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第一个月份设备部学习报告
组别名称:MetX 组
报 告 人: 阳 恒
工 号:
完成时间:
目 录
第一章 公司电池片各站制造工艺基本流程概述 ...........4
1.1Intex工艺基本流程概述 5
1.1.1 各种化学药品的基本作用 7
1.2Diffusion工艺基本流程概述 11
1.2.1 各种化学药品的基本作用 13
第二章 METX设备基本流程及操作面板概述 17
2.1 METX设备备各部件描述及作用
2. 2 MetX操作面板基本概述及各键作用概述 25
第三章 MetX 网板及刮刀调整步骤及描述 50
3.1 网板及刮刀安装步骤概述 50
3.2 Snapoff/Floodingbar/Beforeland参数调整概述 52
第四章 学习心得……………………………………………………………………53
第一章 公司电池片各站制造工艺基本流程概述
RENA InTex工艺基本流程概述及药品的基本作用
(一)蚀刻制绒的目的: 去除切割损伤层和形成粗糙的吸光表面.
(二)RENA InTex工艺基本流程:
开门 wafer放入片盒
Lane5
(三)化学药品的基本作用:
绒面蚀刻原理:
1.单晶硅碱溶液蚀刻 Si+2NaOH+H2O →Na2SiO3+2H2 ↑
流程为: KOH(NaOH)+IPA etch(60-90 ℃)àDIW(去离子水)洗净àHF去除氧
化层à热DIW洗净à热风吹干
多晶硅酸溶液蚀刻 Si+HNO3+HFàH2SiF6+HNO2+H2O+H2 ↑
流程为: HNO3+HF+(CH3COOH) etch(5-20 ℃)àKOH中和àDIW(去离子水)洗
净àHCl去除金属离子àDIW洗净à热风吹干
二,2Diffusion工艺基本流程概述及药品的基本作用
扩散制程目的:形成PN结.
(二)Diffusion工艺基本流程
4个 炉管(加温800℃设定821〈30m 15sml)
4个炉管 (至810℃5m N2 10sml)
硅片 石英晶舟
炉管(850℃10sml N2) 炉管(850℃稳定1分钟)
炉管(N 2+POCL31.4sml 8m 8smlN2 0.35smlO2) P和SiO2
炉管(850℃ 9smLN2 1smLO2 5m) P驱入硅片
炉管(降温至830℃30smlN2) unload boat 700℃
(二) 化学药品的基本作用:
预沉积 4POCl3+3O2à2P2O5+6Cl2(800-900 ℃)
磷驱入 2P2O5+5Sià4P+5SiO2(850-950 ℃)
第二章 设备基本流程及操作面板概述
2.1 METX设备基本流程概述
设备各部件描述及作用
1,名称:robot ,机械手
2,作用:抓取前一个位置上的wafer,放到下个位置
名称:真空sensor
作用:在不同的位置有不同的作用,在这是检测PP上的工作状态,PP上有wafer时红灯黄亮。
调整方法:现将检测真空器产生真空并吸住wafer,按压调整按钮一下(10秒),带指示灯红绿交替时,在红灯亮时按下按钮,选择红灯亮,此时红灯一闪一闪时,再按住按钮,直到sensor指示灯不亮。即完成调整。
名称:超声波反射开关sensor( SICK UC4型)
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