07_XRAM解读.ppt

先看下2页 注意:地址总线、数据总线、控制总线换成C8051的地址总线、数据总线、控制总线 74ls139(2-4译码器)真值表： 地址锁存器作用： 如果不用总线示意，该如何画图。 芯片地址： 特点：地址连续 1 1 0 1 AB=10 1 0 1 1 AB=01 1 1 1 0 AB=11 0 1 1 1 AB=00 Y0 Y1 Y2 Y3 C000-FFFF 8000-BFFF 4000-7FFF 0000-3FFF ADDRESS IC4 IC3 IC2 IC1 推广： 利用74ls138(38译码器) 非复用方式 外扩8片8KSRAM 地址分析 5.3.2 线选法 8282：地址锁存器 地址分析 线选法 非复用方式 外扩3片8KB SRAM 地址分析 线选法特点：地址不连续 5.4 外扩IO芯片(在XRAM空间) 5.4.1外扩8255 8255简介： 3个并口PA PB PC 4个寄存器： A1A0 = 00时，对8255PA读写 A1A0 = 00时，对8255PB读写 A1A0 = 00时，对8255PC读写 A1A0 = 00时，对8255控制寄存器(设置8255工作方式)读写 5．外部数据存储器接口和片内XRAM C8051F02x 由64K外部数据存储器空间，C8051F02x内部有位于外部数据存储器空间的8K字节片上RAM（地址0000-1FFF），还有外部数据存储器接口（EMIF），可用于访问片外存储器和存储器映射的I/O 器件。 扩展外部数据存储器和IO接口有两种方式可选： 复用方式、非复用方式 片选 非复用方式写时序 ①CPU同时给出高8位地址(通过P1或P5)和低8位地址(通过P2或P6)，CPU在数据总线(P3或P7)上把待写的数据准备好。 ②CPU控制写有效(读无效)，数据写入外部RAM或IO口 非复用方式读时序 ①CPU同时给出高8位地址和低8位地址 ②CPU控制读有效(写无效) ③延时片刻，外部RAM或IO接口将数据送到数据总线(CPU接收) 复用方式写时序 前半段：①CPU准备好高8位、低8位地址 ②CPU控制ALE有效(下降沿)，低8位地址锁存到地址锁存器中，高8位地址依然有效 复用方式写时序 后半段：①CPU提供高8位地址，地址锁存器提供低8位地址 ②CPU在地址/数据分时复用总线上输出数据 ③CPU控制写有效(读无效)，数据写入外部RAM或IO接口 复用方式读时序 前半段：①CPU准备好高8位、低8位地址 ②CPU控制ALE有效(下降沿)，低8位地址锁存到地址锁存器中，高8位地址依然有效 复用方式读时序 后半段：①CPU提供高8位地址，地址锁存器提供低8位地址 ② CPU控制读有效(写无效)， RAM或IO接口向地址/数据分时复用总线写入数据③ CPU在地址/数据分时复用总线上输出数据 8K=8192=0x2000 16 位MOVX 示例 16 位形式的MOVX 指令访问由DPTR 作数据指针。下面的指令将地址0x1234 的内容读入累加器A： MOV DPTR, #1234h MOVX A, @DPTR 上面的例子使用16 位立即数MOV 指令设置DPTR 的内容。 MOV DPH, #12h MOV DPL, #34h MOVX A, @DPTR 8 位形式的MOVX 指令使用特殊功能寄存器EMI0CN 的内容给出待访问地址的高8 位，由R0 或R1 的内容给出待访问地址的低8 位。下面的指令将地址0x1234 的内容读入累加器A： MOV EMI0CN, #12h MOV R0, #34h MOVX A, @R0 8 位MOVX 示例 1. 将EMIF 选到低端口(P3、P2、P1 和P0)或选到高端口(P7、P6、P5 和P4)。 2. 配置端口引脚的输出方式为推挽或漏极开路(最常用的是推挽方式)。 3. 配置对应EMIF 引脚的端口锁存器为休眠态(通常将它们设置为逻辑‘1’)。 4. 选择复用方式或非复用方式。 5. 选择存储器模式(只用片内存储器、不带块选择的分片方式、带块选择的分片方式或只用片外存储器)。 6. 设置与片外存储器或外设接口的时序。 下面下面将对上述6 个步骤作出详细说明。端口选择、复用方式选择和存储器模式位都位于EMI0CN寄存器中。 配置外部存储器接口标准流程 位7-6： 未用。读 = 00b，写 = 忽略。 位5： PRTSEL：EMIF 端口选择位 0：EMIF 在P0-P3（默认在低端口）。 1：EMIF 在P4-P7。 EMI0CF: 外部存储器接口配置寄存器 端口选择和配置 位4： EMD2：EMIF 复用方式选择位 0：EMIF 工作在地址/数据 复用方式。 1：EMIF 工作在地址/数据非