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[精] 静电的产生及危害 2008-06-25 15:33:00 本文已公布到博客频道职场·创业分类 ?当两个物体碰撞或分离时就会产生静电放电 ESD 即静态电荷从一个物体移动到另一 个物体 两个具有不同电势的物体之间产生静态电荷的移动类似于一次很小的闪电过程 放 电量的大小和放电持续时间取决于物体的类型和周围的环境等多种因素 当 ESD 具有足够高 的能量时 将造成半导体器件的损坏 静电放电 ESD 可能随时发生 例如插拔电缆或人 体接触器件的 I/O 端口 或者是一个带电的物体接触半导体器件 半导体器件触地 以及静 电场和电磁干扰产生足够高的电压引起静电放电 ESD? ESD 基本上可以分为三种类型 一是各种机器引起的 ESD 二是家具移动或设备移动引 起的 ESD 三是人体接触或设备移动引起的 ESD 所有这三种 ESD 对于半导体器件的生产和 电子产品的生产都非常重要 电子产品的使用过程最容易受到第三种 ESD 的损坏 便携式电 子产品尤其容易受到人体接触 ESD 的损坏? ESD 一般情况下会损坏与之相连的接口器件 另一种情况是遭受 ESD 冲击后的器件可能 不会立即损坏 而是性能下降导致产品过早出现故障? 当集成电路 IC 经受ESD 时 放电回路的电阻通常都很小 无法限制放电电流 例如 将带静电的电缆插到电路接口上时 放电回路的电阻几乎为零 造成可高达几十安培的瞬间 放电尖峰电流 流入相应的IC管脚 瞬间大电流会严重损伤IC 局部发热的热量甚至会融 化硅片管芯 ESD 对 IC 的损伤一般还包括内部金属连接被烧断 钝化层被破坏 晶体管单 元被烧坏? ESD 还会引起 IC 的死锁 LATCHUP 这种效应和CMOS 器件内部的类似可控硅的结构单 元被激活有关 高电压可激活这些结构 形成大电流通道 一般是从 VCC 到地 串行接口器 件的锁死电流可高达 1 安培 锁死电流会一直保持 直到器件被断电 不过到那时 IC 通 常早已因过热而烧毁了? ESD ESD ESD ESD 冲击后可能存在两个不易被发现的问题 冲击后可能存在两个不易被发现的问题 冲击后可能存在两个不易被发现的问题 冲击后可能存在两个不易被发现的问题 一般用户和IEC测试机构使用传统的 环 路反馈方法 和 插入方法 进行测试 通常检测不出这两个问题? 1 RS-232 接口电路中接收器对发送器产生交叉串扰 同类产品 RS-232 接口电路中的 ESD 保护结构可能对某种波形的 ESD 或某个 ESD 冲击电压失效 经过 ESD 冲击后造成接收器输入端和发送器输 出端之间形成通路 从而导致接收器 对发送器产生交调 图一 如果 RS-232接口电路中有关断电路 那么 关断期间经过 ESD 冲击后更容易产生 交调 产生交调后将导致通信失败 而且即使关断工作状态下发送器仍有 输出 导致关断失效 使对方 RS-232 处在接收状态? 2?? RS-232 接口电路对电源产生反向驱动 某些 RS-232 接口电路中的 ESD 保护结构经过 ESD 冲击后可能在输入端与供电电源 Vcc 之间形成电流通路 图二 对其供电电源产生反向驱动 如果供电电源没有吸入电流的能 力 通常来讲电源输出回路里有一个正向二极管 这将导致电源电压 Vcc 的增加 从而损 坏 RS-232 接口电路和系统内的其它电路 因为 RS-232 接口电路输入端的电压在 5V 到 25V 之间 使 Vcc 有可能大于 9V 超出电源电压的最大范围而烧坏电路? 2 2 2 2 ESD ESD ESD ESD 保护电路 保护电路 保护电路 保护电路?????? ESD 的产生是当两个物体碰撞或分离时 即静态电荷从一个物体移动到另一个物体 所 以ESD最有效的保护是介质隔离 是用绝缘介质把内部电路和外界隔离开 1mm 厚的普通塑 料如 PVC 聚酯或ABS 能够保护 8KV 的 ESD 但是实际的介质不可能没有间隙和接缝 所以 材料的蠕变和间隙距离非常重要 LCD显示屏 触摸屏等都有很厚的边角 12mm 隔离内部 电路? ESD保护的第二个有效方法是屏蔽 防止大的 ESD 电流冲击内部电路 ESD冲击金属屏 蔽外壳时 最初几毫秒会比保护地电压高出许多 屏蔽外壳电压会随着 ESD电荷的转移而下 降 所以最初的几毫秒内会对内部电路产生二次 ESD冲击 所以仅仅使用外部屏蔽是不够的 而要把内部电路与屏蔽外壳共地 或者把内部电路进行介质隔离 电子产品焊接工艺 1.焊接的基本知识及手工焊接的工艺要求,质量分析. 2.掌握手工焊接技术和手工焊接的工艺要求. 3.学习自动焊接技术,接触焊接技术. 学习要点: 焊接工艺 主要内容 焊接的基本知识 手工焊接的工艺要求及质量分析 自动焊接技

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