- 1、本文档共48页,可阅读全部内容。
- 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
霍尔式传感器的应用实例 霍尔转速测量 霍尔特斯拉计(高斯计) 霍尔元件 霍尔-角位移测量 霍尔钳形电流表的使用 叉形钳形表漏磁稍大,但使用方便 用钳形表测量 电动机的相电流 实验探究1 若闭合电路中有感应电流,电路中就一定有电动势. 演示实验并播放动画 画出等效电路图 实验探究2:在向线圈中插入条形磁铁的实验中,磁铁的磁场越强、插入的速度越快,产生的感应电流就越大。 实验:电磁感应插磁铁 实验探究3: 一、磁电感应式传感器工作原理 B:稳恒均匀磁场磁感应强度; L:导体有效长度; V:导体相对磁场运动速度。 导体在稳恒均匀磁场中运动 N匝线圈处于变化的磁场中 两种磁电式传感器结构:变磁通式和恒磁通式。 开磁路变磁通式:结构简单,但输出信号较小,且因高速轴上加装齿轮较危险而不宜测量高转速的场合。 1、变磁通式 闭磁路变磁通式:感应电势的频率与被测转速成正比。 2、恒定磁通式 2、恒定磁通式 B0:工作气隙磁感应强度; l:每匝线圈平均长度; N:线圈在工作气隙磁场 中的匝数; v:相对运动速度。 二、 磁电感应式传感器基本特性 Rf:测量电路输入电阻; R:线圈等效电阻。 传感器的电流灵敏度为 * 速度测量概述 1、转速测量中主要考虑的问题 1)被测物体运动的速度范围 超低速(0.10~2.00r/min) 低速(0.5~500r/min) 中高速(20~20000r/min) 高速(500~200000r/min) 超高速(500~600000r/min) 全速(0.10~600000r/min) 适用的测速 传感器较多 2)被测物体可测点几何形状 例:光轴、齿轮、叶片、带孔、带槽、带销、微型电机 3)环境条件 4)动态/静态时的显示、记录、控制 5)误差、响应时间、输出控制形式 2、转速测量的分类及实现方案 根据传感器安装方式: 1接触式 2非接触式 根据传感器不同: 1磁电 2光电 3霍尔 4磁敏 速度、位移 1~15 自然光、红外光 0~10 光电传感器 速度、位移 1~5 金属 0~200Hz 接近开关 速度、位移 1~5 磁铁 0~10 霍尔传感器 速度 0.5~1 电工钢 50~5000 磁电传感器 速度、位移 0.5~1.5 铁、电工钢 0~10 磁敏传感器 应用场合 检测距离(mm) 感应对象 测量范围(kHz) 传感器 3、转速测量电路 1)转速测量仪的基本组成: 2)转速测量基本方法 定数采样:这种方法其实是测量单个脉冲的周期或指定个数脉冲的总周期。这种测量脉冲的方法又叫做测周法。 ???? 定时采样。这种方法其实是测量单位时间的脉冲个数。这种测量脉冲的方法又叫做测频法。 频率→电压转换(f/V) 频率→转速 N=f/分频数 4、转速传感器的选择原则 ①测量环境 ④价格 ②测量范围 ⑤可靠性 ③系统功耗 单位r/min r/s 一、霍尔效应和霍尔元件的工作原理 在半导体薄片中通以电流I,在与薄片垂直方向加磁场B,则在半导体薄片的另外两端,产生一个大小与控制电流I和B乘积成正比的电动势,这种现象称为霍尔效应。该电势称为霍尔电势,该薄片称为霍尔元件。 1、霍尔效应 2、霍尔电势 UH= KH I B 单位磁感应强度和单位控制电流作用时,所能输出的霍尔电势的大小。单位是mV/(mA·T) 意义:与材料的物理性质和几何尺寸有关,决定霍尔电势的强弱。 若磁感应强度B的方向与霍尔元件的平面法线夹角为θ时,霍耳电势应为: VH= KH I B cosθ 霍耳器件薄膜化是提高灵敏度的一个途径。 霍尔电压UH为: 式中 n ——半导体单位体积中的载流子数 e ——电子电量 KH——霍尔元件灵敏度,KH=1/ned 霍尔器件符号 H A B C D A B C D B A C D C、D:霍耳输出端,称为霍尔端或输出端。 A、B:电极端,称为元件电流端、控制电流端或 输入电流端。 红色导线 红色导线 绿色导线 绿色导线 一般为4mm×2mm×0.1mm 二.材料及结构特点 霍尔元件一般采用具有N型的锗、锑化铟和砷化铟等半导体单晶材料制成。 1.锑化铟元件的输出较大,但受温度的影响也较大。 2.锗元件的输出虽小,但它的温度性能和线性度却比较好。 3.砷化铟元件的输出信号没有锑化铟元件大,但是受温度的影响却比锑化铟的要小,而且线性度也较好。 采用砷化铟为霍尔元件的材料得到普遍应用。 特点 小结 材料:锗 、硅、砷化镓、砷化
您可能关注的文档
最近下载
- 《改造我们的学习》课件+2024-2025学年统编版高中语文选择性必修中册.pptx VIP
- T∕CECS 10028-2019 绿色建材评价 钢结构房屋用钢构件(可复制版).pdf
- 毕业典礼的活动策划方案.pptx VIP
- A4线缆标签打印模板.xls VIP
- 2022年高中学业水平考试试题及答案9科.docx VIP
- 临潭县住房和城乡建设局社会稳定风险评估工作实施方案.pdf VIP
- 新北区苏科版二年级上册劳动《6、树叶书签》教案.docx VIP
- 试验设计与数据处理(第三版)李云雁-第4章-回归分析.pptx VIP
- 西子奥的斯OH-CON电气原理图纸XAA21310S 一体化LMCB图纸.pdf
- A4标签打印模板.xls VIP
文档评论(0)