[工艺材料及性能.docVIP

材料 进口陶瓷基片厚度：0.38mm，0.25mm 国产陶瓷基片厚度：0.4mm，0.5mm，0.8mm，1.0mm 1.1导电胶 品名 特性 Ablestik 84-1A 填充：银 粘度：18,000cps@25℃ 固化条件： 10min/6min@180℃/200℃ 冲模抗切强度（70miF 1C）：6000psi@25℃ 体电阻率：0.0005Ω/cm 粹取水杂质离子含量 氯化物：50ppm 钠：5ppm 钾：5ppm 导电率：35umhos/cm 玻璃化转变温度（Tg）：99℃ 热膨胀系数：53ppm/℃（温度小于Tg），23ppm/℃（温度大于Tg） 热传导系数：1.9W/mK@121℃ 存储时间：1年@-40℃ AIT ME8456 无应力，大面积芯片固定 体电阻率：＜4*10-4Ω/cm 热传导率：＞7.9W/m℃ 冲模抗切强度：＞2000psi Tg：-20℃ 粘度：130,000cps@0.5rpm ME8550DA 高生坯强度，抗湿 体电阻率：＜4*10-4Ω/cm 热传导率：＞7.9W/m℃ 冲模抗切强度：＞1000psi Tg：-55℃ 粘度：20,000cps@0.5rpm DAD-87 粘度：15000~25000mpa.s 体积电阻率：≤5.0*10-4Ω.cm 室温剪切强度：≥4.0Mpa@Al, ≥6.4Mpa@铝合金, ≥9.9Mpa@黄铜,≥0.5Mpa@紫铜,≥8.2Mpa@镀金≥8.6Mpa@镀银,≥10.4Mpa@镀镍,≥2.0Mpa@200℃ 粹取水杂质离子含量 钠：5mg/g 氯离子：10g/g 玻璃化转变温度（Tg）：99℃ 热分解温度：341℃ 电阻温度系数：0.0022/℃ EPOXY TECHNOLOGY H37MP 固化温度：150℃~1h 粘度：22000~26000cps@10rpm@23℃ 玻璃化温度：≥90℃， 芯片剪切力：≥10Kg/3400psi 体电阻率：≤0.0005Ω/cm 导热率：1.59W/mK 热膨胀系数：52*10-6~148*10-6/in/in/℃ 失效温度：358℃ 最大连续操作温度：200℃ 操作时间：28天 1.2绝缘胶 型号 特性 ME7156 无应力，不匹配热膨胀系数（mismatched CTE’s） 体电阻率：＞1014Ω/cm 热传导率：＞1.7W/m℃ 冲模抗切强度：＞2400psi Tg：-25℃ 粘度：144,000cps@0.5rpm ME7159 无应力，diamond filled 体电阻率：＞1014Ω/cm 热传导率：＞11.4W/m℃ 冲模抗切强度：＞1800psi Tg：-25℃ 粘度：310,000cps@0.5rpm 1.3焊锡 AuSn 1.4外贴元器件 薄/厚膜工艺不能提供的分立元器件 （1）电阻器 常用的为贴片电阻器、非包封电阻器。 贴片电阻是将金属粉和玻璃铀粉混合，通过丝网印刷在基板上制成的电阻器。耐潮湿、高温，温度系数小。工作温度-55~125℃，最大工作电压与尺寸有关，一般有50V，150V，200V。 非包封电阻器带有引线，可满足特殊场合和性能。典型的由1/8瓦碳合成电阻器和1/20瓦金属膜电阻器。 （2）电容器 焊盘 常用芯片尺寸与推荐的焊盘尺寸 芯片 芯片尺寸(mm) 焊盘尺寸(mm) 2p, 9.4p 0.6*0.54 0.9*0.9 20p 0.6*0.6 0.9*0.9 45p 0.84*0.84 1.2*1.2 90p, 140p, 180p, 200p 1.0*1.23 1.4*1.6 3356 0.38*0.38 0.7*0.7 581 0.4*0.65 0.8*1.0 9511 0.38*0.38 0.7*0.7 41400 0.25*0.25 0.5*0.5 221, 10p, 6p 0.3*0.3 54 0.5*0.5 最大 0.6*0.6 对焊盘的要求： （1）用环氧胶粘接时，焊盘的边长应比芯片对应边长200um以上 （2）用共熔焊贴片时，焊盘边长应比芯片对应边长300um以上 （3）焊盘尺寸应比片状元件尺寸大200um 以上 （4）贴片焊盘边缘到相邻图形的间距，推荐200um以上，最小100um 工艺 电路互联：将外贴元器件组装到混合集成电路中去。互联分类为：合金键合、固相键合、熔焊、导电胶粘合。 键合的有关规定 (1)键合点与贴装元件边缘距离大于0.4mm (2)芯片边到基片上的键合点最小距离是0.3mm (3)键合点到管壳壁的最小距离是1.0mm (4)布线图上点到点测量的焊线最大长度小于2.5mm (5)键合线尽量在x,y方向，尽量减少斜线 (6)键合