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(第三章半导体异质结
思考题 试分析高势垒尖峰异质结的反向I-V特性。 为什么HBT的频率特性比BJT好？ 第二次课堂作业 1）为什么要求异质结的晶格匹配？如何能够实现异质结的晶格匹配？ 2）若异质结的晶格不匹配，采用什么方法能够保证异质结界面处不产生缺陷（悬挂键）？ 3）应变外延层厚度与什么有关？ 3.3 量子阱与二维电子气 3.3.2 双异质结间的单量子阱结构 2、价带量子阱中的空穴能态 （1）二维空穴气：2DHG （2）量子阱中的空穴能态 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 第三章 半导体异质结 异质结及其能带图 异质结的电学特性 量子阱与二维电子气 多量子阱与超晶格 半导体应变异质结 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 3.4 多量子阱与超晶格 超晶格：几种成分或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠， 构成一种特殊的人工晶体。 超晶格周期：重叠周期，小于电子的平均自由程,可人工控制 超薄层厚度：足够薄(与电子的波长相当),使相邻势阱的电子 波函数重叠。 周期性势场：1)各薄层的晶格周期性势场；2）超晶格的周期 性势场。 (a)单量子阱 (b)多量子阱 (c)超晶格 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 3.4 多量子阱与超晶格 多量子阱（a）和超晶格（b）中电子的波函数 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 3.4 多量子阱与超晶格 3.4.1 复合超晶格 1、Ⅰ型超晶格 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 3.4 多量子阱与超晶格 3.4.1 复合超晶格 1、Ⅰ型超晶格 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 3.4 多量子阱与超晶格 3.4.1 复合超晶格 2、 Ⅱ型超晶格 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 3.4 多量子阱与超晶格 3.4.2 掺杂超晶格 n-GaAs/p-GaAs体系 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 第三章 半导体异质结 异质结及其能带图 异质结的电学特性 量子阱与二维电子气 多量子阱与超晶格 半导体应变异质结 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 3.5 半导体应变异质结 3.5.1 应变异质结 1、应变异质结的形成 2、应用 超过临界厚度后，弛豫Si1-xGex形成 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 3.5 半导体应变异质结
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