TLP250中文资料-datasheet..docx

东芝光电耦合器 砷化镓铝集成红外光电二极管TLP250(INV)晶体反相器栅极驱动IGBT调节器大功率MOSFET栅极驱动东芝TLP250(发票)由GaAlAs发光二极管和集成的光电探测器..本芯片是8脚DIP封装TLP250(INV) 适用于栅极驱动的IGBT管和大功率MOSFET管输入阈值电流: IF=5mA(最大)电源电流(ICC): 11mA(最大)电源电压(VCC): 10~35V输出电流(IO): ±2.0A(最大)开关转换时间(tpLH/tpHL) : 0.5μs(最大)隔离电压: 2500VrmsUL 认证: UL1577,E67349号文件期权(D4)VDE 核准 : 德标 VDE0884/06.92 76823号证书 最大绝缘工作电压 : 630VPK允许的最高过电压: 4000VPK(注):当需要一个VDE0884认可类型, 请指定命名为 “期权(D4)”爬电距离: 6.4mm(最小) 空隙: 6.4mm(最小)单位 mm东芝11?10C4重: 0.54 gTRUTH TABLE记录 1记录 2输入 LED开开关关关开管脚排列(俯视图)1:空置.１８２７３６４５2: 正极3:负极4:空置.5:地6: 电压输出7:电压输出8:电源SCHEMATIC IF2 +VFICC（Tr1）VCC 8VO７3 -VO一个0.1uF的旁路电容应该和8脚和5脚连接起来（见注释5）IO（Tr２）65 GND.极限工作范围 (工作温度=25°C时)典型参数符号极限值单位LED正向电流IF20mA正向电流变化率 (工作温度≥70℃)?IF /?Ta?0.36mA /°C浪涌电流(注释1)IFPT1A反向电压VR5V节点温度Tj125°C探测器“H” 峰值输出电流脉冲宽度 ≤2.5μs , 频率≤15 kHz(注释2)IOPH?1.5A脉冲宽度≤1.0μs , 频率≤15 kHz?2.0“L” 峰值输出电流脉冲宽度≤2.5μs , 频率≤15 kHzIOPL+1.5A脉冲宽度 ≤1.0μs , 频率≤15 kHz+2.0输出电压(工作温度≤70°C)VO35V(工作温度=85°C)24供电电压(工作温度≤70°C)VCC35V(工作温度=85°C)24输出电压变化率(工作温度≥70°C)?VO /?Ta?0.73V /°C供电电压变化率(工作温度≥70°C)?VCC /?Ta?0.73V /°C节点温度Tj125°C工作频率（注释3)f25kHz工作温度范围Topr?20~85°C存储温度范围Tstg?55~125°C引脚焊接温度(10s)Tsol260°C隔离电压 (交流,1分钟., 相对湿度 ≤60%,工作温度=25°C)(注释4)BVS2500V（有效值）(注释1) : 脉宽≤1μs,300pps (Note 2) : 浪涌(注释3) : 浪涌波形 IOPH≤?1.0A (≤2.5μs) , IOPL≤+1.0A (≤2.5μs)(注释 4) : 双端驱动 : 1,2,3 ,4 脚短接 ；5,6,7 ,8 脚短接.(注释5): 用一个0.1μF陶瓷电容应该连接在8脚和5脚之间来获得稳定的放大增益。. 错误的走线（绕线）可能会 削弱开关的性能。电容和耦合器之间的总长度不能超过 1cm。建议工作条件典型参数符号最小值典型值.最大值单位开关打开时的输入电流IF (ON)7810mA开关关断时的输入电压VF (OFF)0—0.8V供给电压VCC15—3020V峰值输出电流IOPH / IOPL——±0.5A工作温度ToprC电特性 (工作温度 = ?20~70°C,除另有规定外)典型参数符号测试回路测试条件最小值典型值.最大值单位正向输入电压VF—IF = 10 mA, Ta = 25°C—1.61.8V正向电压下的温度系数?V /?Ta—I = 10 mA—?2.0—mV /°C反相输入电流IR—VR = 5 V, Ta = 25°C——10μA输入电容CT—V = 0, f = 1 MHz, Ta = 25°C—45250pF输出电流“高” 电平IOPH2VCC = 30 V (*1)IF = 10 mA V8?6 = 4 V?1.0?1.5—A“低” 电平lIOPL1IF = 0V6?5 = 2.5 V1.02—输出电压“高” 电平VOH3VCC1 = +15 V VEE1 = ?15 VRL = 200?, IF = 5 mA1112.8—V“低” 电平VOL4VCC1 = +15 V VEE1 = ?15 VRL = 200?, VF = 0.8 V—?14.2?12.5供给电流“高”电平ICCH—VCC = 30 VIF = 10 mA Ta = 25°C—7—mAIF = 10 mA——1