各种晶体管的导通条件及特性.pptx

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2017-02-06 发布于湖北
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各种晶体管的导通条件及特性.pptx

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各种晶体管的导通条件及特性

各种晶体管的导通条件及特性SCR,GTO,GTR,MOSFET,IGBT晶闸管(SCR)导通条件：A-K之间加正向电压，G-K之间加正向电压(门极G上加触发脉冲)；特性：当阳极电流上升到擎住电流(使晶闸管由关断到导通的最小电流)，即使门极G电压信号消失，晶闸管仍可继续导通阳极AnodeG-Gate门极阴极kathode关断条件：晶闸管阳极电流小于维持电流(保持晶闸管导通的最小电流)门极可关断晶闸管(GTO)阳极AnodeG-Gate门极阴极kathode电力晶体管(GTR)GTR在伏安特性区中只工作在饱和区和截止区C- collect集电极导通：在基极b施加驱动信号关断：在基极b去掉驱动信号基极basee- emitter发射极电力场效应晶体管(MOSFET)D-Drain漏极箭头往里为N沟道，虚线为增强型，实线为耗尽型G-Gate门极S-Source源极绝缘栅双极晶体管（IGBT）