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关于CASTEP关于CASTEP
关于CASTEP
CASTEP是特别为固体材料学而设计的一个现代的量子力学基本程序,其使用了密度泛函(DFT)平面波赝势方法,进行第一原理量子力学计算,以探索如半导体,陶瓷,金属,矿物和沸石等材料的晶体和表面性质。
典型的应用包括表面化学,键结构,态密度和光学性质等研究, CASTEP也可用于研究体系的电荷密度和波函数的3D形式。此外, CASTEP可用于有效研究点缺陷(空位,间隙和置换杂质)和扩展缺陷(如晶界和位错)的性质。
Material Studio使用组件对话框中的CASTEP选项允许准备,启动,分析和监测CASTEP服役工作。
计算:允许选择计算选项(如基集,交换关联势和收敛判据),作业控制和文档控制。
分析:允许处理和演示CASTEP计算结果。这一工具提供加速整体直观化以及键结构图,态密度图形和光学性质图形。
CASTEP的任务
CASTEP计算是要进行的三个任务中的一个,即单个点的能量计算,几何优化或分子动力学。可提供这些计算中的每一个以便产生特定的物理性能。性质为一种附加的任务,允许重新开始已完成的计算以便产生最初没有提出的额外性能。
在CASTEP计算中有很多运行步骤,可分为如下几组:
* 结构定义:必须规定包含所感兴趣结构的周期性的3D模型文件,有大量方法规定一种结构:可使用构建晶体(Build Crystal)或构建真空板(Build Vacuum Stab)来构建,也可从已经存在的的结构文档中引入,还可修正已存在的结构。
注意: CASTEP仅能在3D周期模型文件基础上进行计算,必须构建超单胞,以便研究分子体系。
提示: CASTEP计算所需时间随原子数平方的增加而增加。因此,建议是用最小的初晶胞来描述体系,可使用Build\Symmetry\Primitive Cell菜单选项来转换成初晶胞。
* 计算设置:合适的3D模型文件一旦确定,必须选择计算类型和相关参数,例如,对于动力学计算必须确定系综和参数,包括温度,时间步长和步数。选择运行计算的磁盘并开始CASTEP作业。
* 结果分析:计算完成后,相关于CASTEP作业的文档返回用户,在项目面板适当位置显示。这些文档的一些进一步处理要求获得可观察量如光学性质。
CASTEP中选择一项任务
1 从模块面板(Module Explorer)选择CASTEP\Calculation。
2 选择设置表。
3 从任务列表中选择所要求的任务。
CASTEP能量任务
CASTEP能量任务允许计算特定体系的总能量以及物理性质。
除了总能量之外,在计算之后还可报告作用于原子上的力;也能创建电荷密度文件;利用材料观测仪(Material Visualizer)允许目测电荷密度的立体分布;还能报告计算中使用的Monkhorst-Park的k点的电子能量,因此在CASTEP分析中可生成态密度图。
对于能够得到可靠结构信息的体系的电子性质的研究,能量任务是有用的。只要给定应力性质,也可用于计算没有内部自由度的高对称性体系的状态方程(即压力-体积,能量-体积关系)。
注意:具有内部自由度的体系中,利用几何优化(Geometry Optimization)任务可获得状态方程。
CASTEP中能量的缺损单位是电子伏特(eV),各种能量单位的换算关系见Mohr.P.J(2000).
1 eV=0.036749308 Ha=23.0605 kcal/mole=96.4853 kJ/mole
CASTEP几何优化任务
CASTEP几何优化任务允许改善结构的几何,获得稳定结构或多晶型物。通过一个迭代过程来完成这项任务,迭代过程中调整原子坐标和晶胞参数使结构的总能量最小化。
CASTEP几何优化是基于减小计算力和应力的数量级,直到小于规定的收敛误差。也可能给定外部应力张量来对拉应力、压应力和切应力等作用下的体系行为模型化。在这些情况下反复迭代内部应力张量直到与所施加的外部应力相等。
几何优化处理产生的模型结构与真实结构紧密相似。利用CASTEP计算的晶格参数精度列于右图。
状态方程计算
在所施加静压力下几何优化可用于确定材料的体模量B和对压力的导数B‘=dB/dP。过程包括计算理论状态方程(EOS),该方程描述单胞体积与外部静压力的关系。工艺非常类似于真实实验:使用几何优化对话框中的应力列表将外部压力固定。通过进行几何优化可以找到在此压力下的单胞体积。随后的P-V 数据分析与实验研究精确一致。描述EOS选择分析表达式,其参数适于计算数据点。最流行的EOS形式是三阶Birch-Murnaghan 方程:
P-V
式中V0 为平衡体积。Cohen 等进行了EOS各种解析式的的详细比较研究。
注意
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