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* RΔR 而 B极上宽度为dr,长度为2πr 的环形窄带与A极初始位置电容量: ∵ [0,b]上积分 求解CA 图中点划线为挠曲平面,其宽度为dr’,长度为2πr’的环形窄带与动膜片初始位置间电容量为 膜片挠度 (变形量) 积分[0,b] 位移 电容 转换 4.4.2 电容式压力(差压)变送器 精度可达±0.075%。 可测压力、差压、绝对压力、带开方器的差压(流量测量)以及高差压、微差压、高静压。 灵敏度高:利于微压测量。 ΔC/C相对变化量大:30~50%?输出信号大、抗干扰能力强。 环境适应性强,工作稳定性优良。 抗过载能力强,过载消除后可恢复正常工作。 特点:优点 安装方位有影响; 存在分布电容的影响; 测量膜片工作特性存在非线性。 制造难度大:(微位移:0.1mm),加工精度要求高。 开环?误差按1:1传递。膜片微小蠕变、测量电路误差?影响整机性能。 特点:缺点 陶瓷电容压力传感器(变送器) 传感器基底和膜片都采用陶瓷,衬底和膜片电极构成电容,中间无传递液,压力直接作用在陶瓷膜片上。其优点是安装位置无影响,无污染,抗腐蚀性好、温漂小、过载能力强,可测量低微压力;缺点差压传感器制作困难。 硅电容压力传感器(变送器) 对称的差动电容被刻蚀到单晶硅片上,压力使硅片弯曲,电容器两极间的距离发生了改变,传感器的电容值相应的也变了。这种传感器兼有电容式和硅传感器的优点,国内外都是研究热点,并有相关产品,如富士、沈阳传感器研究所等都在研究生产,具有很大发展前景。 张治国 等,硅电容压力传感器敏感器件的研究,微纳电子技术,2004(11):39~42 线圈中的电感为: 总磁阻为: 4.4.3 电感式压力(差压)变送器 (1)工作原理 N:线圈匝数; RM磁路中的总磁阻,1/H 4.4.3 电感式压力(差压)变送器 (1)工作原理 初始电感 当衔铁上移Δδ时: 同理衔铁下移Δδ时: 4.4.3 电感式压力(差压)变送器 (1)工作原理 当衔铁上移Δδ时,L1的气隙减小: L2的气隙增加Δδ: 差动式结构: 非线性降低 灵敏度提高1倍 ①K系列压力变送器结构 测量膜片 隔离膜片 引压接口 固定电极及电感线圈 灌充液 (硅油、氟油) 可动衔铁 外壳 变气隙型差动式自感传感器 (2) 结构 ABB 型号264ds 精度:0.075%; 范围:0.05~16000kPa; 最大工作压力:210bar; 通讯协议:HART 4~20mA 现场总线; 4.4.3 电感式压力(差压)变送器 4.4.4 振弦式压力(差压)变送器 振弦的固有频率f0 l:振弦的有效长度,m; ρ:振弦的线密度 (单位长度的质量),kg; T:作用在可动部件上的张力。 4.4.4 振弦式压力(差压)变送器 1—振弦;2—金属管;3—磁铁;4—绝缘垫;5—夹紧装置;6—初始张力弹簧;7—垫圈;8—过载弹簧;9—液体通道;10—基座法兰;11—高压侧膜片;12—低压侧膜片;13—本体;14—法兰垫圈;15—引线 (至振荡器) 4.4.4 振弦式压力(差压)变送器 精度:0.05% 4~20mA HART 现场总线; 测量范围宽,高压达数百公斤,低压至十几毫米水柱 可动部件少,过载压力保护简单 EJA硅谐振压力变送器 EJA(川仪横河)硅谐振压力变送器 采用微电子加工技术(MEMS)在一个单晶硅芯片表面的中心和边缘制作两个形状、尺寸、材质完全一致的H形状的谐振梁,谐振梁在自激振荡回路中作高频振荡。单晶硅片的上下表面受到的压力不等时,将产生形变,导致中心谐振梁因压缩力而频率减小,边缘谐振因受拉伸力而频率增加。 4.5 压力表的选择、校验和安装 4.5.1 压力表的选择 4.5.2 压力表的校验 A、m0:活塞截面积、质量; m:砝码的质量; p:被测压力。 b阀处可接标准压力表。 活塞式压力计 4.5 压力表的选择、校验和安装 4.5.3 压力表的安装 (1)取压口的选择原则: ① 取压口要选在被测介质直线流动的管段部分,不要选在管道弯曲、分叉及流束形成涡流的地方。 ② 当管道中有突出物(如温度计套管)时,取压口应在突出物的上游方向一侧。 ③ 取压口处在管道阀门、挡板之前或之后时,其与阀门、挡板的距离应大于2D及3D(D为管道内径)。 压力表的安装 *
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