第二节霍尔传感器.ppt

2、 霍尔式微位移传感器 UH量值大小反映出霍尔元件与磁铁之间相对位置的变化量。这种结构的传感器， 其动态范围可达5 mm，分辨率为0.001mm。 3、 霍尔式转速传感器 4、 霍尔计数装置 5、汽车霍尔点火器 第三节 磁敏传感器 一、磁敏电阻器 磁阻效应: 若给通以电流的金属或半导体材料的薄片加以与电流垂直或平行的外磁场，则其电阻值就增加。称此种现象为磁致电阻变化效应，简称为磁阻效应。 Ｂ——为磁感应强度； ρB——材料在磁感应强度为Ｂ时的电阻率； ρ0 ——材料在磁感应强度为0时的电阻率； μ——载流子的迁移率。 二、磁敏二极管 1、结构 P N I r 区 + - 简写为SMD。磁敏二极管的P型和N型电极由高阻材料制成，在P、N之间有一个较长的本征区I，本征区I的一面磨成光滑的复合表面（为I区），另一面打毛，设置成高复合区（为r区），其目的是因为电子-空穴对易于在粗糙表面符合尔消失。当通以正向电流后就会在P、I、N结之间形成电流。磁敏二极管是PIN型。 I P N 2、工作原理 H=0 ← ← ← → → → 电子 空穴 复合区 （1）当磁敏二极管未受到外界磁场作用时，外加正偏压，则有大量的空穴从P区通过I区进入N区，同时也有大量的电子注入P区。形成电流。只有少量电子和空穴在I区复合。 （2）当磁敏二极管受到外界磁场H+作用时 电子、空穴受到洛仑兹力作用而向r区偏移，由于r区的电子、空穴复合率比光滑面I区快，因此形成的电流因复合速度而减小。 H+ I P N 第8 章 磁电式传感器 第二节 霍尔传感器 第一节 磁电感应式传感器 第八章 磁电式传感器 第三节 磁敏传感器 一、 磁电感应式传感器工作原理 式中: B——稳恒均匀磁场的磁感应强度； l——导体有效长度； v——导体相对磁场的运动速度。 第一节 磁电感应式传感器 导体在稳恒均匀磁场中运动 N匝线圈处于变化的磁场中 两种磁电式传感器结构：变磁通式和恒磁通式。 开磁路变磁通式：这种传感器结构简单，但输出信号较小，且因高速轴上加装齿轮较危险而不宜测量高转速的场合。 闭磁路变磁通式：感应电势的频率与被测转速成正比。 恒定磁通动圈式磁电传感器 恒定磁通动铁式磁电传感器 二、 磁电感应式传感器基本特性 式中： Rf——测量电路输入电阻； R——线圈等效电阻。 传感器的电流灵敏度为 而传感器的输出电压和电压灵敏度分别为 相对误差为 三、磁电感应式传感器的测量电路 四、磁电感应式传感器的应用 动圈式振动速度传感器 1、芯轴 2、外壳 3、弹簧片 4、铝支架 5、永久磁铁 6、线圈 7、阻尼环 8、引线 一、霍尔效应和霍尔元件的工作原理 在半导体薄片中通以电流I,在与薄片垂直方向加磁场B，则在半导体薄片的另外两端，产生一个大小与控制电流I和B乘积成正比的电动势，这种现象称为霍尔效应。 1、霍尔效应 第二节 霍尔传感器 2、霍尔元件的工作原理 3、霍尔系数及灵敏度 N型霍尔系数 P型霍尔系数 霍尔系数由半导体材料性质决定，且决定霍尔电势的强弱。 霍尔元件灵敏度（KH）：单位磁感应强度和单位控制电流作用时，所能输出的霍尔电势的大小。 设 KH=RH / d UH＝ KH I B 讨论：为什么只能用半导体材料作霍尔元件。 霍尔常数等于霍尔片材料的电阻率与电子迁移率μ的乘积。 若要霍尔效应强，则希望有较大的霍尔系数RH，因此要求霍尔片材料有较大的电阻率和载流子迁移率。 一般金属材料载流子迁移率很高，但电阻率很小；而绝缘材料电阻率极高，但载流子迁移率极低，故只有半导体材料才适于制造霍尔片。 N型材料电阻率 P型材料电阻率 霍尔器件符号 B H A B C D A B C D A C D 二、霍尔元件的主要技术参数 1、额定功耗P0: 霍尔元件在环境温度T=250C时，允许通过霍尔元件的电流和电压的乘积。 2、 输入电阻和输出电阻 Ri：激励电极间的电阻值。 Ro：霍尔元件电极间的电阻。 3、不等位电势U0：在额定控制电流I下，不加磁场时，霍尔电极间的空载霍尔电势。 ① 霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上； ② 半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或是几何尺寸不均匀； ③ 激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布等。 4、霍尔电势温度系数：在一定磁感应强度和激励电流下，温度每变化1℃时，霍尔电势变化的百分率称为霍尔电势温度系数。 5、内阻温度系数：霍尔元件在无磁场及工作温度范围内，温度每变化1℃时，输入电阻与输出电阻变化的百分率。 6、 额定激励电流和最大允许激励电流：当霍尔元件自身温升10℃时所流过的激励电流