模电ppt概念总结.docxVIP

周期信号的频谱由直流分量、基波分量和无穷多项高次谐波分量所组成，频谱表现为一系列离散频率上的幅值，随着谐波次数的递增，幅值逐渐减小。运用傅里叶变换可将非周期信号表达为一连续频率函数形式的频谱，它包含了所有可能的频率(0＜)成分。非周期信号随角频率上升到一定程度，其频谱函数总趋势是衰减的。选择适当的截止角频率时，不会影响信号的特性，通常把保留的部分称为信号的带宽。时间连续、数值连续信号：模拟信号时间离散、数值离散信号：数字信号“隔离”放大，即放大电路的输入与输出电路(包括供电电源)相互绝缘，输入与输出信号之间不存在任何公共参考点。放大电路的频率响应所指的是，在输入正弦信号情况下，输出随频率连续变化的稳态响应为信号的角频率，AV()表示电压增益的模与角频率之间的关系，称为幅频响应；而()表示放大电路的输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率之间的关系，称为相频响应，二者综合起来可全面表征放大电路的频率响应。增益下降3dB的频率点，其输出功率约等于中频区输出功率的一半，通常称为半功率点把幅频响应的高、低两个半功率点间的频率差定义为放大电路的带宽，即fH是频率响应的高端半功率点，也称为上限频率，而fL则称为下限频率。理论上许多非正弦信号的频率范围都延伸到无穷大，而放大电路的带宽却是有限的，并且相频响应也不能保持常数。基波增益较大，而二次谐波增益较小，于是输出电压波形产生了失真，这叫作幅度失真。当放大电路对不同频率的信号产生的相移不同时，也产生失真，称为相位失真。幅度失真和相位失真总称为频率失真，它们都是由于线性电抗元件所引起的，所以又称为线性失真。当电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后，共价键中就留下一个空位，这个空位叫做空穴电子和空穴都要从浓度高的地方向着浓度低的地方扩散。半导体中的离子虽然带电，但由于物质结构的关系，它们不能任意移动，因此不参与导电。这些不能移动的带电粒子通常称为空间电荷，集中在P区和N区交界面附近，形成了一个很薄的空间电荷区，这就是PN结。在这个区域内，多数载流子已扩散到对方并复合掉了，或者说消耗尽了，因此空间电荷区有时又称为耗尽区。扩散越强，空间电荷区越宽。漂移运动的结果是使空间电荷区变窄，其作用正好与扩散运动相反。当漂移运动达到和扩散运动相等时，便处于动态平衡状态。N区的电位要比P区高，高出的数值用V0表示，这个电位差称为接触电位差，一般为零点几伏。又把空间电荷区称为势垒区少数载流子由本征激发产生，其数值决定于温度，几乎与外加电压VR无关。在一定温度T下，由于热激发而产生的少数载流子的数量是一定的，电流的值趋于恒定，反向电流IR就是反向饱和电流，用Is表示。雪崩、齐纳击穿过程是可逆的，当加在PN结两端的反向电压降低后，PN结可以恢复原来的状态。但要求反向电流和反向电压的乘积不超过PN结容许的耗散功率，超过了就会因为热量散不出去而使PN结温度上升，直到过热而烧毁，这种现象就是热击穿。二极管的参数最大整流电流IF ：长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。反向击穿电压VRR：反向击穿时的电压值。一般手册上给出的最高反向工作电压约为击穿电压的一半。反向电流IR：未击穿时的反向电流，值愈小，单向导电性愈好。极间电容：(1)势垒电容CB； (2)扩散电容CD硅管的门坎电压Vth约为0.5V；锗管的Vth约为0. 1V恒压降模型基本思想是当二极管导通后，其管压降认为是恒定的，且不随电流而变，典型值为0.7V。不过，这只有当二极管的电流iD近似等于或大于l mA时才是正确的。齐纳二极管又称稳压管Vz表示反向击穿电压，即稳压管的稳定电压光电二极管器件的PN结在反向偏置状态下运行，反向电流随光照强度的增加而上升。反向电流与照度成正比，灵敏度的典型值为0.1A/lx数量级。场效应管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件。发射极的总电流与发射结的电压vBE成指数关系式中VT为温度的等效电压kT/q，IES为发射结的反向饱和电流，它与发射区和基区的掺杂浓度、温度等因素有关，也与发射结的面积成比例。基区宽度调制效应由共射极电路可知， vCE= vCB + vBE ，当vCE增加时，由于vBE变化较少(例如硅管的vBE为0.7V左右)，故vCB(集电结反向偏压)随之增加。vCB的增加使集电结的空间电荷区的宽度增加，致使基区有效宽度减小，这样在基区内载流子的复合机会减少，使电流放大系数增大，在iB不变的情况下， iC将随vCE增大，特性曲线向上倾斜，这种现象称为基区宽度调制效应。vo(vce)与vi相位相反，称为放大电路的反相作用，共射极放大电路又叫做反相电压放大器。饱和现象的产生是由于工作点上移，使vCE减小到一定的程度后，集电结收集载流子的能力被减弱，发射极发射有余，而集电极收集不足。BJT工作在饱和状态时的管压降称为饱和压降，对