《主板科技术语1.docVIP

[ 动态内存 ] | DIMM内存模块 | 同步动态内存（SDRAM) | EDO动态内存模块（EDO DRAM) || 爆发式EDO动态内存模块（Burst EDO DRAM) | ? DIMM 内存模块168脚的 DIMM (Dual-In-Line Memory Module) 内存模块拥有8 bytes宽度的数据总线界面 , 将会快速取代目前的72脚的 SIMM 内存模块 , 而成为下一代新的PC工业标准。目前JEDEC标准DIMM为具有缓冲器的版本 , 因为它在所有的内存总线界面上加入了缓冲器 。而新版无缓冲器(Unbuffered DIMM) 内存模块的输出引脚(PINOUT)定义可以与SDRAM , Burst EDO , EDO及Fast Page DRAM兼容 , 支持 X64(X64 bits) , 带奇偶校验的X72(X72 with Parity), 带纠错的X72(X72 with ECC) , 带纠错的X80(X80 with ECC)。DIMM的另一特点是它定义了不同规格的DIMM , 分为 3.3V不带缓冲器的DIMM(3.3V UNBUFFERED DIMM) 3.3V带缓冲器的DIMM(3.3V BUFFERED DIMM) 5V不带缓冲器的DIMM(5V UNBUFFERED DIMM) 5V带缓冲器的DIMM(5V BUFFERED DIMM) 这些规格的卡口各不相同，以防止用户插错及插反DIMM内存模块。目前绝大多数主板都支持3.3V Unbeffered DIMM 内存模块 , 可为SDRAM, EDO及FP DRAM . 用户购买时须确认DIMM的类型。[ 动态内存 ] | DIMM内存模块 | 同步动态内存（SDRAM) | EDO动态内存模块（EDO DRAM) || 爆发式EDO动态内存模块（Burst EDO DRAM) | 同步动态内存（SDRAM）全名为Synchronous Dynamic Random Access Memory同步动态内存(SDRAM)的所有读取及写入数据动作都由一个同步信号(Clock)触发 , 可提供比EDO DRAM更高效的存取 ,以前大都应用在超级电脑(Super Computer)，工作站(Workstation)或高分辨率图象适配器(High resolution graphic adapter)，加速卡(Accelerator), 及其它需要大量高频宽内存的领域。现今由于技术的突飞猛进，渐渐地已开始应用于个人电脑之上。SDRAM与传统动态内存主要的不同在于SDRAM具有下列特性： SDRAM使用一个同步时钟(Clock)输入, 从而使一切读取及写入数据的动作均与系统同步, 而传统动态内存是通过控制RAS#, CAS# 信号的波形相位,达到控制内存的读取及写入数据动作及刷新(Refresh Mode) . 爆发式中,当在读取周期时, 由系统给予第一个数据地址 , SDRAM内建的列地址产生器(Column Address Generator)将自动产生下一个数据的地址, 所以系统可连续读取数笔数据并提高读取速度 . 状态寄存器(Mode Register) 可调整SDRAM的运作模式 . [ 动态内存 ] | DIMM内存模块 | 同步动态内存（SDRAM） | EDO动态内存模块（EDO DRAM） || 爆发式EDO动态内存模块（Burst EDO DRAM） | 爆发式 EDO 动态内存模块（Burst EDO DRAM）Burst EDO DRAM是由EDO DRAM及内建的二进制列地址产生器和控制寄存器所组成。当以爆发式读取第一个数据时 ,列地址产生器(Address Generator)将自动产生下一个数据的地址, 所以系统可连续读取数个数据, 提高读取速度，提高系统效率, 比一般EDO DRAM 可提高40个百分点左右的效率。 [ BIOS ] | 即插即用BIOS （Plug and Play BIOS） | Flash ROM | SOFT MENUTM | 即插即用BIOS （Plug and Play BIOS）ISA Bus的架构需要为不同的外设卡分配内存地址空间、输入/输出地址以及DMA通道和中断信号。所以一般使用跳线开关 , 以便更改分配给外设卡的内存地址空间、输入/输出地址以及DMA通道和中断信号，造成用户极大的困扰，Plug and Play(PnP) BIOS是为解决这一问题而设计的。PnP BIOS使用一个内存块定义并记录下外设卡的设定，当使用PnP的外设卡时，它会自动为PnP 外设卡分配一组无冲突的正确参数 , 所以用户无须再担心