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1、基尔霍夫定理的内容是什么?   在集总参数电路中电流、电压要受到两种约束 ,因为电路元件之间的互连必然迫使诸元件中的电流之间和诸元件上的电压之间 有联系或者说约束,体现这种约束的是基尔霍夫定律。 (1) 基尔霍夫第一定律 第一定律又称基尔霍夫电流定律,简记为KCL,是电流的连续性在集总参数电路上的体现,其物理背景是电荷守恒公理。 KCL的第一种陈述:对于任一集总电路中的任一点,在任一时刻,流出(或流进)该节点的所有支路电流的代数和为零。 KCL的第二种陈述:对于任一集总电路中的任一闭合面,在任一时刻,通过该闭合面的所有支路电流的代数和等于零。 (2) 基尔霍夫第二定律 第二定律又称基尔霍夫电压定律,简记为KVL,是电场为位场时电位的单值性在集总参数电路上的体现,其物理背景是能量守恒公理。 KVL可表述为对于任一集 总电路中的任一回路,在任一时刻,沿着该回路的所有支路电压降的代数和为零。(仕兰微电子)   2、平板电容公式(C=εS/4πkd)(未知)   3、最基本的如三极管曲线特性。   三极管的特性曲线是指三极管各极的电压与电流之间的关系曲线。它从外部直观地表达出三极管内部的物理变化规律,反映出 三极管的性能。三极管特性曲线分为输人特性曲线和输出特性曲线。从使用角度讲,了解三极管特性曲线比了解其内部物理变 化过程更重要。因为三极管特性曲线是分析放大电路,特别是用图解法分析的重要依据和基础。 三极管特性曲线可用晶体管特性图示仪显示,也可实测得出。下图给出了实测电路。输人特性曲线在输人回路中测量,输出特 性曲线在输出回路中测量。   (1)输人特性曲线   输人特性曲线是指当集一射极之间的电压UcE为某一常数时,输人回路中的基极电流几与加在基一射极间的电压UBE之间的关系 曲线,即 IB=f(UBE)/UCE=常数 三极管输人特性曲线与二极管正向伏安特性曲线是一样的,因为三极管输人特性实际上就是发射结的正向伏安特性。不同的只是存在一个集一射电压UCE .这个电压只影响IB的大小,不影响 IB与UBE之间的变化关系。 在三极管内部,UCE的主要作用是保证集电结反偏。当UCE很小,不能使集电结反偏时,三极管完全等同二极管。当UcE使集电结 反偏后,集电结内电场就很强大,能将扩散到基区的自由电子中的绝大部分拉人集电区。这样与UCE很小(或不存在)相比,几增大了,仅此而已。因此,UCE并不改变特性曲线的形状,只使曲线下移一段距离。对于硅管来说,当UCEl1 V时,集电结就已反偏。若再增大UCE,只要UBE不变,则几基本不变,即UCE>1v以后的输人特性曲线基本上与UCE=iv的特性重合。因此,通常将UCE=iv输人特性曲线作为三极管的输人特性曲线。,三极管输人特性曲线中也存在一段死区及死区电压。硅管的死区电压约为0.5 V,硅管的死区电压约为0.2 Vo只有在UBE超过死区电压时,三极管才可以正常工作。在正常情况下,NPN型硅管的发射结电压UBE为0 .6--0 .7 V, PNP型锗管的UBE为-0.2--0.3 V. (2)输出特性曲线   输出特性曲线是指当基极电流IB为常数时,输出电路中集电极电流Ic与集一射极间的电压UCE之间的关系曲线,即 因为Ic与IB密切相关,所以IB不同,对应的特性曲线也不同,所以三极管输出特性曲线是一组曲线,根据三极管不同的工作状态,输出特性曲线分为三个工作区。   ①截止区。IB=0曲线以下的区域称为截止10 20 30截止区图5-24三极管的工作区区。IB=0时,Ic二ICEO,此时的电流被称为穿透电流。其值极小,通常忽略不计,故认为此时Ic二0,三极管无电流输出,说明三极管已截止。对于NPN型硅管,当UBE0 .5 V,即在死区电压以下时,三极管就已开始截止。为了可靠截止,常使UCEOo这样,发射结和集电结都处在反偏状态。此时,UCE近似等于集电极电源电压Ecc,意味着集电极与发射极之间开路,相当于C与E之间的开关断开。   ②放大区。在晶体管的输出特性曲线中,接近水平的部分是放大区,如上图所示。在放大区内,三极管的工作特点是:发射结正偏,集电结反偏;IC=风B9集电极电流与基极电流成比例。因此,放大区又称为线性区。   ③饱和区。特性曲线上升和弯曲部分的区域称为饱和区。当UCE=U二时,即UCB=0,集电结电压为零。这样集电区收集扩散到基 区自由电子的能力大大减弱,几对Ic的控制作用不复存在,三极管的放大作用消失。三极管的这种工作状态称为临界饱和。若UCE<UBE,则发射结和集电结都处在正偏状态,这时的三极管为过饱和状态。在过饱和状态下,因为UBE本身小于1 V,而UCE比U二更小,于是可以认为UCE近似为零。这样集电极与发

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