抛光片标准规格及术语全解.ppt

rms Microroughness Microroughness 微粗糙度 在不规则物之间的间隔小于100um时的表面粗糙度分量； rms Microroughness均方根微粗糙度 在求值长度L内得出的表面轮廓高度与平均线的偏差Z（x）的平方根。 rms（均方根）微粗糙度Rq是常用于描述表面轮廓的几种统计度量之一。 Back Surface Visual Characteristics Edge Chips [ ]None; [ ]Other; [ ]SEMI MF523; [ ]JIS H 0614; Edge Cracks [ ]None; [ ]Other; [ ]SEMI MF523; [ ]JIS H 0614; Cracks, Crows Feet [ ]None; [ ]Other; [ ]SEMI MF523; [ ]JIS H 0614; Contamination/Area [ ]None; [ ]Other; [ ]SEMI MF523; [ ]JIS H 0614; Saw Marks [ ]None; [ ]Other; [ ]SEMI MF523; [ ]JIS H 0614; Stains [ ]None; [ ]Other; [ ]SEMI MF523; [ ]JIS H 0614; Roughness [ ]___________nm rms [ ]SEMI M40; Brightness (Gloss) [ ]_____ _________ [ ]ASTM D523; [ ]JIS Z 8741; Scratches—Macro [ ]None; [ ]Cum Length =[ ]mm [ ]ASTM D523; [ ]JIS H 0614; Scratches—Micro [ ]None; [ ]Cum Length =[ ]mm [ ]SEMI MF523; [ ]JIS H 0614; Localized Light Scatterers Size:≥[ ]um (LSE) Count:≤[ ] [ ] per wafer; [ ] per cm2 [ ]SEMI MF523; [ ]JIS H 0614; [ ]SSIS; FPD—Focal Plane Deviation 焦平面偏差 晶片表面的一点平行于光轴到焦平面的距离。 Total Thickness Variation (TTV) 总厚度变化 在厚度扫描或一系列点的厚度测量中，所测硅片最大厚度与最小厚度的绝对差值。 Bow 弯曲度 自由无夹持晶片中卫面的中心点和中卫面基准面间的偏离。中位面基准面是指定的小于晶片标称直径的直径圆周上的三个等距离点决定的平面。硅片中心面凹凸变形的度量。与厚度无关，是硅片的一种体特质而不是表面特性。 Warp 翘曲度 在质量合格区内，一个自由的，无夹持的硅片中位面相对参照平面硅片的最大和最小距离的差值，是硅片的一种体特质而不是表面特性。 Global Site Flatness Global Flatness 全局平坦度 在FQA内，相对规定基准平面点的TIR或FPD的最大值。 Site Flatness 局部平坦度 在FQA内，局部区域内的TIR或FPD中的最大值。 Reference Plane 基准面 由以下的一种方式确定的平面： a) 晶片正表面上指定位置的三个点； b) 用FQA内的所有的点对晶片正表面进行最小二乘法去拟合； c) 用局部区域内的所有的点对晶片正表面进行最小二乘法拟合； d) 理想的背面(相当于与晶片接触的理想平坦的吸盘表面)； 选择规定的基准面应考虑成像系统的能力，应根据晶片放置系统选用正表面或背表面为基准面。如果成像系统中晶片不能用方向夹具固定，应规定背面为基准面。 Sori 峰-谷差 硅片在无吸盘吸附状态下，正表面与基准面的最大正偏差和最小负偏差之间的差值。基准面是对正面进行最小二乘法拟合得到的。 Flatness, Site Site 局部区域 硅抛光片前表面上的一种矩形局域。矩形的边平行和垂直主参考面或切口的等分角线。矩形的中心在FQA内。 FQA （fixed quality area）合格质量区 标称边缘去除X后，所限定的硅抛光片表面的中心区域，该区域内各参数的值均符合规定值。 25 X 25 局部区域 Site Flatness 局部平坦度 在FQA内，局部区域的TIR或FPD得最大值。 STIR 局部总指示读数 SFPD 局部焦平面偏差 平整度确定网络 Front Surface Chemistry Sodium [ ]Not greater than [ ] xE[ ] atoms/cm