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2017-03-05 发布于天津
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(n-通道空乏型MOSFET)VGS

* Boylestad and NashelskyElectronic Devices and Circuit Theory Copyright ?2006 by Pearson Education, Inc.Upper Saddle River, New Jersey 07458All rights reserved. * § 6-4 JFET的特性規格表摩托羅拉(Motorola)所提供之2N5457 n-通道 JFET 之特性規格表： 2N5457 外殼29-04, 形態5 TO-92 (TO-226AA) ??? 1 汲極 3 閘極 2 源極 JFETs 一般用途 N-通道－空乏最大功率消耗方程式： PD=VDSID 2N2844 外殼22-03, 形態12 TO-18 (TO-226AA) ???(外殼) 3 汲極 2 閘極 1 源極一般用途之 p-通道 JFETs (頂帽連接器之型態) 外殼結構與端點指示： Boylestad and NashelskyElectronic Devices and Circuit Theory Copyright ?2006 by Pearson Education, Inc.Upper Saddle River, New Jersey 07458All rights reserved. * § 6-4 JFET的特性規格表 Boylestad and NashelskyElectronic Devices and Circuit Theory Copyright ?2006 by Pearson Education, Inc.Upper Saddle River, New Jersey 07458All rights reserved. * § 6-4 JFET的特性規格表線性放大器設計之正常操作範圍： ?特性規格表與每一VGS 大小之夾止範圍所定義的曲線可規範汲極特性之線性放大操作區域。 ?歐姆區定義每一VGS 之最小允許VDS 之值。夾止範圍之軌跡 (IDmax) 歐姆區放大器設計之正常操作區域 Boylestad and NashelskyElectronic Devices and Circuit Theory Copyright ?2006 by Pearson Education, Inc.Upper Saddle River, New Jersey 07458All rights reserved. § 6-5 儀表 * 2N4416 JFET 顯示在曲線循跡器之汲極特性： VGS = 0V → ID = IDSS ID = ? IDSS → VGS ? 0.3Vp ID = 0mA → VGS = Vp (每步級) →VGS = 0V,-0.5V,-1V,-1.5V,-2V 此為 n-通道裝置, 設定顯示五步級 --- 十步級? ps：當VGS 愈變愈負時，曲線間的距離愈縮減。 Boylestad and NashelskyElectronic Devices and Circuit Theory Copyright ?2006 by Pearson Education, Inc.Upper Saddle River, New Jersey 07458All rights reserved. § 6-6 重要關係式 * 待定參數分析結構起點→ Boylestad and NashelskyElectronic Devices and Circuit Theory Copyright ?2006 by Pearson Education, Inc.Upper Saddle River, New Jersey 07458All rights reserved. 基本結構 (n-通道空乏型 MOSFET)： ?SiO2 是一種特殊的絕緣體被稱為電介質，當有外加電場時即在電介質內建立起反向電場。 ?SiO2 之絕緣層導致裝置極高之輸入阻抗，值與典型之JFET差不多。 → 直流偏壓結構下 IG = 0A ?閘極與通道間的絕緣層導致裝置