(精)微电子工艺作图2010-new2——必威体育精装版.ppt

PMOS-1 P+（100）衬底 n阱形成 多晶硅淀积 n阱形成，大能量P离子注入，RTP退火 P-外延层 P+（100）衬底 P-外延层 超薄栅氧生长，干氧 P+（100）衬底 P-外延层 LPCVD多晶硅淀积 n阱 P+（100）衬底 P-外延层 n阱 PMOS-2 显影 去胶 第一次光刻（正胶） P+（100）衬底 P-外延层 n阱 显影 P+（100）衬底 P-外延层 n阱 第一次干法刻蚀（多晶硅） P+（100）衬底 P-外延层 n阱 去除光刻胶 P+（100）衬底 P-外延层 n阱 PMOS-3 CVD SiO2淀积 侧墙形成 LDD低能注入（注B，低能，低剂量） P+（100）衬底 P-外延层 n阱 CVD SiO2淀积 P+（100）衬底 P-外延层 n阱 反刻（注意：不用光刻掩膜） P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+（100）衬底 P-外延层 n阱 侧墙形成 PMOS-4 退火 自对准工艺 源漏注入工艺，中等能量B离子注入 P+（100）衬底 P-外延层 n阱 退火 P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ 低温RTP，Ti湿法化学腐蚀，高温RTP Ti PVD淀积 P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ PMOS-5 Al互连 涂胶 显影 SiO2 CVD淀积，CMP P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ 涂光刻胶 P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ 第二次光刻（正胶） P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ 显影 P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ PMOS-6 Al互连 去胶 CMP 第二次干法刻蚀 P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ 去除光刻胶 P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ 淀积金属Ti，TiN以及W P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ CMP P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ PMOS-7 Al互连 涂胶 显影 淀积金属Al P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ 涂光刻胶 P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ 第三次光刻（正胶） P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ 显影 P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ PMOS-8 Al互连 去胶，烧结 第三次干法刻蚀 P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ 去胶，烧结 P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ PMOS-5 Cu互连 Si3N4生长 显影 SiO2 CVD淀积，CMP P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ 薄层Si3N4生长 P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ 第二次光刻（正胶） P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ 显影 P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ PMOS-6 Cu互连 去胶 涂胶 第二次干法刻蚀 P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ 去除光刻胶 P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ SiO2 CVD淀积，CMP P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ 涂光刻胶 P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ PMOS-7 Cu互连 显影 去胶 第三次光刻（负胶） P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ 显影 P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ 第三次干法刻蚀 P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ 去除光刻胶 PMOS-8 Cu互连 CMP P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ 淀积阻挡层金属，Cu种子层以及电镀Cu P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ CMP，烧结 作图要求 1、PN结 2、同质结/异质结双极性晶体管 3、CMOS/MOS晶体管 双极工艺举例 双极工艺举例 双极工艺举例 双极工艺举例 双极工艺（NPN）-1 双极工艺（NPN）-2 双极工艺（NPN）-3 双极工艺（NPN）-4 双极工艺（NPN）-5 双极工艺（NPN）-6 双极工艺（NPN）-7 PN结A-1 P（100）衬底 P（100）衬底 B离子注入 涂胶（正胶） 第一次光刻 光刻、显影 P（100）衬底 P（100）衬底 第一次离子注入 PN结A-2 第二次离子注入 P离子注入 第一次干法刻蚀 去胶、高温RTP退火 P（100）衬底 P（100）衬底 P（100）衬底 N+区 P+区 SiO2淀积、CMP P（100）衬底 N+区 P+区 SiO2淀积、CMP 涂胶（正胶） P（100）衬底 N+区