江璐微电子实验四解读.doc

微电子器件与电路实验报告 姓名 江璐 学号 1315212017 合作人 无 实验时间 2015.12.3 实验成绩 教师签名 实验名称 实验四 MOSFET电学特性测试 实验设备 (1)计算机 (2)Multisim 12 实验目的 1.MOSFET IV 特性测试以及温度对IV特性的影响 2.MOSFET RDS(线性区)和GM(饱和区)随栅源电压变化特性曲线 3.MOSFET Kn（Kp）测试 4. MOS栅电容CV特性测试 实验内容 1. MOSFET IV特性测试(IV分析仪，DC扫描) 2.温度对MOSFET IV特性影响 3.RDS-VGS曲线测试，GM-VGS曲线测试 4.Kn(Kp)测试 5.MOSFET CV特性测试 实 验 报 告 要 求 1. 实验前按要求阅读器件说明文档，阅读实验操作文档，熟悉实验过程及操作步骤 2. 按实验报告要求操作、记录数据(波形)、处理数据(波形) 实 验 记 录： 实验4.1 MOSFET IV特性测试(IV分析仪) 使用IV分析仪对增强型NMOS、增强型PMOS、耗尽型NMOS IV特性分析 实验4.2 MOSFET IV特性测试(DC分析) 使用DC扫描对增强型NMOS、增强型PMOS、耗尽型NMOS IV特性分析 实验4.3 温度对MOSFET IV特性的影响 使用温度扫描分析对增强型NMOS、增强型PMOS进行扫描，分析温度对器件IV特性影响 实验4.4 MOSFET RDS测试 测试小信号MOSFET和功率MOSFET源漏电阻随VGS变化曲线 实验4.5 GM随VGS变化曲线 测试小信号MOSFET在饱和区条件下，GM随VGS变化曲线 实验4.6 MOSFET Kn和Kp测试 设计一种方案，用于测试MOSFET的Kn和Kp 实验4.7 MOSFET 栅电容CV特性测量 设计一种方案，用于测试MOSFET的栅电容的CV特性曲线  实验4.1 MOSFET IV特性测试(IV分析仪) ①2N7002 IV特性曲线波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并抓取VDS=6V时每一个VGS对应的电流【波形打印出来必须清晰】。 ②PHP125 IV特性曲线波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并抓取VSD=6V时每一个VSG对应的电流【波形打印出来必须清晰】。 ③BSS129 IV特性曲线波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并抓取VDS=6V时每一个VGS对应的电流【波形打印出来必须清晰】。 实验4.2 MOSFET IV特性测试(DC扫描) ①2N7002 IV特性曲线波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并抓取VDS=6V时每一个VGS对应的电流【波形打印出来必须清晰】。 ②PHP125 IV特性曲线波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并抓取VSD=6V时每一个VSG对应的电流【波形打印出来必须清晰】。 ③BSS129 IV特性曲线波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并抓取VDS=6V时每一个VGS对应的电流【波形打印出来必须清晰】。 实验4.3 温度对MOSFET IV特性的影响 ①2N7002 温度特性曲线波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并抓取指定温度点的电流大小【波形打印出来必须清晰】。 ②PHP125 温度特性曲线波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并抓取指定温度点的电流大小【波形打印出来必须清晰】。 实验4.4 MOSFET RDS测试 ①2N7002 RDS随VGS变化曲线放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并抓取每一个VGS电压点的RDS【波形打印出来必须清晰】。 ②PHP125 RDS随VGS变化曲线放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并抓取每一个VGS电压点的RDS【波形打印出来必须清晰】。 ③2N6755 RDS随VGS变化曲线放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并抓取每一个VGS电压点的RDS【波形打印出来必须清晰】。 ④BSP205 RDS随VGS变化曲线放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并抓取每一个VGS电压点的RDS【波形打印出来必须清晰】。 实验4.5 MOSFET gm随VGS变化曲线测试 ①2N7002gm随VGS变化曲线放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并抓取每一个指定VGS电压点的gm【波形打印出来必须清晰】。 ②PHP125 gm随VGS变化曲线放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并抓取每一个指定VGS电压点的gm【波形打印出来必须清晰】。 实验4.6 MOSFET Kn和Kp测试 设计的NMOS器件的Kn的测试方案如下