重摻杂多晶硅栅功率VDMOSFET辐射效应研究.docVIP

本文由电话里的哭泣贡献 pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 第十届全 国抗辐 射电子 学与电磁脉 冲学术年会论文集 重掺 杂多 晶 硅 栅 功 率 段 雪 ! ?# ? 邓建 国 河北 辐 射 效应 研 究 孙 艳玲 石 童四 华 刘 英冲 田 秀伟 冯 彬 %中国 电 子 科技 集 团 公 司 第十 三 研 究 所 家庄 ( ? ? ) 摘 验研 究 , 要 从 开展 了不 同工 艺制 作的重 掺杂多晶 硅 栅 沟增强型功 率 + ! ?# ? 电离辐 照 效应 实 型重 掺 杂多晶硅 制作工 艺引起 晶粒间 复杂结构变化的角度分析 解 释 了辐 照 实验 中出现 , 的问 值 电压 正漂和 负漂 两 种不 同趋 势的辐 射效应 + 提 出了 利用 改变重 掺杂 多晶硅 晶粒 结 构 抑制 功率 , ! ?# ? 问值 电压 漂移 这 种 电 离辐 射效应 的加 固思路 关 锐词 重 掺杂 多晶硅 + !? # 电离辐 射 问 值电压 功率 + !? ? # , 广泛应 用 于开 关电源 , 、 汽 车 电子 , 、 电机 调 速 、 不 间 断 电源 、 逆 变器 等领 域 , 为 了减小输 入 电容 。 提高器件 开 关速 度 , 降低 开 关损耗 普 遍采 用 以 重掺杂多 晶硅 作栅 电极的硅 栅 , 自对准 工 艺 一 般情 况下 重掺杂 多 晶硅 被简 化为 单 晶硅 电极 或金属 电极考虑 其 对功 率 + 性 能 的影 响常常忽 略 不计 晶晶 粒组成 , 。 !? ? # 而 实 际上 , , 多 晶硅 与单晶硅 在结构 上有 较大区别 , 。 多晶硅 是 由不同 的单 , 各单 晶 晶粒 晶 向不 同 形状 也 不规则 , 同一 晶粒 内部 原子排 列 呈 周 期型和 有序 性 , 晶 粒 间 结构复杂 杂化 。 存在缺 陷 在禁带 中 引入 深 能级 , , 成为载流子 陷阱 使晶粒间能 带拖尾状态 更加复 , 多 晶 的导 电性能 由晶粒 导 电和 晶粒 间导电两部分综 合效 果决定 , 与温度 和掺 杂浓度有较大关 、 系 。 国外文 献借助 能带 理 论 # ) 采 用 离子场 致发射 散射模 型% ? . 和 以跃 迁 , 扩散方 式导 电的导通 沟 道模 型研 究 了多晶硅 电阻 率与温 度和 掺杂 浓度 的关系川 2 /0 更多 的研 究关注 在 具有 薄栅氧化层 % ? 1 一 。 3 )的多晶硅 4 二 氧 化硅 硅 结构 5 . 8 7 电容 中重 掺杂多 晶硅 的量子效应 影 响6 对 于栅 氧化 层相对较 厚% 常在 几 十 : 9 , 以上 )开态工 作时 栅压 较 高 的% ;? 左 右)功率 6 因此研 究 报道相 对较 少 。 + ? 5 .? ? # , 一 般认 为重掺杂多晶硅 的影 响可 以忽 略 的辐 射效 应 , 功率 + !? ? # 在 电离辐 照 下常 会发 生闽值电压 漂移 , 8 国 内研 究者 9 在 通过 栅 介质 加 固来抑 制 这种辐射 效应 方面 开展 过 深入 研究 。 取得 了比 较 明 显 的效 果 但是 , 对 于 工 作在 电离辐射 环 境 下 重 掺杂多晶硅 对功率 。 + ! # ? ? 阐 值 电压 漂移 的辐 射效应 有何 影 响 对 这 方面 的研 究 国 内外还 少有文 献报