2-2二极管应用_三极管讲解.ppt

§2.2-7 二极管的应用 整流电路（rectification） 将交流电压变为直流电压 正弦波的正半周通过 偏移电压：U1-U2=UD 正弦波的负半周截止 半波整流 Uo R D AC ~ Uac Uo t t U2 U1 2.2 PN结及二极管 §2.2-7 二极管的应用 整形电路 削波（限幅）电路 防止输出电压超过给定值 Us t Uo t V1 V2 Uo R D1 Us V1 D2 V2 Us（V2UsV1） Uo= V1（UsV1） V2（UsV2） 2.2 PN结及二极管 §2.2-7 二极管的应用 二极管稳压器 稳压管（zener）工作在反向击穿区 主要参数： 稳定电压UZ：反向击穿电压UBR 稳定电流IZ：稳压工作时的最小电流 额定功率PZ：稳定电压UZ与最大稳定电流IZMAX的乘积 动态电阻rZ：工作在稳压区时dU/dI 温度系数a： 温度变化造成稳压值的变化 dUZ/dT 稳压管的稳定电流IZ应大于IZMIN，小于IZMAX 选择合适的限流电阻 2.2 PN结及二极管 双极型晶体管（晶体三极管、半导体三极管） 小功率管 中功率管 大功率管 2.3 双极型晶体管 §2.3-1 晶体管的结构 两个PN结、三个电极 平面型（NPN）、合金型（PNP） P N N C E B N N P 发射极E 集电极C 基极B 集电结 发射结 集电区 基区 发射区 B E C C E B E B C N P P P P N E C B B E C C E B 2.3 双极型晶体管 §2.3-2 晶体管电流放大作用 晶体管内部载流子的运动（NPN共发射极为例） 发射区高搀杂、基区薄、外加电压 发射过程：发射结正偏压，形成发射极电流IE 复合和扩散过程：电子向集电结扩散，与基区空穴复合形成基极电流IB 收集过程：集电结反偏压，形成集电极电流IC和反向截止电流ICBO Rc Rb IB IE IC ICN ICBO IBN IEP IEN 2.3 双极型晶体管 §2.3-2 晶体管电流放大作用 晶体管的电流分配关系（共发射极） IE=IEN+IEP=ICN+IBN+IEP IC=ICN+ICBO IB=IBN+IEP-ICBO IE=IC+IB 共射电流放大系数： hFE=ICN/（IBN+IEP） =（IC-ICBO）/（IB+ICBO） 由于：IcIBICBO IB IE IC ICN ICBO IBN IEP IEN 2.3 双极型晶体管 §2.3-2 晶体管电流放大作用 晶体管的电流分配关系（共基极） IE=IEN+IEP=ICN+IBN+IEP IC=ICN+ICBO IB=IBN+IEP-ICBO IE=IC+IB 共基电流放大系数： hFB=ICN/IE =(IC-ICBO)/IE 由于：ICICBO IB IE IC ICN ICBO IBN IEP IEN 2.3 双极型晶体管 §2.3-3 晶体管共射特性曲线 输入特性曲线 UCE一定，基极电流IB与发射结电压 UBE之间的函数关系 UCE=0时，基极与发射极间相当于两个PN结并联 C E B UBE IB UCE=0 C E B UBE IB 0UCEUBE时，集电结正向偏置，收集电子能力弱，曲线右移 UCEUBE时,集电结反向偏置，收集电子能力强，曲线再次右移 UCE1V时, 曲线重叠 IB UBE UCE=0 0.5V 1V 2.3 双极型晶体管 §2.3-3 晶体管共射特性曲线 输出特性曲线 IB一定，集电极电流IC与管压降UCE之间的函数关系 每一个确定的IB对应一条输出曲线 UCE从小逐渐增大，集电结电场增强，IC增大； UCE再增大，IC基本不变 截止区（UBE UON） IB=0曲线的以下部分，发射结与集电结均截止 IC≈0 放大区（ UBE UON 且UCE UBE） 发射结正向偏置，集电结反向偏置 IC=hFE*IB 饱和区（ UBE UON 且UCE UBE ） 发射结与集电结均正向偏置，IC与IB、UCE有较大关系 IC UCE IB=80uA 饱 和 区 截止区 60uA 40uA 20uA 0uA 放 大 区 2.3 双极型晶体管 §2.3-4 晶体管的主要参数 直流参数 共射直流电流放大系数：hFE=IC/IB 共基直流电流放大系数：hFB=IC/IE 极间反向电流：ICBO、ICEO 交流参数 共射交流电流放大系数：