模拟电子技术_三极管放大作用.ppt

　 c b e e c b 两个条件 （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。 IE=IB+ IC IC=βIB IC=αIE 一组公式 三极管放大作用 e c b N P N 　 c b e N P P 共射极连接 放大：发射结正偏，集电结反偏 饱和：发射结正偏，集电结正偏 截止：发射结反偏，集电结反偏 临界饱和 临界饱和（虚线） 4.2 共射极放大电路的工作原理 4.2.1 基本共射极放大电路的组成 基本共射极放大电路 A.核心器件BJT B.偏置电路—提供放大外部条件 C.公共地—各信号电平的参考点 1、必须为电路提供合适的直流电源，一方面建立起合适的 静态工作点；另一方面作为负载的能源，使负载获得需要 的功率。 2、输入信号必须能够作用于晶体管的输入回路，即能够作 用于晶体管的基极和发射极之间。 3、输出信号必须能够作用于负载电阻之上，而且输出电压 大于输入电压，或者输出电流大于输入电流，或者二者均有。 动画演示 动画演示 4.2.2 基本共射极放大电路的定量分析 1. 静态(直流工作状态,也称Q点) 输入信号vi＝0时，放大电路的工作状态称为静态或直流工作状态。 直流通路 硅管取.7V， 锗管取0.2V。 估算时常忽略 Q（IBQ，ICQ，VCEQ） 求解思路： VBB，Rb IBQ ICQ VCEQ β VCC,Rc 4.2.2 基本共射极放大电路的定量分析 2. 动态 输入正弦信号vs后，电路将处在动态工作情况。此时，BJT各极电流及电压都将在静态值的基础上随输入信号作相应的变化。 交流通路 画交流通路的原则： 1.直流电压源内阻很小，视为短路；电流源内阻很大视为开路。 2.电容视为短路 直流量与交流量常必须共存于放大电路中，由于电抗元件存在， 使直流量与交流量所流经的通路不同，因此为了研究问题方便， 将放大电路分为直流通路与交流通路： 直流通路用于分析放大电路的静态工作点； 交流通路用于分析放大电路的动态参数。 练习：P186 4.2.1 分析各图所示电路对正弦交流信号有无放大作用。 第一步：画直流通路，判断BJT静态工作点是否在放大区域； 如果未给出具体数值，则即定性判断是否发射结正偏集电结反偏。 如果给出了具体数值，则即定量判断相应的电压和电流是否符合要求。 第二步：画出交流通路，从电路角度分析是否具有放大作用。 练习：P186 4.2.1（a） 第一步：画直流通路； 发射结反偏，不能工作在放大区域。 无放大作用 即使静态时，调整电源使三极管满足放大时的偏置，也无放大作用，因为： 输入的交流信号短路没有加入放大电路中。 练习：P186 4.2.1（b） 如果Rb和Rc满足偏置要求则具有放大作用。 练习：P186 4.2.1（c） 第一步：画直流通路 无放大作用 练习：P186 4.2.1（d） VCC极性接反 无放大作用 关于临界饱和 1、是饱和状态和放大状态的交界，既可用饱和时的条件又可应用放大时的公式。 2、如果求得实际的电流IB IBS,则工作在放大区域；否则工作在饱和区域。 练习P186 4.2.2 S接通位置A: 工作在饱和区域。 如果Rb和Rc满足偏置要求则具有放大作用。 IB 临界饱和 放大 饱和 IB IBS IB =IBS 练习P186 4.2.2 S接通位置B: 工作在放大区域。 IB 临界饱和 放大 饱和 IB IBS IB =IBS 练习P186 4.2.2 S接通位置C： 发射结反偏。 工作在截止区域。 练习P186 4.2.2(总结) 用Q点坐标判断 假定电路工作在放大状态，IC＝βIB，根据IC求VCE，判断VCE是否合乎要求。 共射极放大电路 放大电路如图所示。已知BJT的 ?=80， Rb=300k? ， Rc=2k?， VCC= +12V，求： （1）放大电路的Q点。此时BJT工作在哪个区域？ （2）当Rb=100k?时，放大电路的Q点。此时BJT工作在哪个区域？（忽略BJT的饱和压降） 解：（1） （2）当Rb=100k?时， 静态工作点为Q（40?A，3.2mA，5.6V），BJT工作在放大区。 其最小值也只能为0，即IC的最大电流为： ，所以BJT工作在饱和区。 VCE不可能为负值， 此时，Q（120uA，6mA，0V）， 例题 仍设BJT的 ?=80， 电路中VCC= +12V，求： （3）当Rb=300k时， Rc=5k时放大电路的Q点。此时BJT工作在哪个区域？ 解: （3）当Rb=300k时，