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金属氧化物半导体场效应晶体管[精选]
金属-氧化物-半导体场效应晶体管 Metal Oxide Semiconductor Filed Effect Transistor MOSFET 半导体 定义:半导体( semiconductor),指常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。 半导体按化学成分分类 锗和硅是最常用的元素半导体; 化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物(砷化镓、磷化镓等)、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体(镓铝砷、镓砷磷等)。 半导体按结构分类 P型半导体的导电特性:它是靠空穴导电,掺入的杂质越多,多子(空穴)的浓度就越高,导电性能也就越强。 N型半导体:在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置形成N型半导体。 PN结的形成过程 在无外电场和其它激发作用下,参与扩散运动的多子数目等于参与漂移运动的少子数目,从而达到动态平衡,形成PN结。 晶体管 晶体管,本名是半导体三极管,是内部含有两个PN结,外部通常为三个引出电极的半导体器件。 由两个背靠背PN结构成的具有电流放大作用的晶体三极管,双极型晶体管有两种基本结构:PNP型和NPN型。 双极型晶体管分类 NPN型三极管,由三块半导体构成,其中两块N型和一块P型半导体组成,P型半导体在中间,两块N型半导体在两侧。 双极型晶体管分类 由两块P型半导体中间夹着一块N型半导体所组成的三极管,称为PNP型三极管。 晶体管的特性曲线 饱和区:iC明显受vCE控制的区域,该区域内,一般vCE<0.7V (硅管), iC不受iB控制。此时,发射结正偏,集电结正偏或反偏电压很小。 放大区:iC平行于vCE轴的区域,曲线基本平行等距,说明iC主要受iB控制此时,发射结正偏,集电结反偏。 晶体管的特性曲线 截止区:iC接近零的区域,相当iB=0的曲线的下方。此时, vBE小于死区电压。此时,发射结和集电结均反向偏置 金属-氧化物-半导体绝缘栅型场效应管 (Metal-Oxide-Semiconductor type FET) MOSFET由一个MOS电容和靠近MOS栅控区域的两个PN结组成。 N沟道增强型MOSFET 结构 器件版图和结构参数 结构参数:沟道长度 L、沟道宽度 W 、栅氧化层厚度T 、 源漏PN结结深X 材料参数:衬底掺杂浓度 N、载流子迁移率u 工作原理 电路连接 直流特性的定性描述:转移特性 工作在饱和区时,MOS管的正向受控作用,服从平方律关系式: 转移特性曲线反映VDS为常数时,VGS对ID的控制作用,可由输出特性转换得到。 NEMOS管输出特性曲线 输出特性曲线可划分四个区域:非饱和区、饱和区、截止区、击穿区。 非饱和区(又称可变电阻区) 特点:ID同时受UGS与UDS的控制。 NEMOS管输出特性曲线 饱和区(又称恒流区)特点:ID只受UGS控制,而与UDS近似无关,表现出类似三极管的正向 受控作用。 VGS(th)—开启电压,开始有ID时对应的VGS值 击穿区 截止区(ID =0以下的区域)IG≈0,ID≈0 输出特性曲线 ID =0 时对应的VGS值? 夹断电压VGS(off) 。 VGS=0 时对应的ID 值? 饱和漏电流IDSS * 姓名:黄钰凯 导师:凌智勇 栅 氧化层 硅衬底 源区-沟道区-漏区 P P + N + N + S G D U VDS - + 栅?衬之间相当于以SiO2为介质的平板电容器。 - + VGS ID/mA VDS /V 0 VDS = VGS –VGS(th) VGS =5V 3.5V 4V 4.5V ID/mA VGS /V 0 1 2 3 4 5 VDS = 5V VDS = 5V 转移特性曲线中,ID ≈0 时对应的VGS值, 即开启电压VGS(th) 。 ID/mA VDS /V 0 VDS = VGS –VGS(th) VGS =5V 3.5V 4V 4.5V ID/mA VDS /V 0 VDS = VGS –VGS(th) VGS =1V -1. 5V - 1V -0. 5V 0V 0. 5V -1. 8V ID/mA VGS /V 0 VGS(th) *
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