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茂迪（马鞍山）新能源有限公司 环境影响报告书 （简本） 国环评证：乙字第2号 2016年月 1 建设项目概况 建设项目的地点及相关背景 备案，文号为。 工程概况 （7）总投资：项目总投资元，其中新增固定资产资产投资元，由企业自筹解决。 建设内容和规模 本项目对现有进行改，在形成年产00MW高效单晶电池片的生产能力 图1 拟建项目位置图 项目将低压扩散、氧化退火工艺提升晶硅电池产品的转换效率；运用先进的PERC电池工艺实现电池效率的大幅提升。项目配备先进的生产设备及全面的自动化装备生产效率。低压扩散炉不仅大幅降低了磷源和电力的单耗且可使产提升；新一代刻蚀设备的采用将使酸耗明显下降。化学品等辅助材料单耗的下降使单位产品污染物的产生量得以有效的下降。不仅大幅降低了人员配置，还产品质量生产效率及产品成品率，还提升了产能。 本项目建设规模为年产00MW高效单晶电池片项目产品方案见表2，产品主要质量指标见表3和4。表1 建设项目工程组成内容 主体工程 公用工程及辅助工程 环保工程 、、、成膜PECVD)、丝印供配电及照明设施；给排水、消防设施；纯水系统；空调系统；压缩空气设施。 酸雾集气处理塔、硅烷尾气燃烧处理塔、氨吸收、三甲基铝燃烧装置、有机尾气冷凝回收+活性炭吸附净化塔； 废水处理系统 表2 产品方案名称 单位 年产量 转换效率（%） 电池片 MW / 其中 单晶电池片 MW ≥19.44 多晶电池片 MW ≥17.93 表3 电池片主要技术指标 类别 单晶电池片 晶电池片 硅片尺寸（mm） 156*156 硅片厚度（um） 180-200um 转换效率（%） 17.93 最大功率（W） 4.36 项目生产工艺  图 项目电池片生产工艺流程 P-N结的面积，从而提高电池片成品的光电转换效率。其原理是利用Si在稀NaOH溶液中的各向异性腐蚀，在硅片表面形成无数个3-6微米的金字塔结构，这样光照在硅片表面便会经过多次反射和折射，增加了对光的吸收。晶硅片制绒工艺主要反应方程式为： Si+2NaOH+H2O→NaSiO3+2H2↑ （4）清洗：使用超纯水进行清洗，将晶片放置于纯水槽中，洗净晶片表面的残留杂质。 （5）酸洗：制绒后的硅片表面附着部分制绒液，呈碱性，经去超纯水漂洗甩干后，首先进酸洗槽内使用HCl、HF溶液浸泡除表面残留的钠离子、金属杂质和SiO2。 （6）清洗：使用超纯水进行清洗，将晶片放置于纯水槽中，洗净晶片表面的残留杂质。 纯水制备工艺见下图。 图3 项目纯水制备工艺流程 （7）烘干：通过氮气保护烘干的方式，得到干燥和洁净的硅片表面，然后将硅片送入扩散工序。 2、离子植入工序 离子植入工艺即磷扩散工艺，主要是在扩散炉内对硅片进行掺杂扩散，以形成P/N结的发射极。离子扩散层的浓度及均匀性将直接影响太阳能电池的光电转换效率，主要原辅料为三氯氧磷及氮气、氧气。先将硅片放在碳化硅桨上，自控插入石英舟进入扩散炉，利用氮气通过装有液体三氯氧磷的源瓶，携带三氯氧磷进入扩散炉中，同时通入氧气，气体充入完毕后进行高温扩散（扩散温度超过800℃）。在扩散温度条件下，三氯氧磷在高温下分解，在硅片表面形成磷硅玻璃，磷原子通过磷硅玻璃向硅片表面和内部扩散，形成P-N结。 扩散后的硅片经少子寿命测试仪进行少子寿命测试，合格产品进入后续酸刻蚀工艺，不合格产品重新进行扩散工艺。 扩散产生的废气经设备自带真空泵抽真空排出，送酸雾洗涤塔处理，吸收液为NaOH。 3、酸蚀刻工序 （1）蚀刻：由于扩散工艺的扩散作用在硅片表面会形成一层磷硅玻璃（Phospho Silicate Glass，简称PSG），会影响发射极的电参数，必须予以去除，使用15%wt浓度的HF溶液对刻蚀后的硅片进行浸泡去PSG。 （2）清洗：使用超纯水进行清洗，将晶片放置于纯水槽中，洗净晶片表面的残留杂质。 （3）碱洗：清洗后的硅晶片送入碱洗槽进行碱洗。 （4）清洗：使用超纯水进行清洗，将晶片放置于纯水槽中，洗净晶片表面的残留杂质。 （5）酸洗：经去超纯水漂洗甩干后，首先进酸洗槽内使用HCl、HF溶液浸泡除表面残留的钠离子和SiO2。 （6）清洗：使用超纯水进行清洗，将晶片放置于纯水槽中，洗净晶片表面的残留杂质。 （7）烘干：通过氮气保护烘干的方式，得到干燥和洁净的硅片表面，然后将硅片送入扩散工序。 4、成膜工序（PECVD 等离子增强化学气相沉积）PECVD等离子增强化学气相沉积（Plasma Enhanced Chemical Vapor eposition）是利用强电场或磁场使所需的气体源分子电离产生等离子体，等离子体中含有很多活性很高的化学基团这些基团经过经一系列化学和等离子体反应，在样品表面