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激光调Q技术 班级：11物理学 学号：1150710012 姓名：孔小娟 摘要：为了得到较高的峰值功率和窄的单个脉冲，采用了Q调制技术，即将连续或脉冲激光能量压缩到时间宽度极窄的脉冲中发射，从而使光源的峰值功率提高几个数量级。 关键词：Q调制、谐振腔损耗、品质因数、主动调Q、被动调Q 引言 调Q技术的出现和发展，是激光发展史上的一个重要突破，它是将激光能量压缩到宽度极窄的脉冲中发射，从而使光源的峰值功率可提高几个数量级的一种技术。普通的脉冲激光器,光脉冲的宽度约在ms级,峰值功率也只有几十kW。调Q激光器,光脉冲的宽度可以压到ns级,峰值功率也已达到MW。 品质因数 Q值是评定激光器中光学谐振腔质量好坏的指标， 而Q值的定义为： 我们一般采取改变腔内损耗的办法来调节腔内的Q值 激光调Q的工作原理 在泵浦激励过程中，当工作物质中反集居数密度?n增加到阈值时就产生激光。当?n超过?nt时，随着受激辐射的增强，上能级粒子数大量消耗，反转集居数?n迅速下降，直到?n低于阈值?nt时，激光震荡迅速衰减。然后泵浦的抽运又使上能级逐渐积累粒子而形成第二个激光尖峰。如此不断重复，便产生一系列小的尖峰脉冲。由于每个激光脉冲都是在阈值附近产生的，所以输出脉冲的峰值功率较低，一般为几十千瓦数量级。而增大输入能量，只能使尖峰脉冲的数目增多，不能有效的提高峰值功率水平，激光输出的时间性也很差。 为了得到搞得峰值功率和窄的当脉冲，主要采用了Q调制技术，它的基本原理是通过某种方法使谐振腔的损耗因子（或品质因数Q）按照规定的程序变化，在泵浦激励刚开始时，使光腔具有较高的损耗因子，激光器由于阈值高而不能产生激光震荡，于是亚稳定上的粒子数便可以积累到较高的水平。然后在适当的时刻，突然降低损耗因子，阈值也随之突然降低，，此时反转集居数大大超过阈值，受激辐射迅速增强。在极短的时间内上能级储存大部分粒子的能量转变为激光能量，形成一个很强的激光巨脉冲输出。 如下图所示，在t=t0振荡开始建立至以后一个较长的时间过程中，光子数Φ增长十分缓慢，如下图3所示，其值始终很小，受激辐射几率很小，此时仍是自发辐射占优势。只有振荡持续到t＝tD时，增长到了ΦD ， Φ才迅速增大，受激辐射才迅速超过自发辐射而占优势。 3. Q调制的方法 Q调制的关键在于调节谐振腔的损耗因子，所以，只要能使谐振腔损耗发生突变的元件都能作Q开关。常用的调Q方法有转镜调Q、电光调Q、声光调Q、饱和吸收调Q。前三种方法中谐振损耗由外部驱动源控制，成为主动调Q,最后一种，谐振腔损耗取决于腔内激光光强，称为被动调Q。 3.1 电光调Q 某些晶体在外加电场作用下，其折射率会发生变化，使晶体通过不同偏振方向的光之间产生相位差，从而使光的偏振状态发生变化的现象称为电光效应。其中折射率的变化和电场成正比的效应称为普克尔效应，折射率的变化和电场强度平方成正比的效应称为克尔效应。电光Q开关原理是利用晶体的电光效应，在晶体上加一阶跃式电压，调节腔内光子的反射损耗。 电光调Q激光器如图所示： 未加电场前晶体的折射率主轴为x、y、z。沿晶体光轴方向z施加一外电场E ,由于普克尔效应,主轴变为x’、y’,z’。令光束沿z轴方向传播,经偏振器后变为平行于x轴的线偏振光,入射到晶体表面时分解为等幅的x和y方向的偏振光,在晶体中二者具有不同的折射率η’x和η’y。经过晶体长度d距离后,二偏振分量产生了相位差δ： 当δ=π/2时,所需电压称作四分之一波电压,记作Vλ/4.图中电光晶体上施以电压Vλ/4时,从偏振器出射的线偏振光经电光晶体后,沿x‘和y’方向的偏振分量产生了π/2位相延迟,经全反射镜反射后再次通过电光晶体后又将产生π/2延迟,合成后虽仍是线偏振光,但偏振方向垂直于偏振器的偏振方向,因此不能通过偏振器。这种情况下谐振腔的损耗很大,处于低Q值状态,激光器不能振荡,激光上能级不断积累粒子（这一状态相当于光开关处于关闭状态）。在某一特定时刻,突然撤去电光晶体两端的电压,则偏振光的振动方向不再被旋转90，相当于光开关被打开，则谐振腔突变至低损耗、高Q值状态,于是形成巨脉冲激光。（这一状态相当于光开关处于打开状态）。 电光开关是目前使用最广泛的一种Q开关，适用于脉冲激光器，其主要特点开关速度快，同步性能好。开关时间可以达到秒，适用于脉冲式泵浦激光器，由于该技术较高的插入损耗使激光器无法振荡而不适用于连续泵浦激光器，电光调Q激光器可以获得脉宽窄，峰值功率高的巨脉冲，例如：典型的Nd:YAG　电光调Q激光器的输出光脉冲宽度 约为１０-20ns，峰值功率达到数兆瓦至数十兆瓦。 3.2 声光调Q 当声波在某些介质中传播时,该介质会产生与声波信号相应的、随时间和空