★2011年川大《模电》期终复习自查要求(第一部分《十章复习+9章复习》》-第二部分：余下全部[精选].ppt

【一】 填空题 1.图(a)中VD1、VD2是硅管，它们限制了运放A净输入电压幅度小于_____ V，这里加入VD1、VD2的作用是__________；电路正常工作的净输入电压约为_____ V，这时VD1、VD2处于_____状态。 2. 图(b)中开关S1合，S2断时，电路输出Uo的波形是_____ 。电路正常工作时二极管的导通截止情况是：u20 时，_____、_____导通，_____、_____截止；u20 时，_____、_____导通，_____、_____截止；一个周期内导通二极管平均流过的电流是_____Io、截止时二极管承受的反电压_____u2。 3. 图(b)中开关S1合，S2合时，一般取τ＝RLC≥（3－5）T/2时，输出Uo的波形是_____ 。若RL→∞，Uo=Uc，其电压幅度_____u2。技术上RL取一般适当值，输出电压Uo取平均约定_____u2 4.在给出的图（a）硅型二极管的电路中；判断二极管导通或截止：D1_____；D2_____，按二极管的恒压降模型输出的电压UAO_____V。图（b）硅型二极管的电路中，D1_____；D2_____，按二极管的恒压降模型输出的电压UAO_____V。 5.已知一个放大电路，主要器件参数，电源Vcc=10V，三极管β=50等，还有些外围器件待定参数，用作图法给出图（c）的负载线，请分析图上三点A、B、C，其中_____点作为线形放大的静态工作点最好，该点的ICQ_____mA； UCEQ_____V，处于三极管输出特性中_____区；偏置基级电流IBQ应为_____mA。其它两点分别位于_____点位于__ ___区；____点位于_____区。在作图法设计电路中，为了三极管安全地工作，还需注意________区的要求。 【二】画电路的电压/电流的波形图（P53） 已知一个直流线形偏置好的放大电路，请按时序画出下图标明的的交直流描述的瞬时值的波形图，具体要求如图所示：  【三】分析说明简答（P53）给出LM386芯片电路或部分电路；分析回答问题 电路概述： a）前置级是由三极管T1—T4构成的复合PNP管的差动放大电路，由T5、T6构成的镜像电流源作为有源负载,并从T4以单端电流差动形式耦合到电压放大级,以实现双端电压差动耦合的高共模抑制比的性能。 给出LM386芯片电路结构说明（续） b）电压放大级是由VT7、VD1、 VD 2、rce构成，其中VT7构成共射态的电压放大中间级，放大输入级单端输出信号的电压； c）VT8、VT9等效于一个PNP型管，它和VT10，VD1、VD2组成的0TL互补对称功率放大输出级。 d）续LM386专用特点：内部固定的电压串联负反馈 【举例一】 给出LM386电路图，请简要回答：(1)该集成块中间级-电压放大级的表达式Au2，Ri；(2)功放级Au3；最大输出Pom、最大效率η；（3）该专用芯片最小放大倍数Auf。 【举例二】 给出LM386电路的前置放大级的局部电路图，请分析回答下面问题：1）VT5和VT6构成的镜像源对差动放大管VT13、VT24供电及交、直流的镜像作用。2）复合管VT24集电极的单端输出电流?io与?ic24及?ic13近似关系式？3）这种类似电路在LM741芯片电路中用过吗？ 【四】计算题基础放大类4；负反馈类2题；运算应用类6 题 1、（P48） 给出单管线形放大电路，三极管的β=50，其它器件参数如图给出 1）分别画出直流通路图和交流等效电路图； 2）计算静态偏置工作点； 3）计算该放大电路的Ri、Ro，Au=uo/ui；Aus=uo/us。 2、 （P106，作业2-15）设给出电路图中三极管β=100，UBEQ=0.6V，rbb’=100Ω,Vcc=10V，Rc=3KΩ，Re=1.8KΩRF=200Ω，Rb1=33KΩ，，Rb2=100KΩ，RL=3KΩ，电容C1、C2、Ce均足够大。 ①求静态工作点；②画出微变等效电路； ③求Auf=Uo/Ui（可以估算）；④说明该电路的两个以上的优点。 3、（P198公式+作业5-9） 给出如图所示放大电路中，已知Vcc=VEE=15V， Rc1=Rc2=10KΩ, R1=R2=0.5KΩ,负载电路RL=20KΩ，恒流源Io=0.2mA，假设各三极管的β=50，rbe1=rb2=13.5 KΩ  1）估算双端差模电压放大倍数Aud= uo/（ui1-ui2）；2）写出单端输出表达式，说明差模电压放大倍数、共模抑制能力如何变化？ 4、（P198公式+作业5-9）给出如图所示放大电路中，已知Vcc=VEE=9V,Rc1=Rc2=47KΩ, R1=R2=10KΩ, 负载RL=20K