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第十六届全国半导体物理学术会议学术报告安排 本次会议由兰州大学、中国物理学会半导体物理专业委员会、中国科学院半导体研究所联合主办。会议将就我国半导体物理的必威体育精装版研究进展和发展趋势进行深入、广泛的学术交流，并邀请著名专家学者作专题报告,欢迎全校师生参加! 第十六届全国半导体物理会议学术报告总安排 时 间 地 点 9月8日 （星期六） 8：30-8：45 开幕式逸夫科学馆报告厅 9：00-12：00 各分会场报告逸夫科学馆 13：30-17：45 各分会场报告 逸夫科学馆 21：00-21：30 物理学会半导体物理 专业委员会会议 萃英大酒店 9月9日 （星期日） 8：30-12：00 各分会场报告 逸夫科学馆 14：00-16：30 各分会场报告 逸夫科学馆 16：30-1：0 闭幕式 逸夫科学馆报告厅 * 详见各分会场日程 A 会 场 会议主题：半导体自旋电子学 地点：逸夫科学馆报告厅 日期：9月8日 时间 报告人 报告内容 9：00- 9：45 郑厚植（半导体研究所） 高密度自旋极化电子气的物理性质 9：45-10：30 褚君浩（上海技术物理所） 10：30-10：45 休息 10：45-11：30 吴明卫（中国科学技术大学） Spin Dynamics in Semiconductor Nanostructures 11：30-12：00 张 荣（南京大学） 宽禁带半导体自旋电子材料研究 12：00-13：30 午餐 13：30-14：00 张凤鸣（南京大学） Hole-mediated Ferromagnetism in Polycrystalline Si1-xMnx:B Thin Films 14：00-14：30 沈 波（北京大学） GaN基异质结构中二维电子气的输运和自旋性质 14：30-15：00 许小红（山西师范大学） 磁控溅射制备具有室温磁性的Co掺杂ZnO稀磁半导体薄膜 15：00-15：15 休息 15：15-15：45 颜世申（山东大学） 宽禁带氧化物磁性半导体的制备、微结构、磁性和输运研究 15：45-16：15 常 凯（半导体研究所） Nonlinear Rashba model: Spin relaxation and spin Hall current 16：15-16：45 姬 扬（半导体研究所） 二维电子气系统中电子自旋动力学的实验研究 16：45-17：15 赵建华（半导体研究所） Cr掺杂III-V族稀磁半导体薄膜和自组织量子点的分子束外延生长 17：15-17：45 葛世慧（兰州大学） 过渡金属掺杂的氧化物半导体的室温铁磁性 以上为特邀报告 日期：9月9日 时间 报告人 报告内容 8：30- 8：55 徐兰君（上海技术物理所） 二维电子气集体激发模的软化和Rashba自旋轨道耦合* 8：55- 9：20 甘华东（半导体研究所） 极低密度电流驱动的(Ga,Mn)As的四度磁化开关* 9：20- 9：45 杨学林（北京大学） MOCVD法生长(Ga,Mn)N材料的磁学和电子结构特性* 9：45-10：10 刘朝星（清华大学） 二维空穴气中电流诱导的自旋极化* 10：10-10：25 休息 10：25-10：50 赖天树（中山大学） GaAs中电子自旋相干动力学的能量演化研究* 10：50-11：05 赖天树（中山大学） 室温下GaMnAs的电子自旋偏振弛豫动力学研究 11：05-11：20 邓加军（中科大） (Ga,Mn)As平面内磁各向异性研究 11：20-11：35 刘计红（河北师范大学） 自旋轨道耦合对正常金属/半导体/超导体隧道结中的散粒噪声的影响 11：35-11：50 董衍坤（河北师范大学） 自旋轨道耦合对Aharonov-Bohm测量仪中自旋相关输运的影响 12：00-14：00 午餐 14：00-14：25 安兴涛（河北师范大学） 铁磁/半导体/铁磁异质结中自旋相关输运性质* 14：25-14：50 王 靖（清华大学） 自旋流的法拉第旋转测量* 14：50-15：05 王玮竹（半导体研究所） Mn掺杂GaAs薄膜的磁性质及微观结构调控 15：05-15：20 石瑞英（四川大学） 稀磁半导体GaMnN材料的红外反射光谱研究 15：20-15：35 休息 15：35-16：00 陶志阔（南京大学） MOCVD方法在GaN上生长FexN薄膜及其性能研究* 16：00-16：15 甘华东（半导体研究所） (Ga,Cr)As外延薄膜的铁