华中科技大学模拟电子技术模电复习大纲.pptVIP

3、正确理解变压器反馈式，电容三点式，电感三点式LC正弦波振荡电路的结构和工作原理 5、能够利用相位平衡条件判断电路是否振荡。 4、了解石英晶体正弦振荡电路的工作原理及特点 习题9.6.1；9.6.2；9.7.1；9.7.2； 第十章 直流稳压电源 1、了解直流电源电路的组成 2、理解单相桥式整流电路的组成，工作原理，主要参数 （输出电压平均值 ，每个整流管的电流平均值1/2IL，及所承受的最大反向电压值 ） 3、掌握单相桥式电容滤波电路的工作原理和输出电压的估算 VL=（1.1—1.2）V2 空载时 4、掌握稳压电路的工作原理 整流管开路、短路的故障情况 稳压管稳压 在第三章作了介绍，注意限流电阻的选择 串联反馈型稳压电路、组成输出电压的调节及稳压原理 5、了解整流，滤波（电容滤波）的输出电压波形 习题10.1.3；10.2.4；10.2.6 模拟电子技术基础复习大纲 高等教育出版社 康华光 ? 小写字母、大写下标表示总量（含交、直流）。如，vCE、iB等。 ? 大写字母、大写下标表示直流量。如，VCE、IC等。 ? 小写字母、小写下标表示纯交流量。如，vce、ib等。 ? 上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。如， 、 等。 书中有关符号的约定 第一章 绪论 电压放大模型 1. 输入电阻 反应了放大电路从信号源吸取信号幅值的大小。 输入电压信号， 越大， 越大。 输入电流信号， 越小， 越大。 2. 输出电阻 决定放大电路带负载能力。 输出电压信号时， 越小（相对 ）， 对 影响越小， 输出电流信号时， 越大（相对 ）， 对 影响越小。 输出电阻的计算： 3、频率响应 上、下限频率；带宽 频率失真（线性失真） P196题4.7.4 幅度失真 相位失真 非正弦信号 非线性失真 饱和失真 截止失真 正弦信号 第三章 二极管及其基本电路 1、理解半导体中有两种载流子 电子 空穴——当电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后， 共价键就留下一个空位，这个空位就称为空穴 2、理解本征半导体和本征激发 本征半导体——化学成分纯净的半导体 本征激发的特点—— 两种载流子参与导电，自由电子数（n）=空穴数（p） 外电场作用下产生电流，电流大小与载流子数目有关 导电能力随温度增加显著增加 N型半导体：电子是多数载流子，空穴是少数载流子，但半导体呈中性 P型半导体：空穴是多数载流子，电子是少数载流子，但半导体呈中性 3、理解杂质半导体（通过掺杂，提高导电能力） 少数载流子是由电子—空穴对（本征激发）产生而来， 多子浓度主要取决于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 4、熟练掌握PN结 形成——由于浓度差，而出现扩散运动，在中间形成空 间电荷区（耗尽层），又由于空间电荷区的内电场作用，存在漂移运动，达到动态平衡。 单向导电性 —— 不外加电压，扩散运动=漂移运动，iD=0 加正向电压（耗尽层变窄），扩散运动＞漂移运动形成iD 加反向电压（耗尽层变宽），扩散运动为0，只有很小的 漂 移运动 形成反向电流 特性方程：iD=IS（eVo/VT-1） 特性曲线 ： 正向导通：死区、导通区 反向截止：截止区、击穿区 5、理解二极管 单向导电性、特性方程及特性曲线与PN结相同 主要参数：最大整流电流IF、反向击穿电压VBR、反向电流IR、 极间电容、最高工作频率 分析模型：理想模型、恒压降模型、折线模型、小信号模型 导通管的压降看做常值（硅0.7V，锗0.2V）或0V（理想二极管）；截止管所在支路看做断开，电路中所有二极管状态判明后，进一步计算所要求的各物理量。 二极管电路的分析计算： 6、特殊二极管——稳压管（工作在反向击穿区） 反向偏置 且VI＞VZ 稳压原理：无论输入变化或负载变化，引起的电流变化都加于稳压管上，使输出电压稳定 参数：VZ、IZ、PZM、rZ 习题3.4.5；3.4.7；3.4.9；3.5.1 第四章 双极型三极管及放大电路基础 1、理解半导体三极管 ①类型：结构、材料 硅管（VBE=0.7V）、锗管（ VBE= 0.2V） ②电流控制器件