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毕业设计论文-利德光电项目立项备案报告.docVIP

毕业设计论文-利德光电项目立项备案报告.doc

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毕业设计论文-利德光电项目立项备案报告

LED产品封装生产线项目 备 案 报 告 一、总述 (一)项目概况 1、项目名称:LED产品封装生产线项目 2、项目规模:总投资7200万元 3、项目建设单位:安徽广德县利德光电有限公司 4、项目(公司)法人代表:xxx 5、项目选址:广德县经济开发区 6、项目建成时间:2年 7、建设性质:新建 8、项目主要生产经营范围:LED研发、产品封装和销售。 (二)项目提出的背景 ?LED产业是国家重点扶持高科技产业,符合国家产业政策发展方向,是当前推行“环境友好型、资源节约型”社会体制的重点产品,是国家半导体照明工程的主要发展方向。该产业在未来十年内将会保持每年30%以上的增长,在未来三十年将不会有替代产品出现。本公司封装产品将涵盖LED显示屏、半导体照明、显示背光源、汽车照明、景观照明、居室照明等诸多新兴领域。在安徽广德县经济开发区投资兴建的LED产品封装生产线项目位于开发区“LED光电产业园”规划区域内。LED光电产业园目前占地面积110亩,其中:安徽广德县利德照明有限公司LED装饰照明生产项目30亩;安徽广申线缆科技有限公司LED线缆生产项目20亩;安徽广德县利德光电有限公司LED产品封装生产线项目60亩。 安徽广德县经济开发区位于广德县城东郊,创建于2002年7月,2006年2月被批准为省级开发区,2006年10月在“长三角投资发展论坛”上被评为“长三角最具投资价值开发区”。 开发区面积43平方公里,已开发9.5平方公里,区内辟有高新技术、外贸加工、仓储物流、机械电子、服装纺织、商贸服务等特色功能区。 开发区举全县之力,先后投入基础设施建设资金近10亿元,初步拉开了“九纵九横”路网框架,供排水、通讯光缆等实行地下铺设,9.5平方公里基本实现了“七通一平”,开发区基础设施日益完善。 截至目前,数百个项目入园建设、相继投产经营,初步形成了新型材料、高档家具、机械电子、服装纺织箱包、精细化工、竹木加工、农副产品深加工等七大特色产业群。 为促进开发区LED产业快速集聚,形成特色竞争优势,开发区规划建设了“LED光电产业园”,区内现已聚集了LED产品研发、LED固态普通照明元器件制造等高科技生产企业。开发区拟依托现有企业优势,建设LED产品封装生产线项目,与LED产品研发、LED固态普通照明元器件制造企业配套生产。因此,做大做强LED产业生产基地,扩大LED产业集群,延伸LED产业链,已势在必行。 开发区优越的投资环境,为LED产品封装项目建设提供了坚实的基础。安徽广德县利德光电有限公司将以LED产业化为目标,针对功率型发光二极管的封装特点,建设LED封装生产线项目。 (三)项目编制的依据 1、《国家产业结构调整指导目录》 2、《当前优先发展的高技术产业化重点领域指南》 3、《国家“十一五”城市绿色照明工程规划纲要》 4、《安徽省产业结构调整指导目录?》 5、《安徽沿江城市群“十一五”经济社会发展规划纲要》 6、《安徽省皖江城市带承接产业转移示范区规划》 7、《广德县国民经济和社会发展十一五规划纲要》 8、《广德县产业发展指导目录(2007)》 9、《广德县关于加快电子元器件产业发展的意见》 10、项目承办单位提供的相关资料 (四)项目建设的必要性和可行性 目前国际上普遍的看法是,光电子技术是21 世纪的尖端科技。如果将21 世纪具有代表意义的主导产业排序,第一是光电子产业,第二是信息通信产业,第三是健康和福利产业。到2005 年,光电子产业的产值将达到电子产业产值水平;到2010 年,以光电子信息技术为主导的信息产业将形成5 万亿美元的产业规模;2010 年至2015 年,光电子产业可能会取代传统电子产业,成为21 世纪最大的产业,并成为衡量一个国家经济发展和综合国力的重要标志。而 LED 正是光电子产业中最重要的光电子材料和组件,是整个光电子产业的基础。目前最活跃的光电子产业中,例如光通信向超大容量、高速率和全光网方向发展,超大容量DWDM 的全光网络将成为主要的发展趋势;光显示向真彩色、高分辨率、高清晰度、大屏幕和平面化方向发展;光存储将更多地采用新技术和新材料,开发出新一代高密度、高速光存储技术和系统;光输出入产品向多功能、高速化、低成本方向发展;光器件的发展趋势是小型化、高可*性、多功能、模块化和集成化;激光技术向全固化、超短波长、微加工和高可*性等方向发展,激光技术与其它学科的融合以及应用领域范围不断扩大;光子计算与光信息处理产业、全光电子通信产业、光子集成器件产业、聚合物光纤光缆产业、聚合物光电器件产业和光子传感器产业等等,无不是以LED 为代表的光电子材料和组件为基础。半导体照明产业关系重大,其发展成败不仅关系到照明领域在未来发展中的节能降耗问题,更重要的体现在我国整个第三代宽禁带半导体技术发展的发展上。从200

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