模电ppt第一晶体二极管及其基本电路Yl.ppt

1.3.5 三极管的主要参数 (1) 共发射极交流电流放大系数β。β体现共射极接法之下的电流放大作用。 (2) 共发射极直流电流放大系数β。 由式(1 -15)得 当ICICEO时, β≈IC/IB。 (3) 共基极交流电流放大系数α。α体现共基极接法下的电流放大作用。  (4) 共基极直流电流放大系数α。在忽略反向饱和电流ＩＣＢＯ时, 2. 极间反向电流 图 1 - 36 三极管极间反向电流的测量 3极限参数 (1) 集电极最大允许电流ＩＣＭ。 图 1 - 37 β与IC关系曲线 (2) 集电极最大允许功率损耗ＰＣＭ。当三极管工作时, 管子两端电压为ＵＣＥ, 集电极电流为ＩＣ, 因此集电极损耗的功率为 图 1 - 38 三极管的安全工作区 4. 反向击穿电压 ＢＵCBO——发射极开路时, 集电极-基极间的反向击穿电压。 ＢＵCEO——基极开路时, 集电极-发射极间的反向击穿电压。 ＢＵCER——基射极间接有电阻Ｒ时, 集电极-发射极间的反向 击穿电压。  ＢＵCES——基射极间短路时, 集电极-发射极间的反向击穿电压。 ＢＵEBO——集电极开路时, 发射极-基极间的反向击穿电压, 此 电压一般较小, 仅有几伏左右。  上述电压一般存在如下关系： 1.3.6 温度对三极管参数的影响 1. 温度对UBE的影响 2.温度对ICBO的影响 ＩＣＢＯ是由少数载流子形成的。当温度上升时,少数载流子增加, 故ＩCBO也上升。其变化规律是, 温度每上升10℃, ＩCBO约上升 1 倍。ＩCEO随温度变化规律大致与ＩCBO相同。 在输出特性曲线上, 温度上升, 曲线上移。 3温度对β的影响 β随温度升高而增大, 变化规律是：温度每升高１℃, β值增大０.５%～１％。在输出特性曲线图上, 曲线间的距离随温度升高而增大。  综上所述：温度对ＵＢＥ、ＩＣＢＯ、β的影响, 均将使ＩＣ随温度上升而增加, 这将严重影响三极管的工作状态, 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 * 二、绝缘栅场效应管 1. N沟道增强型MOS场效应管 ⑴. 结构 P型衬底 N+ N+ B S G D SiO2 铝 P衬底杂质浓度较低， 引出电极用B表示。 N+两个区杂质浓度很高， 分别引出源极和漏极。 栅极与其它电极是绝缘的， 通常衬底与源极在管子内部连接。 S G D B 下页 上页 首页 P型衬底 N+ S G D B N+ 开启电压，用UT表示 ⑵. 工作原理 当UGS 增大到一定值时， 形成一个N型导电沟道。 N型沟道 UGS UT时 形成导电沟道 VGG 导电沟道的形成 假设UDS = 0 ，同时UGS 0 靠近二氧化硅的一侧产生耗尽层， 若增大UGS ，则耗尽层变宽。 又称之为反型层 导电沟道随UGS 增大而增宽。 下页 上页 首页 UDS对导电沟道的影响 UGS为某一个大于UT的固定值， 在漏极和源极之间加正电压， 且UDS UGS - UT 即UGD = UGS - UDS UT 则有电流ID 产生， ID 使导电沟道发生变化。 当UDS 增大到UDS =UGS - UT 即UGD = UGS - UDS = UT 时， 沟道被预夹断， ID 饱和。 P型衬底 N+ N+ S G D B VGG N型沟道 VDD UDS对导电沟道的影响 下页 上页 首页 ⑶. 特性曲线 IDO UT 2UT 预夹断轨迹 可变 电阻区 恒流区 ID/mA UDS/V O UGS/V ID/mA O 当UGS ≥ UGS(th)时。 下页 上页 截止区 转移特性曲线可近似用一下公式表示： 首页 2. N沟道耗尽型MOS场效应管 预先在二氧化硅中掺入大量的正离子， 使UGS = 0 时， 产生N型导电沟道。 当UGS 0 时，沟道变窄， 达到某一负值时被夹断， ID ≈ 0，称为夹断电压。 UGS 0 时，沟道变宽， ID 增大。 G D S B 下页 上页 首页 P型衬底 N+ N+ S G D B N型沟