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前言 课程代码任课教师：杜丽霞 学时：64 学分：4 考试方式：闭卷 成绩评定办法：一、成绩构成及比例1．总评成绩总评成绩=平时成绩（40%）+期末考试成绩×60% 2．平时成绩 平时成绩=考勤成绩（占总评成绩的10%）+ 作业成绩（占总评成绩的10%）+ 答疑成绩（占总评成绩的5%） + 测验成绩（占总评成绩的15%） 平时成绩优良率小于50%，最后按百分制提交，教务系统中设置比例为40%。 注:通信191人，80分以上95人； 应用物理42人， 80分以上20人； 电子科学106人， 80分以上52人. 二、各部分成绩评定办法 1．考勤成绩 考勤成绩占总评成绩的10%，总分10分。旷课1次扣2分，事假1 次扣1分，早退1次扣1分，迟到1次扣1分。 2．作业成绩 作业成绩占总评成绩的10%，总分10分。本课程共开16周，至少 交4次作业；每次作业满分10分，作业成绩为各次作业成绩的平均 分。计分标准为： （1）作业完整，叙述清楚，内容正确，书写规范，得10分。 （2）作业完整，叙述清楚，内容基本正确，书写规范，得8分。 （3）作业完整，叙述较清楚，内容基本正确，书写较规范，得7分。 （4）作业完整，叙述较清楚，内容基本正确，书写不规范，得6分。 三、关于取消考试资格的说明 旷课10学时者取消考试资格。 四、关于该课程成绩评定办法的执行说明 1．严格按照学院审核通过的办法执行，不得随意改动或变通。 2．本办法开学第一讲课向全体学生宣布说明。 3．平时成绩评定结果在期末考试前向全体同学公布，确认无误后交学院教务办公室备案。 4．课程成绩评定办法由学院审核通过后，教务办公室统一盖章印发后执行。课程负责人负责将成绩评定办法发放到任课教师，并组织说明和解释相关细则，所有开课教师评分要求和宽严程度要保持一致，以保证班级间平时成绩的公正性。 5．课程名称和学时相同的课程期末考试采用同一套试题和补考试题，两个以上开课教师必须采用流水线方式批阅试卷，严禁单独批阅。 6．期末试题和补考试题由课程负责人组织任课教师集体研究出题，命题质量实行审定制度，应尽量避免概念题、简答题、选择题、填空题，杜绝教材及作业中的原题。命题须经教学院长审定并于开考前两周交付印刷。 五.主要教学内容 六.教学形式课堂：多媒体、黑板和课本 课后：答疑  衷心祝愿同学们 好吃好穿 考试过关 公式法： 1.4 半导体二极管的应用 二极管在电路中有着广泛的应用，利用它的单向导电性，可组成整流、限幅、检波电路，还可做元件保护以及在数字电路中作为开关元件等。 1.4.2 二极管在整流电路中的应用 1.2.2 二极管的伏安特性 一、PN 结的伏安方程 反向饱和电流 温度的 电压当量 电子电量 玻尔兹曼常数 当 T = 300(27?C)： UT = 26 mV 二、二极管的伏安特性 O uD /V iD /mA 正向特性 Uth 死区 电压 iD = 0 Uth = 0.5 V 0.1 V (硅管) (锗管) U ? Uth iD 急剧上升 0 ? U ? Uth UD(on) = (0.6 ? 0.8) V 硅管 0.7 V (0.1 ? 0.3) V 锗管 0.2 V 反向特性 IS U (BR) 反向击穿 U(BR) ? U ? 0 iD = IS 0.1 ?A(硅) 几十 ?A (锗) U U(BR) 反向电流急剧增大 (反向击穿) 反向击穿类型： 电击穿 热击穿 反向击穿原因： 齐纳击穿： (Zener) 反向电场太强，将电子强行拉出共价键。 (击穿电压 6 V，负温度系数) 雪崩击穿： 反向电场使电子加速，动能增大，撞击 使自由电子数突增。 — PN 结未损坏，断电即恢复。 — PN 结烧毁。 (击穿电压 6 V，正温度系数) 击穿电压在 6 V 左右时，温度系数趋近零。 硅管的伏安特性 锗管的伏安特性 60 40 20 – 0.02 – 0.04 0 0.4 0.8 –25 –50 iD / mA uD / V iD / mA uD / V 0.2 0.4 – 25 – 50 5 10 15 –0.01 –0.02 0 温度对二极管特性的影响 T 升高时， UD(on)以 (2 ? 2.5) mV/ ?C 下降 1.2.3 二极管的主要参数 1. IF — 最大整流电流(最大正向平均电流) 2. URM — 最高反向工作电压，为 U(BR) / 2 3. IR — 反向