阻容类电子元件识别[精选].ppt

电容器 电容器的选用 铝电解电容 1~10000μF 4~500 直流，脉动直流 Ⅳ Ⅴ 钽、铌电解电容 0.47～1000μF 6.3～160 直流，脉动直流 Ⅲ Ⅳ 瓷介微调电容 2/7～7/25pF 250～500 高频 1000～10000 可变电容 最小7pF 最大1100pF 100 高频、低频 500 电容器 电容器的选用 电容器选用的一些经验 ●在电源滤波和退耦电路中应选用电解电容器；在高频电路和高压电路中应选用瓷介和云母电容器；在谐振电路中可选用云母、陶瓷和有机薄膜等电容器：用作隔直流时可选用纸介、涤纶、云母、电解、陶瓷等电容器：用在谐振回路时可选用空气或小型密封可变电容器，云母、高频陶瓷电容器等。 ●在业余制作电路时，一般不考虑电容器的允许误差，但对于用在振荡和延时电路中的电容器，其允许误差应尽可能小（一般小于5%）：在低频耦台电路中的电容误差可以稍大一些（一般为10%～20%）。 ●由于线性电源滤波（以桥式整流输出滤波为例）的脉动电流较小、频率较低，对电容器的要求稍低一些。因此，线性电源滤波电路一般采用电解电容器与非电解电容器并联的方式。其中，电解电容器用来滤除低频交流信号，非电解电容器用来滤除高频交流信号。 ●开关电源滤波的脉动电流较大、频率较高，这就对电容器的选用要求较高。这时，通常希望电容器的损耗角较小，这样电容器的内阻就会较小，因此就需要采用多个电容器并联的办法进一步降低内阻，这样对于频率高、脉动电流较大的电路，电容器的发热量可以控制在一定范围内，降低对电路的影响；同时还要注意采用漏电小的电容器，以减小温升。 ●大规模高频、高速集成电路对电容器的要求较高，如高速DSP或是FPGA等芯片，它需要的电压一般在1～1.5V之间，允许纹波一般在60mV以内；I/O电压一般在1.8～3.3V之间，允许纹波一般在360mV以内；并且采用数十个电源脚。这就需要对每个电源脚用一个贴片高频电容器在靠近引脚处进行滤波。 电容器 电容器的选用 MLCC——贴片多层陶瓷电容器的选用注意事项 ● MLCC根据材料大致有C0G（NPO）、X7R、Z5U、Y5V 等不同规格 C0G电容器具有高温度补偿特性，适合作旁路电容和耦合电容 ；X7R电容器是温度稳定型陶瓷电容器，适合要求不高的工业应用 ；Z5U电容器特点是小尺寸和低成本，尤其适合应用于去耦电路 ；Y5V电容器温度特性最差，但容量大，可取代低容铝电解电容 。C0G、X7R、Z5U、Y5V的温度特性、可靠性依次递减，成本也是依次减低的。在选型时，如果对工作温度和温度系数要求很低，可以考虑用Y5V的，但是一般情况下要用X7R，要求更高时必须选择C0G的。并且C0G、X7R、Z5U 、Y5V介质的介电常数也是依次减少的，所以，同样的尺寸和耐压下，能够做出来的最大容量也是依次减少的。所以要了解MLCC厂家的实际生产状况，避免列出一些很少生产甚至不存在的规格。 ●在选择MLCC时还必须考虑到它的直流偏置效应，在某一特定频率下，在一个陶瓷电容上加直流偏置电压会改变元件的特性 。电容上的电场使内部分子结构产生“极化”，引起介电常数的暂时改变，不幸的是，是变小，导致电容量下降。电容的外壳尺寸越小，由直流偏置引起的电容量降量百分比就越大。若外壳尺寸一定，则直流偏置电压越大，电容量降量百分比也越大。系统设计人员为节省空间用0603电容代替0805电容时，必须相当谨慎。应该记住向生产厂商索要系统最常用电压的综合曲线。 电容器 电容器的选用 常用电容品牌 美国：AVX、KEMET基美、Skywell泽天、VISHAY威世 英国：NOVER诺华 德国：EPCOS、WIMA威马 丹麦：JENSEN战神 日本：ELNA伊娜、FUJITSU富士通、HITACHI日立、KOA兴亚、Kyocera京瓷、Matsushita松下、muRata村田、NEC、nichicon（蓝宝石）尼吉康、Nippon Chemi-Con（黑金刚、嘉美工）日本化工、Panasonic松下、Raycon威康、Rubycon（红宝石）、SANYO三洋、TAIYO YUDEN太诱、TDK、TK东信 韩国：SAMSUNG三星、SAMWHA三和、SAMYOUNG三莹 台湾：CAPSUN、CAPXON（丰宾）凯普松、Chocon、Choyo、ELITE金山、EVERCON、EYANG宇阳、GEMCON至美、GSC杰商、G-Luxon世昕、HEC禾伸堂、HERMEI合美电机、JACKCON融欣、JPCON正邦、LELON立隆、LTEC辉城、OST奥斯特、SACON士康、SUSCON 冠佐、TAICON台康、TEAPO智宝、WALSIN华新科 YAGEO国巨 香港：FUJICON富之光、SAMXON万裕 中国：A