专利少模面发射激光器2修改版..doc

发明名称 少模面发射激光器 摘要 权利要求书 1、一种少模面发射激光器结构，其特征在于，其中包括： 一衬底，该衬底用于在其上生长激光器各外延层材料； 一n型分布布拉格反射器（DBR），该n型DBR制作在衬底上； 一n型限制层，该n型限制层制作在n型DBR上； 一有源层，该有源层制作在n型限制层上； 一p型限制层，该p型限制层制作在有源区上； 一p型DBR，该p型DBR制作在p型限制层上； 一离子注入区，该离子注入区注入在p型DBR以及p型限制层特定的区域中，并与有源区保持一定的距离，对注入载流子进行限制作用； 一p面电极，该p面电极制作在p型DBR上，包含三个透明电极，不同电极用来调制不同的横模模式； 一n面电极，该n面电极制作在衬底的下面。 根据权利要求1所述的少模面发射激光器结构，其特征在于，衬底材料一般为GaAs材料。 3、根据权利要求1所述的少模面发射激光器结构，其特征在于，DBR的材料一般为重复交替生长的GaAs/AlGaAs材料。 4、根据权利要求3所述的少模面发射激光器结构，其特征在于，所述的DBR为重复交替地堆叠的具有不同折射率的两种半导体层，每个半导体层的光学厚度为该激光器发射波长的四分之一。 5、根据权利要求1所述的少模面发射激光器结构，其特征在于，每个DBR一般包含20—40对不掺杂的GaAs/AlGaAs半导体层。 6、根据权利要求1所述的少模面发射激光器结构，其特征在于，根据有源区材料的不同，势垒限制层可选择的材料有：AlGaAs材料，InAlAs材料，InGaAsP材料等。 7、根据权利要求1所述的少模面发射激光器结构，其特征在于，两势垒限制层具有较大的厚度，能够将载流子限制在量子阱中。 8、根据权利要求1所述的少模面发射激光器结构，其特征在于，所述的面发射激光器根据激光波长的不同有源区可选择的材料有：InGaAlAs材料，InGaAsP材料或AlGaAs材料等。 9、根据权利要求8所述的少模面发射激光器结构，其特征在于，有源区包括：多层重复交替生长的有源区材料构成多对量子阱。 10、根据权利要求1所述的少模面发射激光器，其特征在于，顶部具有三个电极，其位置分别对应激光器有源区的三个不同横模模式，不同电极注入载流子到有源区相应的横模模式处，实现不同电极对不同模式的调制作用。 11、根据权利要求10所述的少模面发射激光器，其特征在于，三个电极分别调制面发射激光器的横模LP01模以及两个简并的LP11模。 12、根据权利要求10所述的少模面发射激光器，其特征在于，顶部的三个电极为透明电极，能够使不同模式的激光顺利射出。 13、根据权利要求1所述的少模面发射激光器，其特征在于，通过离子注入技术将离子注入到特定的区域，使该区域成为高阻区域，那么由于在某一区域的载流子不能通过高阻区域到达其他区域，从而流入有源区特定的区域。 14、根据权利要求13所述的少模面发射激光器，其特征在于，不同电极注入的载流子被离子注入区隔离，从而流入对应的有源区横模模式处，实现不同电极对激光器不同横模模式的分别调制。 15、根据权利要求13所述的少模面发射激光器结构，其特征在于，离子注入可选择的离子包括：H离子，O离子，He离子等。 16、根据权利要求1所述的少模面发射激光器结构，其特征在于，上下DBR中心波长、有源区激射波长以及光学腔长三者统一。 17、根据权利要求1所述的少模面发射激光器结构，其特征在于，根据少模光纤或多芯少模光纤，设计和制作与之耦合的少模面发射激光器或少模面发射激光器阵列，应用于多维复用通信系统中，提高通信系统传输容量。 18、根据权利要求17所述的少模面发射激光器结构，其特征在于，针对通信系统所需的1.55μm波长的激光，可采用键合技术将InP基有源区谐振器与GaAs基DBR键合在一起，实现该波长激光的激射。 19、根据权利要求1所述的少模面发射激光器结构，其特征在于，所需的少模面发射激光器的横模模式不同，电极的个数，位置等不同；相应的离子注入限制区不同。 20、根据权利要求17所述的少模面发射激光器结构，其特征在于，需耦合的多芯少模光纤不同，少模面发射激光器阵列中激光器的位置，个数等不同。 说明书 少模面发射激光器 技术领域 本发明涉及半导体激光器技术领域，特别是涉及少模面发射激光器。 背景技术 在即将到来的信息时代中，集成电路特征尺寸按比例缩小产生了很大的困难。在电互联发展遇到瓶颈的情况下，光互连一直是研究的热点。而低成本、高性能的光源在系统中的地位越来越突出并且愈加受到重视。面发射激光器作为半导体激光技术中的新型器件，相比较其他类型的激光器，主要优势有：（1）面发射激光器的输出孔径比其他类