晶振不起振的原因.doc

晶振不起振的原因 一，晶振失振的缘由； 1.在检漏工序中，就是在酒精加压的环境下，晶体容易产生碰壳现象，即振动时芯片跟外壳容易相碰，从而晶体容易发生时振时不振或停振； 2. 在压封时，晶体内部要求抽真空充氮气，如果发生压封不良，即晶体的密封性不好时，在酒精加压的条件下，其表现为漏气，称之为双漏，也会导致停振； 3. 由于芯片本身的厚度很薄当激励功率过大时，会使内部石英芯片破损，导致停振 4. 有功负载会降低Q值（即品质因素），从而使晶体的稳定性下降，容易受周边有源组件影响，处于不稳定状态，出现时振时不振现象 5. 由于晶体在剪脚和焊锡的时候容易产生机械应力和热应力，而焊锡温度过高和作用时间太长都会影响到晶体，容易导致晶体处于临界状态，以至出现时振时不振现象，甚至停振 6.在焊锡时当锡丝透过线路板上小孔渗过，导致引脚跟外壳连接在一块，或是晶体在制造过程中，基座上引脚的锡点和外壳相连接发生单漏，都会造成短路，从而引起停振 7.当晶体频率发生频率漂移，且超出晶体频率偏差范围过多时，以至于捕捉不到晶体的中心频率，从而导致芯片不起振 9， PCB板布线错误； 10， 单片机质量有问题； 11, 晶振质量有问题； 12，负载电容或匹配电容与晶振不匹配或者电容质量有问题； 13. PCB板受潮，导致阻抗失配而不能起振； 14.晶振电路的走线过长； 15.晶振两脚之间有走线； 16.外围电路的影响。 二，解决方案，建议按如下方法逐个排除故障； (1) 排除电路错误的可能性，因此你可以用相应型号单片机的推荐电路进行比较。 (2) 排除外围元件不良的可能性，因为外围零件无非为电阻，电容，你很容易鉴别是否为良品。 (3) 排除晶振为停振品的可能性，因为你不会只试了一二个晶振。 (4) 试着改换晶体两端的电容，也许晶振就能起振了，电容的大小请参考晶振的使用说明。 (5) 在PCB布线时晶振电路的走线应尽量短且尽可能靠近IC，杜绝在晶振两脚间走线。 三， 有关晶振不起振问题的讨论； 现在我们的问题是晶振与串联接地的晶振不匹配的原因。单片机的功率决定了晶振的功率P1而电容的大小又取材于单片机的单片机功率。选择合适又要于晶振比较匹配才是合适的。这里请注意P1于电容的匹配符合于p1=c1*c2/c1+c2+p2【这里的 P2是一般是3~5p的一个值】选择的电容的值越大单片机的耗电能力也就越强。而且易造成不起振的情况。 当出现双漏现象时，也会导致晶振不起振。这时就需要我们在此环节中找出漏洞，并予以弥补。双漏现象时出现在压封工序中。所谓的压封工序，就是指将已经调整好的谐振器在氮气的保护下和外壳封装在一起，用来稳定石英晶体谐振器的电器的性能。在压封工序过程中，应该保证送料仓库、压封的仓和出料的仓干净，压封仓要连续不断地冲入氮气，并且在压封的过程中，应该注意焊头磨损的情况以及模具的位置情况，电压、气压和氮气流量是否正常的情况，如果出现不正常的情况，需要及时处理。它的质量标准就是：无伤痕、毛刺、顶坑、弯腿、压印对称不可歪斜。  我们都知道石英晶振它是被动的一种组件，主要是由IC提供一定的激励功率才会正常工作的。所以呢，这个激励功率是分厂重要的一部分。激励功率太低了，晶振就不容易产生信号，也就不容易起振。但是激励功率太高的话，就会形成过激励，这样容易造成石英芯片的破损，从而产生停振的现象。所以，一定要提供适当的激励功率。另外，有些情况下，有功负载也会消耗一定的功率，这样就会降低陶瓷晶振的Q值，从而会使晶体的稳定性产生下降，导致晶体容易遭到周边有源组件的影响，长期处于一种不稳定的状态，这样就会出现我们常见的时振时不振的现象。所以呢，在外部加有功负载时，应该匹配一个比较合适的有功负载。  为了能更好的防止焊锡时出现的单漏现象，建议在晶体下面加上一个绝缘垫片。这样既能控制好剪脚和焊锡工序过程中发生的一些故障，也能保证基座的绝缘性能和引脚的质量问题。使引脚镀层光亮均匀无麻面，无变形、裂痕、变色、划伤、污迹以及镀层剥落。  当遇到晶振发生频率漂移并且晶体频率偏差范围过多时 就应该检查是否有匹配的合适的负载电容，这时可以通过调节晶振的负载电容来解决晶振不起振的问题。 在日常生活中，我们有很多地方都是要用到晶振的，但当晶振停振的时候，我们能解决吗？能有自己的方式去操作吗？ 有许多工程师在遇到，晶振在电路板，一会儿起振，一会儿不起振，或用电吹风吹一下又可以正常工作等问题。 如果遇到这种问题，首先要检测晶振的频率参数和晶振的电阻是不是在要求的范围内，如果是在要求的范围内;其次要检查晶振的焊接温度会不会高，造成晶振的第二次损坏，一般要求焊接的温度是在25