毕业设计翻译中文解析.doc

湖 南 科 技 大 学 英文文献翻译 学 生 姓 名： 学 院： 机电工程学院 专业及班级： 材料成型及控制工程 学 号： 指导教师： 2015 年 4 月 25 日 循环扩张挤压剧烈塑性变形的新方法的塑性变形性能结构带 介绍了剧烈塑性变形技术、循环挤压（）两种新的加工两种（I II）铝合金；研究的其微观结构和力学特性发现加工中都CEE后，机械显著改善，的加路和II，得到不同的晶粒结构路线，路II显示了更均匀的的显微，II形成了发现作为潜在的站点，用于加速新晶粒的形成，将导致晶粒的破碎得到一种超细晶粒（）微观结构。 考虑（）当做一种强大的处理工具，用于批量的（）结构材料。这种块金属材料[1-4]巨大。大多数的技术被归类方法，其中执行连续获得应变积累。从角度来看，关注多次地重复此过程以达到所需的累积应变，ECAP这样的批处理技术可提供一个机会来定义不同的加工路线，从而成为一个可以控制操纵产生的微的有效。，这些加工路线由样本绕其主轴在的中旋转简单地执行旋转适用于一些SPD技术，例如ECAP[5,6]简单的剪切挤压，在其他具有轴对称的技术中，像往复挤压（）12]、循环扩张挤压 （CEE） [13] 或管通道按压(TCP) [14]技术中，该加工路线被限制的模扭转样品该技术的机械和微观结构的被提出并讨论。 2.CEE中加工路线的原 定义两个主要加工路线为对具有矩形截面的样品的CEE处理。这些路线是图的路线I和路线II所确定的图，路线I的CEE处理且因此这步骤，在路线II，扩展和挤压步骤发生在不同的平面，二者相互b）。 尽管每个步骤（或挤压）平面应变条件下执行，II的总体进程被视作平面应变操作。基于a× b 和 b ×a的矩形截面。因此，加工路线的阶段的为 然而，该关系式整个组件平均，其中剪切组件，不排除在外的——且将如下所示——该变形是的，将导致在的中心区域较小的而在的外部产生较大的应变。 窗体顶端 图1 .实验和示例配置在两个CEE加工路线示意图和立方元件的各变形了的形状用于：（a）加工路线（b）加工路线的样品。 窗体底端 3.过程 3.1和°C的退火炉子里拆分模具配置（）加工，窗体顶端 图2. CEE分割模：（）扩大，（B）挤压模，（C）冲头（d）退出通道阻滞插入。窗体顶端 图3.定位压缩标本相对于处理的CEE样本。 窗体底端 样品该加工。的CEE模的块在路线I块的由路线I到路线II的配置改变装配哈夫块之后加工，通过表面，3.2微观组织研究样品的不同层面都被打磨镜子一样的表面且用改性的，从而可以用相应微观结构。过的样品表面还用过，用JEOL 6500F 电子扫描电镜 （FEG-SEM）进行研究其kV下的场发射枪。电子背散射衍射的样品制备步骤是机械研磨 （使用 500——4000 砂粒大小 SiC 砂纸），接着获得如镜的表面该溶液由K温度组合而成HKL采集软件加工。 以5 g/s 的加载速率和15 s的停留时间每次装入25克的剂量每个位置上重复四次缩进并进行，以ND上给出压缩平面。图 3 展示了CEE处理过的在穿过压缩样品的为从而为17]。 4. 结果和讨论 CEE加工（I和II）的宏观图参见图因而应变值ε eq=1:6）在一个阶段的样品中积累而是形成的；窗体顶端 图4.显微在TD-ND平面样品：（）退火条件，（b）一种通路线我后，和（c）之后一次通过路线二。 窗体底端 样品的最立体的几何变形中，II情况有所不同，因为扩张和挤压的步骤发生在不同的平面 (图 1b)。因此，经由路线II的CEE阶段后，，加工路线的解释该事实证实ND平面 （垂直于挤压方向的平面）上的路线I和II的一个阶段后，I，晶粒中心线附近各向等大，沿方向（可见原始的立体元素不同的加工路线后，理想的变形条件下的参数预测一致考虑了的应变元素。到在样品表面的区域存在路线I的层次路线I后可以中央部分观察到的结构的。II (图5b和c)，经历加工路线I后中平面的挤压样品的之前扩展步骤的平面应变方向厚度方向的结构会更加路线I和II（）的产生的和-ND平面上硬度值的变化和图的两种加工路线的了穿过厚度的在-ND平面上更均匀的晶粒结构。另一方面，经历路线I后的且越靠近中心值逐渐减小的微源于I和路线II分别为表明一个后，的上的结构中心附