半导体实验报告1..doc

半导体工艺学实验报告 电子1002班 王紫芙氧化： 25.1.1 go athena #TITLE: Oxide Profile Evolution Example # Substrate mesh definition line y loc=0 spac=0.05 line y loc=0.6 spac=0.2 line y loc=1 line x loc=-1 spac=0.2 line x loc=-0.2 spac=0.05 line x loc=0 spac=0.05 line x loc=1 spac=0.2 init orient=100 # Anisotropic silicon etch etch silicon left p1.x=-0.218 p1.y=0.3 p2.x=0 p2.y=0 # Pad oxide and nitride mask deposit oxide thick=0.02 div=1 deposit nitride thick=0.1 div=1 etch nitride left p1.x=0 etch oxide left p1.x=0 # Field oxidation with structure file output for movie diffuse tim=90 tem=1000 weto2 dump=1 dump.prefix=anoxex01m tonyplot -st anoxex01m*.str structure outfile=anoxex01_0.str quit 这个例子演示了鸟嘴剖面进化的过程。由于氧在二氧化硅中的扩散是一个等向性过程，因此，氧也会通过氮化硅下面的衬垫二氧化硅层进行横向扩散，在靠近刻蚀窗口的氮化硅层底下就会生长出二氧化硅。由此产生了鸟嘴效应。这是LOCOS工艺中一种不好的现象，氧化物越厚，“鸟嘴效应”更显著。通常会在氮化物和硅之间生长一层薄氧化层，称之为垫氧(pad oxide)， 这样可以有效的减小氮化物掩膜和硅之间的应力。另外采用（111）晶向的P沟工艺比采用（100）晶向的N沟工艺有更短的“鸟嘴”；若SiO2膜加厚，则可减小缺陷，但“鸟嘴”就增大。并看整个过程首先Edit-select all，然后Tools-movie。 25.1.2 go athena #TITLE: Mixed Ambient Oxidation Example # This example demonstrates mixed ambient oxidation in 1D # foreach gas (2. to 8. step 2.) # line x loc=0.0 sp=1.0 line x loc=1.0 sp=1.0 line y loc=0.0 sp=0.05 line y loc=1.0 sp=0.05 initialize # diffuse time=60 temperature=1000 f.o2=gas f.h2=20. structure outfile=anoxex02_gas.str # end tonyplot -st anoxex02*.str quit 这个例子演示在一维的混合环境氧化。这个气体流可以指定在相对于每个单位流的氧气、水、氢、氮，通过参数F.O2、F.H2O、F.H2、F.N2的扩散语句定义气体的流速。 修改参数： diffuse time=60 temperature=1000 f.o2=gas f.h2=40. 25.1.9 go athena #TITLE: Orientation dependent Oxidation Example line y loc=0 spac=0.1 line y loc=4 spac=0.1 line x loc=-1 spac=0.1 line x loc=1 spac=0.1 # #initialize with orientation of sidewalls along 100 direction init orient=100 rot.sub=0 method gridinit.ox=0.02 grid.ox=0.02 # Anisotropic silicon etch etch silicon right p1.x=0.0 p1.y=2.0 p2.x=0.0 p2.y=0.0 # Field oxidation diffuse time=20 tem=1000