E，UB＝0时； （3）UA＝UB＝E时。 解：此题所考查的是电位的概念以及二极管应用的有关知识。从图中可以看出A、B两点电位的相对高低影响了DA和DB两个二极管的导通与关断。 当A、B两点的电位同时为0时，DA和DB两个二极管的阳极和阴极（UY）两端电位同时为0，因此均不能导通；当UA＝E，UB＝0时，DA的阳极电位为E，阴极电位为0（接地），根据二极管的导通条件，DA此时承受正压而导通，一旦DA导通，则UY＞0，从而使DB承受反压（UB＝0）而截止；当UA＝UB＝E时，即D