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模拟电子线路随堂练习第一章半导体器件作业1-1一、习题（满分100分）1.N型半导体带负电，P型半导体带正电。（）2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。（）3.PN结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。（）4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。（）5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。（）6.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。（）7.晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。（）8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。（）9.晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。（）10.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。（）11.温度升高后，在纯净的半导体中（）。A.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同B.空穴增多，自由电子数目不变C.自由电子增多，空穴不变D.自由电子和空穴数目都不变12.如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）。A.阻当层不变，反向电流基本不变 B.阻当层变厚，反向电流基本不变C.阻当层变窄，反向电流增大 D.阻当层变厚，反向电流减小作业1-2一、习题（满分100分）1.N型半导体（）。A.带正电B.带负电Ｃ.呈中性Ｄ.不确定2.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（）。A.正常B.断路Ｃ.被击穿Ｄ.短路3.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）。A.正向偏置时导通，反向偏置时截止 B.反向偏置时无电流流过二极管C.反向击穿后立即烧毁 D.导通时可等效为一线性电阻4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为（）。A.0.03mA 流出三极管 e、c、b B.0.03mA 流进三极管 e、c、bC.0.03mA 流出三极管 c、e、bD.0.03mA 流进三极管 c、e、b5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）。A.饱和状态 B.放大状态C.倒置状态Ｄ.截止状态6.PNP型晶体管工作在放大状态，三个极电位的关系是（）。A.VCVBVE B. VC VE VBＣ.VE VB VCＤ.VE VCVB7.PNP型硅管工作在放大状态，各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。A.发射极、基极、集电极B.集电极、基极、发射极C.集电极、发射极、基极D.基极、集电极、发射极8.测得三极管ib=30μA时ic=2.4mA，而ib=40μA时ic=3mA，则该管的交流电流放大系数β为（）。A.60 B.75 C.80Ｄ.1009.NPN型硅管各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。A.基极、集电极、发射极B.发射极、基极、集电极C.集电极、发射极、基极 D.集电极、基极、发射极10.三极管输出特性曲线可分为三个区，下列不属于工作区的是（）。A.截止区B.放大区C.饱和区Ｄ.击穿区11.在放大电压信号时，通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为（ ）A.输入电阻小，输出电阻大 B.输入电阻小，输出电阻小C.输入电阻大，输出电阻小 D.输入电阻大，输出电阻大作业1-3一、习题（满分100分）1.以下属于半导体的是（）。A.锗B.塑料Ｃ.铜Ｄ.云母2.P型半导体中的多数载流子是（）。A.负电荷 B.自由电子Ｃ.正电荷Ｄ.空穴3.将PN结P区接电源负极，N区接电源正极，此时PN结处于（）偏置。A.正向 B. 双向Ｃ.单向Ｄ.反向4.将PN结两端加反向电压时，在PN结内参与导电的是（）。A.空穴 B.自由电子Ｃ.自由电荷Ｄ.空穴和自由电子5.由理想二极管组成的电路如图所示，其A、B两端的电压为（）。A.+6V B.-6VＣ. -18VＤ.+18V6.在半导体材料中，其说法正确的是（）。A.P型半导体和N型半导体材料本身不带电B.P型半导体中，由于多数载流子为空穴，所以它带正电C.N型半导体中，由于多数载流子为自由电子，所以它带负电D.N型半导体中，由于多数载流子为空穴，所以它带负电7.如果二极管的反向电阻都很小或者为零，则该二极管（）。A.正常 B. 短路Ｃ.断路Ｄ.被击穿8.实现晶体三极管截止的条件是（）。A.发射结正偏，集电结反偏 B.发射结，集电结均正偏C.发射极，集电结均反偏 D.发射结反偏，集电结正偏9.满足△IC=β△IB的关系时，三极管一定工作在（）。A.截止区 B. 放大区Ｃ.饱和区Ｄ.以上都可以