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第三章 存储器 习题 一、选择题 1·某RAM芯片，其容量是512×8bit，除电源和接地线外该芯片引脚的最少数目是( )。 A.21 B.19 C.17 D.以上都不正确 2·在研制某一计算机应用系统的过程中，存储其监控程序应选用( )。 A.RAM B.PROM C.EPROM D.ROM 3·大多数常用的UVEPROM(紫外光擦除可编程ROM)的最大读取时间和静态、动态RAM芯片的最大存取时间的数量级为( )。 A．几个纳秒(ns) B．几十个微秒(μm) C．几百个纳秒(ns) D．几个微秒(μm) 4·以下对SRAM说法正确的是( )。 A．SRAM由晶体管组成，利用半导体双稳态触发器电路的2个稳定状态分别表示0和1” B．必须在一定的时间间隔内把数据读出并写入 C．常见的内存条都是由SRAM组成 D．比DRAM电路简单，集成度高，功耗低 5·在Intel2164动态RAM存储器中，对存储器刷新的方法是( )。 A．每次一个单元 B．每次刷新512个单元 C．每次刷新256个单元 D．一次刷新全部单元 6·CPU不能直接访问的是( )。 A．RAM B．ROM C．内存 D．外存 7·为保证32KB程序存储空间、256KB随机存储器RAM的8086系统可以正常工作，程序存储器占据的地址为( ① )，RAM占据的地址空间为( ② )。 A．①80000H~80FFFH ②0000H~FFFFFH B．①80000H~87FFFH ②80000H~BFFFFH C．①F0000H~F7FFFH ②0000H~7FFFFH D．①F8000H~FFFFFH ②00000H~3FFFFH 8·下面说法中( )是正确的。 A．EPROM是不能改写的 B．PROM是可以改写的，所以也是一种读写存储器 C．EPROM是可以改写的，但它不能作为一种读写存储器 D．EPROM只能改写一次 9·执行返回指令，T出中断服务程序，这时返回地址来自( )。 A．ROM区 B．程序计数器 C．堆栈区 D．CPU的暂存寄存器 10·存储周期是指( )。 A．存储器的读出时间 B．存储器的写入时间 C．存储器进行连续读和写操作所允许的最短时间间隔 D．存储器进行连续写操作所允许的最短时间间隔 11·I/O编址方式通常可分统一编址和不统一编址( )。 A．统一编址就是将I/O地址看作是存储器地址的一部分，可用专门的I/O指令对设备进行访问 B．不统一编址就是指I/O地址和存储器地址是分开的，所以对I/O设备访问必须有专门的I/O指令 C．统一编址是指I/O地址和存储器地址是分开的，所以可用访问存储器指令实现CPU对设备的访问 D．以上都不正确 12·某存储器为32K×l6位，则( )。 A．地址线为16根，数据线为32根 B．地址线为32根，数据线为16根 C．地址线为15根，数据线为16根 D．地址线为32根，数据线为32根 13·指令寄存器的位数取决于(， )。 A．存储器的容量 B．指令字长 C．机器字长 D．指令字长和机器字长 14·8086CPU可访问的存储器