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能级与能带有何不同
3.1 能级与能带有何不同?固体的能带怎么形成的?
单个原子的能级是分立的,N个相距无限远的原子能级也是分立
的,当固体中N个原子紧密排列时,由于原子间的相互作用,原
来同一大小的能级这时彼此数值上就有小的差异。同一能级就分
裂成为一系列和原来能级很接近的仍包含N个能量的新能级。这
些新能级基本上连成一片形成能带。
3.2 从能带结构来看导体、绝缘体、半导体有什么差异?
导体一般都有未被价电子填满的导带。还有满带与空带重叠或导带与空带重叠的情形。
绝缘体和半导体在满带和空带之间都有一个无能级存在的禁带。绝缘体的禁带宽度一般很宽,?Eg 约为3 ~ 6eV,半导体的禁带宽度较窄, ?Eg约为 0.1 ~ 2eV。
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3.3 掺杂与加热均能使半导体的电导率增加,但二者有何不同?
以n型半导体为例,掺杂形成的杂质能级靠近导带底部。比禁带宽度小得多。在常温下这种杂质能级上的电子很容易被激发到导带中去,使导带中自由电子浓度增大,大大提高了半导体的导电性。
加热使满带中相当数量的电子被激发到空带中去,这些空带中的电子和相应满带中的空穴可参加导电,使半导体的电导率增加。
加热需使电子跃过禁带。 ?Eg 约为01~2eV掺杂杂质能级与导带底部之间的能量差约为10-2 eV显然掺杂对半导体导电率的影响较大。
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3.4 本征半导体与杂质半导体导电机构有何不同?
本征半导体中导带中的电子与满带中的空穴数相等。
本征半导体的导电机构是电子与空穴并存,所以它有电子导电性同时具有空穴导电性。
掺施主杂质的半导体主要靠电子导电,称为电子型半导体或 n 型半导体, n 型半导体中导带中的电子数远大干满带中的空穴数。
掺受主杂质的半导你读者可自行讨论。
3.5 本征半导体掺何种杂质即可成为n型半导体,它的多数载流子是
什么?又怎样成为p型半导体它的多数载流子是什么?
掺入五价的锑(Sb)或磷(P)原子作为杂质,即可成为n型半导体。多数载流子是电子。
掺入三价的硼(B)或铟(In) ,可形成P型半导体,这时多数载流于是空穴。
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