二氧化硅层包裹的ITO纳米线的一步制备和特征描述二氧化硅层包裹的ITO纳米线的一步制备和特征描述.doc

毕业设计(论文)外文资料翻译 学 院： 材料科学与工程学院 专 业： 金属材料工程 姓 名： 学 号： 外文出处： Journal of Solid State Chemistry 183（2010），2490-2495 附 件： 1.外文资料翻译译文；2.外文原文。 指导教师评语： 对原文理解基本正确，有些地方语序不符合汉语习惯，需要加强对外文翻译的训练。 签名： 李建辉 2013年 4 月 15 日 附件1：外文资料翻译译文 二氧化硅层包裹的ITO纳米线的一步制备和特征描述 文章信息： 文章历史： 2010年6月2日 修改稿收到日期： 2010年8月5日 接稿日期： 2010年8月7日 网上登稿日期： 2010年8月19日 关键字： ITO 纳米线 硅胶 光致发光 生长机制 摘要 新型的In1.94Sn0.06O3(ITO)/非晶的SiOx壳结构可通过简单地热力学蒸发成功制得。研究表明典型的核结构有一个结晶核心，ITO纳米线被非晶SiOx管状结构包裹。假设ITO纳米线成核生长的主要机制为用金催化的蒸发—液态—固态过程，而SiOx壳层也同时生成。本文讨论了在壳结构的外部优先形成SiOx管的可能原因。为研究核心与壳层结构，对其进行室温光致发光测量结果在2.73、3.06和1.65eV三处出现峰值，说明SiOx壳层存在。 简介 ITO广泛应用于各个领域，包括气敏元件[1]、光电池、电变色装备、液晶显示和光电子器件。ITO材料是一种宽禁带半导体，因此可作为光线穿透基础半导体材料的窗口层。另一方面，一维纳米材料和散装材料相比有较特殊的物理化学性质。它们的有限尺寸限制了电子波函数，导致产生量子化能级和光能量传输及光学性能的重大改变。 作为最知名的和广泛使用的透明导电氧化物（TCO），ITO有各种各样的应用现状，做成ITO纳米管会增大它的应用领域。一维形态会增强场发射性质，这将有利于在未来的纳米线的场发射显示器中的应用由于ITO著名的金属导电性在电子纳米器件潜在应用他们有更高的表面体积比，’pert MRD diffractometer）、扫描电子显微镜（SEM，Hitachi S-4300 SE）、透射电子显微镜（TEM）、选区衍射（SAD）和能谱仪（EDX，透射电子显微镜上装有EDAX分光镜）检测。光谱分析在室温下使用325nm的He-Cd 激光进行（Kimon，1K，Japan）。 结果和讨论 图1 图1 a和b分别是试样在950℃和1050℃生长时的扫描电子显微镜的俯视图。a是950℃时生长的片状结构。然而仔细观察发现片状结构由空间结构和簇状结构组成。图1b中1050℃生长的产物呈直径为60-220nm不等的一维结构。图1b中的插图为相关直径的分布，核壳结构电线的平均直径为113nm。 图2 图2a所示的是样品950℃生长时的XRD图谱，谷底的四方金红石型SnO2相的晶格参数为a=4.7382?，c=3.1871?。最显著的衍射峰是晶格参数为a=10.1234?的立方晶体（In1.94Sn0.06）O3.另一方面，图2b展示的是试样在1050℃生长时的XRD图片。背底外无明显的衍射峰表明1050℃生长时为完全的非晶态。仔细检查发现，在立方（In1.94Sn0.06）O3相的（332）（440）（611）和（820）晶面上存在微弱的谷峰。此外，值得注意的是，由于四方金红石型的SnO2相的反射，在（101）和（200）晶面存在谷峰。 图3 图3a所示纳米线的低倍率透射电子图像显示纳米线呈双层结构：一个核心和两个覆盖层（两侧）。不仅核心结构具有直线形态，外面的固体层相对纳米线也相对平滑和连续。从图3a中可以看出，壳结构直径和每个壳层的厚度分别为22nm和72nm。 图3b所示为选区电子衍射图片，四方金红石型SnO2相的{020}、{120}晶面族出现衍射斑点。另一组衍射斑点对应