模拟电子技术基础期末试题(填空选择复习题).doc

填空题 1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为 0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V；锗二极管的门槛电压约为 _0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。 2、二极管的正向电阻 小 ；反向电阻 大 。 3、二极管的最主要特性是 单向导电性 。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。 4、二极管最主要的电特性是 单向导电性 ，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个 电阻 。 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为 模拟 电子技术。 6、PN结反向偏置时，PN结的内电场 增强 。PN具有 具有单向导电 特性。 7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为 0.7 伏；其门坎电压Vth约为 0.5 伏。 8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由 多数 载流子的 扩散 运动形成。 9、P型半导体的多子为 空穴 、N型半导体的多子为 自由电子 、本征半导体的载流子为 电子—空穴对 。 10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为 空穴（P） 半导体和 电子（N） 半导体两大类。 11、二极管的最主要特性是 单向导电性 ，它的两个主要参数是反映正向特性的 最大整流电流 和反映反向特性的 反向击穿电压 。 12、在常温下，硅二极管的开启电压约为 0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7 V。 15、N型半导体中的多数载流子是 电子 ，少数载流子是 空穴 。 16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为 甲类 、 乙类 、 甲乙类 三种基本类型。 17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是 耦合和旁路 电容，影响高频信号放大的是 结 电容。 18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的β增加，则IBQ 增大 ，ICQ 增大 ，UCEQ 减小 。 19、三极管的三个工作区域是 截止 ， 饱和 ， 放大 。集成运算放大器是一种采用 直接 耦合方式的放大电路。 20、某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压Va = 1.2V， Vb = 0.5V, Vc = 3.6V, 试问该三极管是 硅管 管（材料）， NPN 型的三极管，该管的集电极是a、b、c中的 C 。 22、 三极管实现放大作用的外部条件是： 发射结正偏、集电结反偏 。某放大电路中的三极管，测得管脚电压Va = -1V，Vb =-3.2V, Vc =-3.9V, 这是 硅 管（硅、锗）， NPN 型，集电极管脚是 a 。 23、三种不同耦合方式的放大电路分别为： 阻容（RC）耦合 、 直接耦合 和_变压器耦合_，其中 直接耦合 能够放大缓慢变化的信号。 24、在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的 负载 ，而前级的输出电阻可视为后级的 信号源的内阻 。 25、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为 4 kΩ 。 26、为了保证三极管工作在放大区，要求： ①发射结 正向 偏置，集电结 反向 偏置。②对于ＮＰＮ型三极管，应使VBC ＜0 。 27、放大器级间耦合方式主要有阻容（RC）耦合、直接耦合和 变压器 耦合三大类。 28、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中，共射和共基组态有电压放大作用，共射 组态有电流放大作用， 共射和共集 组态有倒相作用； 共集 组态带负载能力强， 共集 组态向信号源索取的电流小， 共基 组态的频率响应好。 29、三极管放大电路的三种基本组态是 共集 、 共基 、 共射 。 30、多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有 直接耦合 ， 阻容耦合 ， 变压器耦合 。 31、在单级共射放大电路中，如果输入为正弦波形，用示波器观察VO和VI的波形，则VO和VI的相位差为 1800 ；当为共集电极电路时，则VO和VI的相位差为 0 。 32、放大器有两种不同性质的失真，分别是 饱和 失真和 截止 失真。 33、晶体管工作在饱和区时，发射结 a ，集电结 a