电子线教学定位.docVIP

电子线 一、教学定位 结合本校的办学定位，人才培养目标和生源情况，说明本课程在专业培养目标中的定位。新疆大学是国家面向21世纪重点建设的“211工程”百所大学之一，是一所教学研究型省属重点大学，以培养生产，建设，管理，服务第一线需要的高技能人才及创新应用型人才为目标，电子信息类专业已多批次招生。《电子线》课程是电子信息类专业的主干专业基础课程，是一门实践性很强的重要课程，电子线课程强调理论联系实际，注重培养学生工程实践能力，科研意识及创新能力。 、课程目标 1.通过对常用电子器件，模拟分立电路，集成电路及其系统的分析和设计的学习，使学生系统地掌握电子线的基本概念和基本原理，掌握电子线中的各种功能单元电路的工作原理和分析设计方法，为电子系统的工程实践和后续课程学习打下必备的基础。 2.培养学生实验操作能力，通过学生学习掌握电子技术的运用和特点，本课程强调理论联系实际，加强实验和科技活动等实践性环节，从而开拓学生的创造力，培养学生综合素质。 三、课程内容 线性电子线是研究各种半导体器件的性能，以及半导体器件组成的各种电路及其应用的学科。在器件的基本特性中，讲叙了二极管，三极管，场效应管的基本特性，重点突出器件模型及其数学，曲线和电路等各种表示形式，系统地介绍利用器件模型进行电路分析的方法，在放大电路中，以共发射极，共基极，共集电极放大器为基础，分别讨论了差分放大器，负反馈放大器，集成运算电路组成的放大器等。在放大器的分析中，通常采用图解法和小信号等效电路分析法，而以小信号等效电路分析法为主，以线性的观点讨论放大器的增益，输入阻抗，输出阻抗，放大器的频率响应等。 第一章晶体二极管 第一节半导体的基础知识 内容：本征半导体，本征激发和复合，热平衡载流子浓度，N型半导体，P型半导体，多子和少子热平衡浓度，漂移运动与漂移电流，扩散运动与扩散电流。 重点：本征半导体的导电性能，杂质半导体的导电性能，半导体中的两种导电方式。 第二节PN结 内容：阻挡层形成的物理过程，内建电位差，阻挡层宽度，正向特性，反向特性，伏安特性，温度特性，PN结的击穿特性，PN结的电容特性。 重点：动态平衡下的PN结，PN结的单向导电性及PN结的电流方程。 第三节晶体二极管电路的分析方法 内容：晶体二极管的数学模型，伏安特性曲线，简化电路模型，小信号电路模型，图解分析法，简化分析法。 重点：晶体二极管模型，晶体二极管电路分析方法。 第四节晶体二极管的应用 内容：整流电路，稳压电路，限幅电路。 重点：整流与稳压 第二章晶体三极管 第一节放大模式下晶体三极管的工作原理 内容：晶体三极管内部载流子传输过程，各极电流间的关系式，指数模型，简化电路模型。 重点：电流传输方程，一般模型。 第二节晶体三极管的其它工作模式 内容：饱和模式，截止模式，埃伯尔斯—莫尔模型。 重点：饱和，截止模式。 第三节晶体三极管的伏安特性曲线 内容：输入特性曲线族，输出特性曲线族，极限参数。 重点：共发射极组态的输出特性曲线 第四节晶体三极管的小信号电路模型 内容：网络参数模型，物理参数模型，H参数模型，混合п型电路模型。 重点：混合п型电路模型。 第五节晶体三极管电路分析方法 内容：图解分析法，工程近似分析法，小信号等效电路分析法。 重点：直流分析，交流分析。 第六节晶体三极管应用原理 内容：电流源，放大器，跨导线性电路。 重点：晶体三极管的应用 第三章场效应管 第一节MOS场效应管 内容：工作原理，伏安特性，衬底效应，P沟道EMOS场效应管，集成工艺，DMOS场效应管，四种MOS场效应管比较，小信号电路模型，分析方法。 重点：增强型MOS(EMOS)场效应管的工作原理，输出特性曲线，电流方程式，转移特性曲线，四种MOS场效应管特性的比较。 第二节结型场效应管 内容：工作原理，伏安特性曲线。 重点：工作原理 第三节场效应管应用原理 内容：有源电阻，开关特性，应用举例。 重点：一般应用 第四章放大器基础 第一节偏置电路和耦合方式 内容：对偏置电路的要求，静态工作点的热稳定性，分压式偏置电路，放大器与换能器的连接，级间连接。 重点：对偏置电路的要求，分压式偏置电路。 第二节放大器的性能指标 内容：小信号放大器的一般电路模型，增益，多级放大器，频率失真，瞬变失真，非线性失真。 重点：放大器的性能指标：输入电阻，输出电阻，增益，频率失真，非线性失真。 第三节基本组态放大器 内容：三种组态放大器的实际电路，共发放大器，共基放大器，共集放大器，组合放大器，发射极接电阻RE的共发放大器，采用有源负载的共发放大器，共源放大器的性能，共栅放大器，共漏放大器，集成MOS放大器。 重点：共发，共基和共集放大器的性能，改进型放大器，共源，共栅和共漏放大器的性能。 第四节差分放大器 内容：电路结构，差模信号，差模等效电路及其