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晶体结构 晶格 §1 晶格相关的基本概念 晶体：原子周期排列，有周期性的物质。 晶体结构：原子排列的具体形式。 晶格：典型单元重复排列构成晶格。 晶胞：重复性的周期单元。 晶体学晶胞：反映晶格对称性质的最小单元。 晶格常数：晶体学晶胞各个边的实际长度。 简单晶格复式晶格：原胞中包含一个原子的为简单晶格，两个或者两个以上的称为复式晶格。 布拉伐格子：体现晶体周期性的格子称为布拉伐格子。（布拉伐格子的每个格点对应一个原胞，简单晶格的晶格本身和布拉伐格子完全相同；复式晶格每种等价原子都构成和布拉伐格子相同的格子。） 基失：以原胞共顶点三个边做成三个矢量，α1 ，α2 ，α3αL=L1α1 +L2α2 +L3α3 。把α1 ，α2 ，α3§2 金刚石结构，类金刚石结构（闪锌矿结构） 金刚石结构：金刚石结构是一种由相同原子构成的复式晶格，它是由两个面心立方晶格沿立方对称晶胞的体对角线错开1/4长度套构而成。常见的半导体中Ge，Si，α-Sn（灰锡）都属于这种晶格。 金刚石结构的特点：每个原子都有四个最邻近原子，它们总是处在一个正四面体的顶点上。（每个原子所具有的最邻近原子的数目称为配位数） 每两个邻近原子都沿一个1,1,1,方向， 处于四面体顶点的两个原子连线沿一个1,1,0方向， 四面体不共顶点两个棱中点连线沿一个1,0,0,方向。 金刚石结构的密排面： {1，1，1} 晶面的原子都按六方形的方式排列。每两层{1，1，1}原子层完全相同，A B C A B C …… 在这种结构中，关于任何两个相邻原子连线中点具有反演对称性。 类金刚石结构：GaAs，InSb，GaP等化合物晶体的晶格是由两种不同原子组成的面心立方晶格套构而成的，称为类金刚石结构或闪锌矿结构，显然闪锌矿不再具有反演中心。 §3 共价结合 §3.1晶体结合的四种基本方式 离子结合：原子间交换电子，形成正负离子，之间相互库仑作用结合成固体。 共价结合：相邻原子共用电子对形成共价键。（半导体中晶体普遍是共价结合，因此本节重点是共价结合。） 金属结合：价电子共有化形成负电子云，正离子浸泡在电子云中。 范德瓦尔结合：发生在饱和电子结构中，相互作用靠很弱的瞬时偶极矩。 §3.2成键态与反键态(以H2为例) B两原子相互靠近形成分子，两个价电子为A，B共有。 成键态：ψ=C(ψA+ψB) 反键态：ψ=C’(ψA-ψB) 其中C和C’为归一常数 成键态电子云集中在两原子核之间，同时受到两个原子核的库仑吸引作用，库仑能下降，故形成共价键。 反键态使能量升高△1，成键态能量下降△2且有△1 △2，只有未成对电子才能形成共价键。 §3.3 SP3杂化（以Si为例） Si的原子组态为：(1S)2 (2S)2 (2P)6 (3S)2 (3P)2 稳定电子 价电子 由Si原子组态可知，若不改组的话只能形成2个共价键，但实际上有4个共价键，成四面体，这是因为发生了SP3杂化的缘故。即价电子的组态发生了如下改组：(3S)2 (3P)2 → (3S1) (3Px) (3Py) (3Pz) 组成了新的4个轨道态，实际上四个共价键是以S态和P态波函数线形组合为基础的，这样使得系统能量最低。 杂化的好处：①成键数增多，四个杂化态上全部是未成对电子。 ②成键能力增强，电子云集中在四面体方向，电子重叠大，使能量下降更多，抵消杂化的能量，使总能量减小。 §4 晶格缺陷 晶格缺陷分3类： 点缺陷：间隙原子和空位。 线缺陷：位错。 面缺陷：层错。 点缺陷的类型： 弗兰克尔缺陷：原子热运动，少量原子离开格点位置进入间隙形成空位间隙原子对。 肖特基缺陷：单一空位的缺陷。 反肖特基缺陷：单一缺陷原子的缺陷。 半导体中的电子状态 §1 半导体基本能带 §1.1布洛赫波 在晶体的周期场中，电子波函数的形式为ψk(r)=eikrμk(r) ，其中μk(r)= μk(r+αL)其中k称为简约波束，有波束的量纲，但要在一简约范围内取值。k与动量类似，在跃迁过程中守衡，且有，故称为准动量。 在晶体中k取值在一定范围内，这范围称为简约布里渊区，下面以一维为例加以证明。 设晶格周期为α ∵μk(x) = μk(x + nα) ∴ψk(x +α) = eikα·eikx·μk(x + nα) = eikα[eikx·μk(x)] =eikαψk(x) 其中eikα表示相邻原胞之间波函数位相差，因此-π≤kα≤π，三维情形，α1，α2，α3三个基矢有ψk(r +αn)= eikαnψk(r) ，其中n=1，2，3。 定义矢量b1，b2，b3分别等于 则有αibj =2πδij （δij函数表示，当i=j时为1，不等为0） 故称