磁导率初始磁导率..doc

磁导率 初始磁导率 如果没有别的因素限制，那么磁导率肯定越高越好。磁导率高，意味着所需要的线圈圈数可以很少，变压器和电感器的体积可以很小。但现实是：磁导率越高，磁感应强度越高，而磁芯材料所能工作的磁感应强度范围是有限的，所以有时候我们不得不设法减小有效磁导率，以避免磁芯饱和 AC滤波器的选择就灵活了.流过电流通常不大,没那么多要求,磁导率可以在10-12K都OK. 相同的磁密, 储能密度与磁导率呈反比, 电感如果是储能用, 那么就选低u的. 如果是作磁放, 那得选高u矩磁. 变压器, 原则上磁导率用大些, 以利于减小励磁电流, 励磁电流分量并不能传递到次级, 因此要越小越好. 但是也不是盲目的大, 太大也不好, 如磁集成LLC便需要具有相当大的励磁电流. 要求磁导率适中 选用较高磁导率的铁氧体磁芯，磁感应强度就会越大，这样所要求的线圈匝数就会越小，变压器体积就会相对更小。 磁导率高了，同样的电感量可以用更小的磁芯；但是，更容易饱和。 所以，要计算 选择高μ值的铁氧体，绕制匝数可能会少点，但是得注意电感量以及饱和问题。如果对质量因素有要求的话，绕线匝数也不是越少越好。 μ高的材料在同样尺寸、同样匝数的情况下，肯定电感量大。电感量大在大电流的情况下，反向电压就高，磁通密度也就上升了，磁心就容易饱和了 软磁材料为什么磁导率越高，能量存储越小 E=VB2/2u E=uH2/2 容量总会有限，导磁率高，励磁功率就小，用来做变压器是很好的，但作电流泵（flyback）用就不太适合了。 几句话讲明白，电感的能量为什么绝大部分存在气隙中？ 电路? ?? ?? ?? ?磁路 电动势? ?? ???磁动势 电阻? ?? ?? ???磁阻 电流? ?? ?? ???磁通量 的砖不但引出来很多玉，最后还能引出相声段子。百家争鸣的确好，各抒己见，越辩越明。 73楼greendot给出的式子很好，相当有说服力，为了更清楚明白的表示，我又更调理的写出来了，如下 最后一项左侧是磁芯的，右侧是气隙的能量，很明显，只要lgMPL/ur，那么绝大部分能量是在气隙中的。 这样说好象不是很严谨，根据H=B/u可以看出，u越小磁场强度H越强，而磁芯存储的能量与H成正比，所以说气隙存储了大部分的能量 再引申下，如何从物理的直观来理解？ 磁路和电路时可以类比的，不妨在这里列出来 电路? ?? ?? ?? ?磁路 电动势? ?? ???磁动势 电阻? ?? ?? ???磁阻 电流? ?? ?? ???磁通量 电路中 V=R*I 磁路中， MMF = Rm*Φ 我们有个共识，就是电阻串联电路中，电阻越大，那它消耗的能量也就越大，当然是相比与跟其串联的电阻。 那在磁路中，同样的适用，就是磁阻越大，其上的能量也就越大。 磁阻=l(长度)/(ur*u0*Ac) 一般情况下，气隙的磁阻磁芯的磁阻，所以其上的能量也就越大，所以电感的能量绝大部分存在气隙中。 整个磁路 H的值是一样的，不同的是B值。 能量大小可以用B-H围成的面积来表征 ，气息和磁芯是串联，因此磁通密度一样（姑且）。 相同的delta B, 对应了更多的delta H （气息的u 比磁芯的u要小）。因此磁场能量几乎都集 中在气息这里。这样理解是否正确呢？（这是我以前的理解） 加气隙拉扁磁滞回线可以让磁芯的饱和H值大一些，自然就会提高存储能量的能力，至于磁能为什么大部分存在于气隙中，我觉得36楼的解释也差不多，可以作为一种形象的理解，气隙的磁阻大，等效磁路长，自然存储的能量就大了。 公式变型为： W=VB2/2u，似乎更为直观一点 V体积，B磁通密度，u磁导率， 个人理解，气隙类似于电容中的绝缘体，磁性材料类似于导体，磁场类似于电场。 如果没有气隙，相当于把电容两端短路了。 所以气隙既不存储能量也不传递能量，气隙的作用就是让磁场保持势能。 以上只是类比，磁和电区别还是很大的。 我的理解是气隙并不能存储能量，毫无疑问，能量肯定是存储在磁芯中的。 从B/F曲线上可以看到，加气隙之后，磁芯允许电流的能量增加了，所以磁芯在不饱和的前提下，能承受更大的电流，因此，存储的能量就大了。 气隙长度远小于端面边长的时候，可近似认为Ae=Ag，那么电感L=Ae/（le/u+lg/u0）。在合适的工作频率下，铁氧体u在2000u0以上，铁粉心、非晶等磁芯的有效磁导率更高。那么只要??2000lg le，气隙里储存的能量就大于磁芯了，如果气隙长度和端面边长差距不太大的时候，考虑边沿磁通，储存在气隙周围的能量就更大了 能量：P=VB2/2u，磁通穿过磁芯和中间的气隙，如果忽略边沿磁通，则B处