《微电子作业.doc

active region 有源区 active component有源器件 3.anneal退火 4.atmospheric pressure CVD (APCVD)常压化学气相淀积 5.BEOL生产线后端工序 6.BiCMOS双极CMOS 7.bonding wire焊线，引线 8.BPSG硼磷硅玻璃 9.channel length沟道长度 10.chemical vapor deposition (CVD)化学气象积淀 11.chemical mechanical planarization (CMP)化学机械平坦化 12.damascene大马士革工艺 13.deposition积淀 14.diffusion扩散 15.dopant concentration掺杂浓度（剂量） 16.dry oxidation干法氧化 17.epitaxial layer外延层 18.etch rate刻蚀速率 19.fabrication制造 20.gate oxide栅氧化硅 21.IC reliability 22.interlayer dielectric层间介质 23.ion implanter离子注入机 24.magnetron sputtering磁控溅射 25.metalorganic CVD(MOCVD)金属有机化学气相积淀 26.pc board印刷电路板 27.plasma enhanced CVD(PECVD)等离子体增强CVD 28.polish抛光 29.RF sputtering射频溅射 30.silicon on insulator绝缘体上硅 第九章 1．例举出芯片厂中6个不同的生产区域并对每一个生产区域做简单描述。（20分） 2．离子注入前一般需要先生长氧化层，其目的是什么？（10分） 3．离子注入后为什么要进行退火？（10分） 4．光刻和刻蚀的目的是什么？（20分） 5．为什么要采用LDD工艺？它是如何减小沟道漏电流的？（10分） 6．为什么晶体管栅结构的形成是非常关键的工艺？更小的栅长会引发什么问题？（10分） 7、描述金属复合层中用到的材料？(10分) 8、STI隔离技术中，为什么采用干法离子刻蚀形成槽？(10分) 1.答：芯片厂中通常分为扩散区、光刻区、刻蚀区、离子注入区、薄 膜生长区和抛光区6个生产区域： ① 扩散区是进行高温工艺及薄膜积淀的区域，主要设备是高温炉和湿法清洗设备； ②光刻区是芯片制造的心脏区域，使用黄色荧光管照明，目的是将电路图形转移到覆盖于硅片表面的光刻胶上； ③刻蚀工艺是在硅片上没有光刻胶保护的地方留下永久的图形； ④离子注入是用高压和磁场来控制和加速带着要掺杂的杂质的气体；高能杂质离子穿透涂胶硅片的表面，形成目标硅片； ⑤薄膜生长主要负责生产各个步骤中的介质层与金属层的淀积。 ⑥抛光，即CMP（化学机械平坦化）工艺的目的是使硅片表面平坦化 2.答：氧化层保护表面免污染，免注入损伤，控制注入温度 3.推进，激活杂质，修复损伤。 4.光刻的目的是将电路图形转移到覆盖于硅片表面的光刻胶上，而刻蚀的目的是在硅片上无光刻胶保护的地方留下永久的图形。即将图形转移到硅片表面 5.沟道长度的缩短增加了源漏穿通的可能性，将引起不需要的漏电流，所以需要采用LDD工艺。轻掺杂漏注入使砷和BF2这些较大质量的掺杂材料使硅片的上表面成为非晶态。大质量材料和表面非晶态的结合有助于维持浅结，从而减少源漏间的沟道漏电流效应 6.因为它包括了最薄的栅氧化层的热生长以及多晶硅栅的刻印和刻蚀，而后者是整个集成电路工艺中物理尺度最小的结构。多晶硅栅的宽度通常是整个硅片上最关键的CD线宽。 随着栅的宽度不断减少，栅结构（源漏间的硅区域）下的沟道长度也不断减少。晶体管中沟道长度的减少增加了源漏间电荷穿通的可能性，并引起了不希望的沟道漏电流。 7.（1）淀积Ti，使钨塞和下一层金属良好键合，层间介质良好键合； （2）Al,Au合金，加入铜抗电迁移（3）TiN作为下一次光刻的抗反射层 8.采用干法刻蚀，是为了保证深宽比 第三章 1.按构成集成电路基础的晶体管分类可以将集成电路分为哪些类型？每种类型各有什么特征？（40分） 2. 什么是无源元件？例举出两个无源元件的例子。什么是有源元件？例举出两个有源元件的例子。（30