08晶体三极管及其基本放大电路.ppt

第8章晶体三极管及其基本放大电路 晶体管电流测量数据 耗尽型 (4) 克服交越失真的OTL互补对称放大电路 静态时, 调节 R3 ,使 A 点电位为　　 ； 输出电容CL上 的电压也等于 ； R1 和 D1、D2 上的压降使两管获得合适的偏压，工作在甲乙类状态。 OTL互补对称放大电路 O t ui O t uo iC2 iC1 ? R1 RL R3 R2 D1 D2 T1 T2 +UCC A C + uo + ? + CL + 8.7 互补对称功率放大电路 在输出功率较大时常采用复合管 复合管的构成 ic1=? 1 ib1 , ic2=??2 ib2 = ?2 (1+?1 ) ib1, ic = ic1+ ic2 =[?1+?2 (1+??1 )] ib1 ? ?1 ?2 ib1 方式 1 ib2= ie1=(1+?1 ) ib1 , ib= ib1 , C B E T1 NPN T2 NPN ib ic ie B E C ib ic ie NPN 8.7 互补对称功率放大电路 ?复合管的电流放大系数 ? ? ?1 ?2 复合管的类型与复合管中第一只管子的类型相同 方式2 E B C T1 PNP T2 NPN ib ic ie B C E ib ic ie PNP 8.7 互补对称功率放大电路 OTL互补对称放大电路 3. R8和R9 的作用? 1. R4、D1、D2的作用？ 2. T1 和T3 、T2 和T4 构成什么工作方式？ 思考 4. R6和R7 的作用? ui +UCC RL T1 T2 R3 D1 D2 R1 R4 R6 T3 T4 CL + + _ R2 R5 R7 R9 R8 T5 uo + _ + + 8.7 互补对称功率放大电路 (3) R8 和R9 的作用? (1) R4、D1、D2的作用？ (2) T1 和T3 、T2 和T4 构成什么工作方式？ (4) R6和R7 的作用? 避免产生交越失真 构成复合管 引入电流负反馈，使电路工作稳定。 分流T1、T2的ICEO， 提高温度稳定性。 ui +UCC RL T1 T2 R3 D1 D2 R1 R4 R6 T3 T4 CL + + _ R2 R5 R7 R9 R8 T5 uo + _ + + 8.7 互补对称功率放大电路 8.7.3 集成功率放大电路 相位补偿, 消除 自激振荡, 改善 高频负载特性。 去耦，滤掉 高频交流 消振，防止高频自激 集成功放LM386接线图 特点: 工作可靠、使用方便。只需在器件外部适当连线，即可向负载提供一定的功率。 。 + + ∞ . 3 2 ui 。 。 + _ + + 4 7 5 8 + +UCC LM386 + uo + _ R1 R2 C4 R3 C3 C2 C1 C5 8.7 互补对称功率放大电路 场效应晶体管是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，即是电压控制元件。它的输出电流决定于输入电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，所以它的输入电阻高，且温度稳定性好。 结型场效应管 按结构不同场效应管有两种: 绝缘栅型场效应管 本节仅介绍绝缘栅型场效应管 按工作状态可分为：增强型和耗尽型两类 每类又有N沟道和P沟道之分 ※8.8 场效应晶体管及其放大电路 栅极和其它电极及硅片之间是绝缘的，称绝缘栅型场效应管。 1. 绝缘栅型场效应管的结构 漏极 金属电极 栅极 源极 高掺杂N区 D G S SIO2绝缘层 P型硅衬底 N+ N+ 8.8.1 绝缘栅场效应管 ※8.8 场效应晶体管及其放大电路 G S D 符号： 由于栅极是绝缘的，栅极电流几乎为零，输入电阻很高，最高可达1014? 。 由于金属栅极和半导体之间的绝缘层目前常用二氧化硅，故又称金属-氧化物-半导体场效应管，简称MOS场效应管。 漏极 金属电极 栅极 源极 高掺杂N区 D G S SIO2绝缘层 P型硅衬底 N+ N+ ※8.8 场效应晶体管及其放大电路 2. N沟道增强型绝缘栅场效应管工作原理 由结构图可见，N+型漏区和N+型源区之间被P型衬底隔开，漏极和源极之间是两个背靠背的PN结。 当栅源电压UGS = 0 时，不管漏极和源极之间所加电压的极性如何，其中总有一个PN结是反向偏置的，反向电阻很高，漏极电流近似为零。 S D P型硅衬底 N+ N+ D S + G EG - UGS ※8.8 场效应晶体管及其放大电路 当UGS 0 时，P型衬底中的电子受到电场力的