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. World No 1 TFT断面图 Glass面板 Gate(闸门) Source(信号)/Drain(漏极) a-Si Pixel(像素) Pixel Array(像素陈列) Ⅰ. TFT制造工序 保护膜 n+ a-Si 绝缘膜 1) TFT断面图 清洗工序 (Cleaning) 绝缘膜及半导体膜 (Insulator a-Si, n+ a-Si) 闸门电极 (Gate Electrode) 2.制造工序图 SUBSTRATE(基片) Mo DC Mo Mo Mo Mo Ar+ Mo Ar+ TARGET Sputtering(溅射) R F H Si Si N Si N H Si H H H N N H H H H H PECVD 坚膜工序 (Deposition) PR涂屏 (PR Coating) 曝光 (Exposure) 玻璃面板 (Glass) 数据电极 (Source/Drain Electrode) 显影 (Develop) 脱膜工序 ( Strip) 检测工序 (Inspection) 湿刻蚀(Wet Etching) 干刻蚀(Dry Etching) FO Si SiF4 Si PLASMA Gas RF 刻蚀工序 (Etching) 坚膜 / 图案工序详细图 (Deposition Patterning Process in Detail) 保护膜 (Passivation) 像素电极 (Pixel Electrode) Patterning(图案) Patterning Patterning Patterning Patterning Photo工序 1. 坚膜(Deposition)工序 : 将Gate电极、Data(Source/Drain)电极、像素(Pixel)电极、绝缘膜(Insulator) 、保护膜(Passivation)以及半导体膜(a-Si,n+ a-Si), 以物理或化学方法, 使其在Glass(玻璃)上形成膜的工序. - 坚膜方式有, Gate电极、Data(Source/Drain)电极、像素(Pixel)电极是金属物质(铝、铬、ITO、钼) ，利用物理方法的Sputtering（溅射）工序。 - 还有，绝缘膜(Insulator)、保护膜(Passivation)、半导体膜是SiNx ,a-Si, n+ a-Si， 利用化学方式的PECVD 工序. 2. 清洗(Cleaning)工序 : 将Glass板上的异物或Particle(偏的), 利用D.I Water去除的工序, 对生产率有一次的影响. 特别坚膜前的面板清洗工序是提高膜的黏着性(adhesion)的因素. 3. Photo工序 : 坚膜的Glass上镀感光剂(PR), 在Photo Mask的Pattern(光栅)上透光之后, 利用显像液 留下所需的Pattern部分的工序, 与一般照片现像一样. 4. 刻蚀(Etching)工序 : 对去除感光剂(PR)部分的膜, 利用物理、化学方法有选择地去除的工序。 刻蚀方式有如下的两个方式。 - Wet Etching ；是利用化学溶液刻蚀金属物质(铝,铬, ITO,钼)的方式。 - Dry Etching ；是利用Gas Plasma刻蚀SiNx ,a-Si, n+ a-Si的方式。 5. 脱膜(Strip)工序 : Etching工序后，去除为形成Pattern而留下的感光剂(PR)的工序。 6. 检测(Inspection)工序 : 调查/评价工序、半成品，产品的质量判定良、不良的工序。 - MPS方式 ；施加电气性信号而检测TFT的驱动特性及特性不良，线不良、点不良等的方式。 - Pattern方式 ：处理Array内的反复的Pattern 图象，检测非正常的Pattern(点不良、线不良)的方式。 - Macro方式 ；处理Array内的反复的Pattern图象， 做目力检测的方式。 Ⅱ. TFT工序细节说明 1.工序详细图 2.Sputtering方式 : 是Target(主要是金属)和Glass之间的Plasma, 将Target物质贴在Glass上的工序. - Plasma是两个电极之间注入的不活性Gas上施加高电压, 从而成为