各存储器简介.doc

内存工作原理： 内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存（即DRAM），动态内存中所谓的动态，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。具体的工作过程：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。但时间一长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，这就是数据丢失的原因；刷新操作定期对电容进行检查，若电量大于满电量的1／2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量小于1／2，则认为其代表0，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。 内存芯片的容量 用M×W的方式来表示芯片的容量（或者说是芯片的规格/组织结构）。M是该芯片中存储单元的总数，单位是兆（英文简写M，精确值是1048576，而不是1000000），W代表每个存储单元的容量，也就是SDRAM芯片的位宽（Width），单位是bit。计算出来的芯片容量也是以bit为单位，但用户可以采用除以8的方法换算为字节（Byte）。比如8M×8，这是一个8bit位宽芯片，有8M个存储单元，总容量是64Mbit（8MB）。但在相同容量下，行数不变，只有列数会根据位宽的而变化。 SRAM：静态随机存储器 利用寄存器存储信息，所以一旦掉电，资料就会全部丢失，只要供电，它的资料就会一直存在，不需要动态刷新。SRAM集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积。 DRAM：动态随机存储器 利用MOS管的栅电容上的电荷来存储信息，一旦掉电信息会全部的丢失，由于栅极会漏电，所以每隔一定的时间就需要一个刷新机构给这些栅电容补充电荷，并且每读出一次数据之后也需要补充电荷，这个就叫动态刷新，所以称其为动态随机存储器。SDRAM比它多了一个与CPU时钟同步。 SDRAM:同步动态随机存储器 同步是指Memory工作需要步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是由定地址进行数据读写。 SDRAM 一般都以 Bank（存储体或存储块）为组织，来将 SDRAM 分为很多独立的小块，然而由Bank 地址线 BA 控制 Bank 之间的选择；SDRAM 的行、列地址线贯穿所有的 Bank；每个 Bank的数据位宽同整个存储器的相同。这样，Bank 内的字线和位线的长度就可被限制合适的范围内，从而加快存储器单元的存取速度，另外，BA也可以使被选中的 Bank处于正常工作模式，而使没有被选中的 Bank 工作在低功耗模式下，这样还可以降低 SDRAM 的功耗。 图1 128Mbit（32M×4）SDRAM内部结构图 模式寄存器为逻辑控制单元提供控制参数；SDRAM在开机时的初始化过程如下图所示。 SDRAM基本操作命令，通过各种控制/地址信号的组合来完成。 列寻址信号与读写命令是同时发出的，但在发送列寻址信号与读写命令时必须要与行寻址有效命令有一个间隔，这个间隔被定义为tRCD，即RAS to CAS Delay（RAS至CAS延迟）。广义的tRCD以时钟周期（tCK，Clock Time）数为单位，比如tRCD=2，就代表延迟周期为两个时钟周期，如下图所示。 FLASH 存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM的优势），U盘和MP3里用的就是这种存储器。以前嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，近年来Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用（U盘）。 Flash ROM 它是利用浮置栅上的电容存储电荷来保存信息，因为浮置栅不会漏电，所以断电后信息仍然可以保存。也由于其机构简单所以集成度可以做的很高，容量可以很大。Flash rom写入前需要用电进行擦除，而且擦除不同与EEPROM可以以byte(字节)为单位进行，flash rom只能以sector(扇区)为单位进行。不过其写入时可以byte为单位。flash rom主要用于需要大容量且断电不丢数据的设备。 目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash。NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。 NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较