X射线衍射复习题.doc

连续X射线谱：具有连续波长的X射线，其强度与波长的关系曲线即为连续X射线谱。 标识X射线谱：当管电压增加到某一临界值以上时，在连续谱的背景上叠加一些强度突增的分立谱线，这些分立谱线称为标识X射线谱。 相干散射：X射线使物质中的电子在其电场的作用下产生强迫振动，每个受迫振动的电子便成为新的电磁波源向空间各个方向辐射与入射X射线频率相同的电磁波，这些新的散射波中间可以发生干涉作用，我们称这种散射为相干散射。 非相干散射：X射线与外层电子（受核束缚小）或自由电子碰撞时，电子获得一部分动能成为反冲电子，碰撞后的光子能力减少并偏离原来的传播方向，由于散射波波长随散射方向改变，与入射X射线不存在固定的位相关系，散射线之间不能发生干涉作用，我们称这种散射为非相干散射。 短波限：连续X射线谱的强度是随波长的变化而连续变化的，每条曲线都有一个强度最大值，并在短波长方向有一个波长极限，称为短波限。 吸收限：对于一种元素其质量吸收系数Um随着波长的变化有若干突变，发生突变的波长称为吸收限。 俄歇效应：物质受入射X射线作用，原子发生K系激发，若该过程中所释放出来的能量用来产生二次电离，使另一个核外电子脱离原子变为二次电子的现象称为俄歇效应。产生的二次电子的能量具有固定值，这种具有特征能量的电子称为俄歇电子。 质量吸收系数：表示单位重量物质对X射线强度的衰减程度，当物质状态发生改变时，它保持不变。 线吸收系数：表示单位体积物质对X射线强度的衰减程度，与物质的密度成正比。 荧光辐射、光电效应：当一个具有足够能量的光子从原子内部击出一个K层电子时，同样会发生象电子激发原子时类似的辐射过程，即产生标识X射线，这种以光子激发原子所产生的激发和辐射过程称为光电效应，被击出的电子称为光电子，所辐射出的次级标识X射线称为荧光X射线。 倒易矢量的基本性质：倒易矢量r*垂直于正点阵中的HKL晶面。 倒易矢量的长度r*等于HKL晶面的面间距dHKL的倒数。 晶面指数、晶向指数：空间点阵的阵点平面和阵点直线相当于晶体结构中的晶面和晶向，在晶体学中阵点平面和阵点直线的空间取向分别用晶面指数和晶向指数来表示。 晶带定律：凡是属于[uvw]晶带的晶面，它们的晶面指数（HKL）都必须符合Hu+Kv+Lw=0,把这个关系式称为晶带定律。 晶带：在晶体结构或空间点阵中，平行于同一个方向的所有晶面族称为一个晶带，该方向称为晶带轴。 晶面族、晶向族：在晶体中，具有等同条件而只是空间位相不同的各组晶面(即这些晶面的原子排列情况和晶面间距等完全相同)，可归并为一个晶面族。用｛hkl｝表示。 与晶面族类似，晶体中因堆成关系而等同搞的各组晶向可归并为一个晶向族。用uvw表示。 选择反射：原子面不是对任意角度入射的X射线都能产生反射，只有当、和d三者之间满足布拉格方程时才能发生反射，X射线的这种反射称为选择反射。 结构因子：用来表征单胞的相干散射与单电子散射之间的对应关系的参量。 干涉面：把（hkl）晶面的n级反射看成与（hkl）晶面平行、面间距为dHKL=dhkl/n的晶面的一级反射。面间距dHKL的晶面并不一定是晶体中的原子面，是为了简化布拉格方程而引入的反射面，这样的反射面称为干涉面。 干涉指数：干涉面的面指数，常用HKL来表示。当干涉指数互为质数时，他就代表了一族真实的晶面。 PDF卡片：以d-I数据组代替衍射花样而制备的衍射数据卡片。 原子散射因子：用来表达一个原子散射和一个电子散射之间的对应关系。 多重因子：把同族晶面{HKL}的等同晶面数P称为衍射强度的多重因子。 系统消光：由于结构因子FHKL=0而使衍射线消失的现象称为系统消光，包括点阵消光和结构消光。 消光效应：由于晶面多次反射和入射线与反射线的想干作用对入射线强度的衰减称为消光效应。消光效应只有当晶体处于反射位置时才能产生，否则等于零。晶体的反射本领越强，消光效应越显著。 面角守恒定律：在相同的热力学条件下，同一物质的各晶体之间比较，相应晶面的大小形状和个数可以不同，但相应晶面夹角不变，一组特定的夹角构成这种物质所有晶体的共同特征。 电子雪崩效应：当一个X射线光子进入计时器，使计时器内气体电离，在电场作用下，电离后的电子和争离子分别向两级运动，在电子向阳级运动的过程中逐渐被加速而获得更高的能量，这些电子和气体分子碰撞时将引起进一步电离，产生大量的电子涌向阳级，称为电子雪崩效应X射线衍射方法：A 劳埃法，该法采用连续X射线照射不动的单晶体。连续谱的波长有一个范围，对应的反射球也会处于两个球面之间，处于这两个球面内的倒易阵点，均会在一定的波长下会满足布拉格条件，从而产生衍射。主要用于分析晶体的对称性和进行晶体定向B 旋转晶体法，该法采用单色X射线照射转动的单晶体。在晶体转动的过程中，相当于处于O点的倒易点阵绕某个轴旋转，在某一瞬间总