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IGBT的基本结构，参数选择，使用注意IGBT简介IGBT中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET（输入级）和PNP晶体（输出级）复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的特点（控制和响应），又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点（功率级较为耐用），频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内。图1 ?理想等效电路与实际等效电路图二、IGBT的基本结构绝缘栅双极晶体管（IGBT）本质上是一个场效应晶体管，只是在漏极和漏区之间多了一个 P 型层。根据国际电工委员会的文件建议，其各部分名称基本沿用场效应晶体管的相应命名。图2 ?N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构图2所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，N+区称为源区，附于其上的电极称为源极。 N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区（包括P+和P一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（Subchannel region ）。而在漏区另一侧的 P+ 区称为漏注入区（Drain injector ），它是 IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成 PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。为了兼顾长期以来人们的习惯，IEC规定：源极引出的电极端子（含电极端）称为发射极端（子），漏极引出的电极端（子）称为集电极端（子）。这又回到双极晶体管的术语了。但仅此而已。图3 IGBT结构剖面图IGBT的结构剖面图如图3所示。它在结构上类似于MOSFET ，其不同点在于IGBT是在N沟道功率MOSFET 的N+基板（漏极）上增加了一个P+ 基板（IGBT 的集电极），形成PN结J1 ，并由此引出漏极、栅极和源极则完全与MOSFET相似。图4 IGBT的简化等效电路图5 N沟道IGBT图形符号图6 P沟道IGBT图形符号由图3可以看出，IGBT相当于一个由MOSFET驱动的厚基区GTR ，其简化等效电路如图4所示。图中Rdr是厚基区GTR的扩展电阻。IGBT是以GTR 为主导件、MOSFET 为驱动件的复合结构。N沟道IGBT的图形符号有两种，如图5所示。实际应用时，常使用图5-5所示的符号。对于P沟道，图形符号中的箭头方向恰好相反，如图6所示。IGBT的开通和关断是由栅极电压来控制的。当栅极加正电压时，MOSFET内形成沟道，并为PNP晶体管提供基极电流，从而使IGBT导通，此时，从P+区注到N-区进行电导调制，减少N-区的电阻Rdr值，使高耐压的IGBT也具有低的通态压降。在栅极上加负电压时，MOSFET内的沟道消失，PNP晶体管的基极电流被切断，IGBT即关断。正是由于IGBT是在N沟道MOSFET的N+基板上加一层P+基板，形成了四层结构，由PNP－NPN晶体管构成IGBT。但是，NPN晶体管和发射极由于铝电极短路，设计时尽可能使NPN不起作用。所以说，IGBT的基本工作与NPN晶体管无关，可以认为是将N沟道MOSFET作为输入极，PNP晶体管作为输出极的单向达林顿管。采取这样的结构可在N-层作电导率调制，提高电流密度。这是因为从P+基板经过N+层向高电阻的N-层注入少量载流子的结果。IGBT的设计是通过PNP－NPN晶体管的连接形成晶闸管。二、IGBT模块的术语及其特性术语说明术语符号定义及说明（测定条件参改说明书）集电极、发射极间电压VCES栅极、发射极间短路时的集电极，发射极间的最大电压栅极、发射极间电压VGES集电极、发射极间短路时的栅极，发射极间最大电压集电极电流IC集电极所允许的最大直流电流耗散功率PC单个IGBT所允许的最大耗散功率结温Tj元件连续工作时芯片温厦关断电流ICES栅极、发射极间短路，在集电极、发射极间加上指定的电压时的集电极电流。漏电流IGES集电极、发射极间短路，在栅极、集电极间加上指定的电压时的栅极漏电流饱和压降VCE(sat)在指定的集电极电流和栅极电压的情况下，集电极、发射极间的电压。输入电容Clss集电极、发射极间处于交流短路状态，在栅极、发射极间及集电极、发射极间加上指定电压时，栅极、发射极间的电容三、IGBT模块使用上的注意事项1.IGBT模块的选定在使用IGBT模块的场合，选择何种电压，电流规格的IGBT模块，需要做周密的考虑。a.电流规格IGBT模块的集电极电流增大时，VCE(-)上升，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，原件发热加剧。因此，根据额定损耗，开关损耗所产生的热量，控制器件结温（Tj）在150oC以下（通常为安全起见，以125oC以下为宜），请使用这时的集电流以下为宜。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热